李全保
- 作品数：13 被引量：12H指数：2
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
- 发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 固态再结晶法生长碲镉汞晶体的相变过程
- 2000年
- 叙述了固态再结晶生长碲镉汞晶体的生长方法 ,讨论了固态再结晶法生长碲镉汞晶体的相变过程和消除树枝结晶的机理及实验结果。简述了再结晶过程中晶粒长大的相变驱动力。
- 王跃李全保韩庆林宋炳文介万奇周尧和
- 关键词：晶体生长碲镉汞相变过程
- 晶体生长过程中首先凝固点的实验观察
- 2000年
- 由于技术上的原因 ,“首先凝固点”很难观察到。通过在Bridgman法生长HgCdTe晶体过程中进行淬火 ,观察到尺寸较小的“首先凝固区域” ,其固液界面为凹形抛物面。
- 王跃李全保韩庆林马庆华宋炳文介万奇周尧和
- 关键词：晶体
- MCT单晶中的应变研究被引量：4
- 1990年
- 用X光衍射方法,测量了固态再结晶法生长的MCT单晶生长方向的衍射角2θ,近似计算出单晶生长方向的应变。MCT单晶的组份为x=0.214,生长方向分别为(111)(110)和(100)。初步实验的结果表明,固态再结晶法生长的MCT单晶生长方向的最大应变为10^(-4);其应变与MCT单晶的晶向没有明显的对应关系,而主要与生长工艺有关。
- 王跃蔡毅李全保宋炳文
- 加压布里奇曼法生长大直径HgCdTe晶体被引量：1
- 2001年
- 根据加压改进布里奇曼法 ,采用“二次配料”工艺成功地生长了直径 40 mm的大直径 Hg Cd Te (组分 x≈0 .2 0 )晶体 .采用加压技术 ,平衡部分石英安瓶内的高汞蒸汽压 ,有效地避免了石英安瓶的爆裂 ;采用“二次配料”工艺 ,大大降低了生长温度 ;合理选择温度梯度和生长速度 ,获得了有较好结晶性和组分均匀性的 Hg Cd Te晶体 .分析表明 :Hg Cd Te晶片的载流子浓度 n77≤ 4× 10 1 4 cm- 3 ,迁移率 μ77≥ 1× 10 5 cm2 /(V· s) ,少数载流子寿命值 τ≥ 2 .0 μs,80 K时简单的性能测试用光导探测器件的探测率 D*为 1.1× 10 1 0 cm· Hz1 /2 /W.
- 王跃李全保韩庆林马庆华宋炳文介万奇周尧和
- 关键词：HGCDTE晶体晶体生长
- 辉光放电质谱法分析银铜合金样品时未知锂元素的鉴别被引量：3
- 2010年
- 辉光放电质谱法(GDMS)作为一种固体直接分析技术,已广泛应用于各种金属、半导体材料的痕量和超痕量杂质分析。充分挖掘仪器的应用潜力,利用固体样品分析表征时所获得的诸多干扰峰信息,结合GDMS仪器的工作机理和特点,分析和甄别样品中的未知常量元素,以获得更全面的样品信息和更可靠的分析结果。
- 荣百炼唐利斌杨彦朱颖峰李全保
- 关键词：辉光放电质谱法
- 大直径MCT晶体的双晶衍射回摆曲线测量被引量：2
- 2000年
- 采用加压改进Bridgman法生长出大直径 ( =40mm)MCT晶体。对所生长的晶体进行了双晶衍射回摆曲线测量 ,所测量样品的双晶衍射回摆曲线的半峰宽最小值为1 4.4″～ 1 6.2″。测试结果表明 :大直径MCT晶体质量优良 。
- 韩庆林李全保吴刚马庆华
- 关键词：红外探测器
- MCT单晶中的应变研究
- 光衍射方法，测量了固态再结晶方法生长的MCT单晶生长方向的衍射角2θ，近似计算出单晶生长方向的的应变。MCT单晶的组分为x=0.214，生长方向为[111]、[110]和[100]。初步实验结果表明：固态再结晶方法生长的...
- 王跃蔡毅李全保
- 关键词：单晶衍射方法再结晶晶体生长碲镉汞
- Bridgman法生长HgCdTe晶体的初始速度选择被引量：1
- 2000年
- 根据Ｂｒｉｄｇｍａｎ 法生长ＨｇＣｄＴｅ 晶体过程中溶质ＣｄＴｅ 的分布规律，推导了缩短初始过渡区长度、增加组分稳定区长度的最佳初速度表达式，从式中可看出：初始速度为一变数。
- 王跃李全保韩庆林宋炳文介万奇周尧和
- 关键词：布里奇曼法HGCDTE晶体
- 改进布里奇曼法生长HgCdTe晶体的生长速度对固液界面形态的影响被引量：1
- 2000年
- 为选择合理的晶体生长速度 ,在用改进Bridgman法生长直径为19mm的HgCdTe(x =0 .2 1)晶体过程中 ,对正在生长的单晶体及熔体进行淬火 ,以观察其固液界面形态。初步的实验结果表明 :在 2mm/d及 9mm/d的两种生长速度条件下 ,石英安瓶中的固液界面形态均为凹形抛物面 ,但其凹陷深度分别为 10mm和 14mm。较低的晶体生长速度条件下 ,凹陷深度较小 ,固液界面形态较平。由实验和讨论得知 ,宜选择较低的晶体生长速度用改进Bridgman法生长HgCdTe晶体。
- 王跃李全保韩庆林马庆华宋炳文介万奇周尧和
- 关键词：碲镉汞晶体
- 分子束外延生长Hg1-_xCd_xTe材料原位退火研究
- 2009年
- 对分子束外延(MBE)生长了Hg1-xCdxTe薄膜材料进行原位退火研究。显微镜观察可知,原位退火可以得到光滑的材料表面,并可以降低材料的腐蚀坑密度(EPD)。霍尔测试结果表明,通过调整退火温度和汞束流可以明显地改善Hg1-xCdxTe材料的电学性能。研究表明Hg1-xCdxTe材料的原位退火技术在改善材料的微观结构和电学性能方面有着重要的意义。
- 苏栓李艳辉周旭昌杨春章谭英高丽华李全保
- 关键词：HG1-XCDXTE
