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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇低介电常数
  • 1篇多孔
  • 1篇疏水
  • 1篇疏水型
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米多孔
  • 1篇介电
  • 1篇介电常数

机构

  • 1篇国防科学技术...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇王小东
  • 1篇高庆福
  • 1篇冯军宗
  • 1篇张长瑞
  • 1篇李明月
  • 1篇冯坚

传媒

  • 1篇稀有金属材料...

年份

  • 1篇2008
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
疏水型纳米多孔SiO_2薄膜的制备与性能表征被引量:1
2008年
采用TMCS对超临界干燥后的纳米多孔SiO2薄膜进行疏水处理,利用FTIR、SEM、椭偏仪和LCR测量仪等对薄膜的性能进行表征。研究表明:TMCS修饰后薄膜呈疏水性;薄膜的厚度有所降低,但孔隙率无明显变化;薄膜的实测介电常数值接近理论计算值,为2.0~2.3,且随时间无显著增大。
高庆福冯坚李明月张长瑞王小东冯军宗
关键词:低介电常数
共1页<1>
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