李宏伟
- 作品数：11 被引量：46H指数：4
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- 含InGaAs层多量子阱3-5μm红外探测器的制备与特性
- 李宏伟黄绮周均铭
- 关键词：多量子阱红外探测器
- 纳米器件的制备、表征及其应用被引量：5
- 2002年
- 利用建立的常规光刻法的纳米加工工艺系统 ,研制碳纳米管晶体管、单电子晶体管和单电子晶体集成的纳米器件 .研制出了 90K的单电子晶体管 ,实现了两单电子晶体管的电容耦合集成。
- 王太宏赵继刚傅英李宏伟李卫王春花王振霖庞科刘淑琴符秀丽
- 关键词：碳纳米管晶体管单电子晶体管
- 宽带3—5μm量子阱红外探测器的研制被引量：3
- 2000年
- 采用分子束外延方法在 Ga As衬底上生长了 n型掺杂的应变 In Ga As/Al Ga As多量子阱结构 ,制作成 3— 5μm波段的量子阱红外探测器 ,响应峰值波长 λp=4.2 μm,响应带宽可达 Δλ/λ=50 % ,50 0 K黑体探测率 D*BB(50 0 ,1 0 0 0 ,1 )达 1 .7× 1 0 10 cm.Hz1/2 /W.
- 李宏伟李卫黄绮周均铭
- 关键词：量子阱红外探测器探测率INGAAS/ALGAAS
- 纳米加工技术和利用InAs自组装量子点实现单电子器件集成的实验研究
- 该论文首先系统介绍了单电子器件的基本工作原理和相关知识,然后讲述了作者在攻读博士学位期间所做的主要研究工作,内容主要集中于纳米结构的制备研究和单电子器件集成原理的实验研究.
- 李宏伟
- 关键词：单电子器件纳米加工技术量子点
- 文献传递
- 64×64元GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面研制被引量：17
- 1999年
- 报道了64×64 元GaAs/AlGaAs 多量子阱凝视型红外焦平面的研制,器件的平均响应率为RP= 7.24×105V/W,器件的平均黑体探测率为Db = 5.40×108cm ·Hz1/2/W ,峰值波长为λP= 8.2μm ,不均匀性小于20% 。
- 李宁李娜陆卫沈学础陈伯良梁平治丁瑞军黄绮周钧铭金莉李宏伟
- 关键词：多量子阱凝视型红外焦平面长波
- GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱能级结构设计与光谱分析被引量：10
- 2000年
- 通过理论计算对用于量子阱红外探测器的GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构进行模拟设计 ,将不同生长结构的量子阱材料的光响应谱和光致荧光谱 (PL)与计算结果进行比较 .说明量子阱生长结构与量子阱能级结构的关系 .欲使量子阱红外探测器的响应峰值在 8μm附近 ,则需量子阱结构中阱宽为 4 7nm ,垒中Al含量为 0 2 9.理论计算与测试结果符合得较好 .
- 李娜袁先漳李宁陆卫李志峰窦红飞沈学础金莉李宏伟周均铭黄绮
- 关键词：砷化镓能级结构光谱
- 含InAs自组装量子点肖特基二极管的关联放电效应被引量：3
- 2001年
- 制作了含自组织量子点的金属 半导体 金属双肖特基势垒器件 ,研究了器件的电流输运特性 .在量子点充放电造成的电流迟滞回路的基础上 ,观察到了电压扫描过程中的电流由低态到高态的跳跃现象 .这种电流跳跃来源于充电量子点的关联放电效应 .根据量子点系统的哈密顿量 ,分析了充电量子点关联放电的原因 .这种关联放电效应起源于量子点与 2DEG的相互作用 ,当一个量子点放电时通过量子点和 2DEG电流的变化会影响其他的量子点 ,从而促使其放电 。
- 李宏伟王太宏
- 关键词：INAS自组装量子点肖特基二极管砷化铟半导体
- 纳米结构的制备及单电子器件研究被引量：5
- 2001年
- 建立了单电子器件的制备工艺和单电子器件的分析、测量系统 ,研究了有潜在应用价值的纳米结构加工技术 ,制备了适合光电集成的多种纳米结构 ,发展了常规光刻法制备单电子器件的多种技术 .其中 ,在生命科学和信息领域有着广泛应用的“纳米电极对”引起了国内外专家的重视 .发展以“纳米电极对”为基础的单电子器件及其应用是我们目前的主要研究方向 .目前我们正在探索这种单电子器件在生命芯片、微电子系统集成方面的应用 .
- 王太宏李宏伟贾海强李卫黄绮周均铭
- 关键词：单电子晶体管纳米加工技术量子点
- InAs量子点在肖特基势垒二极管输运特性中的影响被引量：2
- 2001年
- 在 77到 2 92K的范围内 ,系统研究了含InAs自组装量子点的金属 半导体 金属双肖特基势垒二极管的输运特性 .随着温度上升 ,量子点的存储效应引起的电流回路逐渐减小 .在测试温度范围内 ,通过量子点的共振隧穿过程在电流 电压 (I V)曲线中造成台阶结构 ,且使电流回路随温度的上升急剧减小 .根据肖特基势垒的反向I V曲线 ,计算了势垒的反向饱和电流密度和平均理想因子 .发现共振随穿效应使肖特基势垒在更大的程度上偏离了理想情况 ,而量子点的电子存储效应主要改变了肖特基势垒的有效势垒高度 。
- 李宏伟王太宏
- 关键词：自组装量子点电流-电压特性INAS输运特性砷化铟
- 含多层InAs量子点的双肖特基势垒二极管输运特性研究
- 2001年
- 研究了含多层InAs量子点结构的双肖特基势垒的电流输运特性 ,观察到了量子点的电子存储效应及其对电流的调制现象、电流多稳态现象和零点电压漂移现象 .因为多量子点之间存在耦合作用 ,造成器件中的很多亚稳态 .通过器件的输运特性显示出比含单层量子点器件更复杂的结果 .随着外加电压的变化 ,器件经历很多弛豫过程 .这些弛豫过程在电流
- 李宏伟王太宏
- 关键词：INAS砷化铟输运特性
