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李明达

作品数:31 被引量:10H指数:2
供职机构:天津大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金天津市应用基础与前沿技术研究计划更多>>
相关领域:理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 27篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇理学

主题

  • 22篇气敏
  • 19篇多孔硅
  • 17篇传感
  • 16篇感器
  • 16篇传感器
  • 12篇多孔
  • 9篇抛光
  • 9篇抛光表面
  • 9篇气敏传感器
  • 9篇气敏元件
  • 8篇复合结构
  • 7篇氧化钨
  • 7篇气敏材料
  • 7篇硅基
  • 6篇硅表面
  • 6篇传感器元件
  • 4篇氮氧化物
  • 4篇电极
  • 4篇室温
  • 4篇室温工作

机构

  • 31篇天津大学

作者

  • 31篇李明达
  • 30篇胡明
  • 27篇马双云
  • 25篇曾鹏
  • 21篇闫文君
  • 4篇刘青林
  • 4篇贾丁立
  • 4篇崔珍珍
  • 2篇武雅乔
  • 1篇刘家成
  • 1篇孙鹏

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇物理化学学报
  • 1篇传感器与微系...

年份

  • 1篇2015
  • 6篇2014
  • 23篇2013
  • 1篇2012
31 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
用于室温检测超低浓度氮氧化物气体的气敏元件
本实用新型公开了一种用于室温检测超低浓度氮氧化物气体的气敏元件,硅基片衬底为n型单晶硅基片,硅基片衬底的上面设置有多孔硅层,该多孔硅层的平均孔径为170.28nm,厚度为68.78μm,多孔硅层的上面设置有氧化钨薄膜,薄...
胡明李明达马双云闫文君曾鹏
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用于室温的超快探测氮氧化物气体的气敏元件的制备方法
本发明公开了一种用于室温的超快探测氮氧化物气体的气敏元件的制备方法,先将p型单晶硅基片衬底清洗干净,采用双槽电化学腐蚀法在清洗过的单晶硅基片的抛光表面制备多孔硅,再将制得的多孔硅置于超高真空对靶磁控溅射设备的真空室,采用...
胡明李明达马双云闫文君曾鹏
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一种低温制备氧化钨纳米线/多孔硅复合结构材料的方法
本发明公开了一种低温(700℃)制备氧化钨纳米线/多孔硅复合结构材料的方法:首先采用p型单晶硅作为基底,利用双槽电化学的方法在基底表面制备多孔硅层;然后,金属钨作为耙材,利用磁控溅射的方法在多孔硅表面沉积金属钨薄膜,制备...
胡明马双云崔珍珍李明达曾鹏武雅乔闫文君
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用于室温的多孔硅基氧化钨纳米复合结构气敏元件的制备方法
本发明公开了一种用于室温的多孔硅基氧化钨纳米复合结构气敏元件的制备方法:先将n型单面抛光的单晶硅基片作为硅基片衬底,再在单晶硅基片的抛光表面制备多孔硅层,所用腐蚀电解液由40%的氢氟酸与去离子水组成;采用高纯度金属钨作为...
胡明李明达贾丁立马双云曾鹏
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一种多孔硅基氧化钨纳米线复合结构气敏材料的制备方法
本发明公开了一种多孔硅基氧化钨纳米线复合结构气敏材料的制备方法:首先采用单面抛光的p型单晶硅基片为硅基片衬底,超声清洗;再采用双槽电化学腐蚀法在清洗过的硅基片表面制备多孔硅层,腐蚀电解液由40%的氢氟酸与二甲基甲酰胺组成...
胡明曾鹏马双云闫文君李明达
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一种多孔硅基一维氧化钨纳米线气敏元件
本实用新型公开了一种多孔硅基一维氧化钨纳米线气敏元件,其特征在于,硅基片衬底(1)的上面设置有多孔硅基氧化钨纳米线复合结构(6),多孔硅基氧化钨纳米线复合结构(6)由多孔硅(3)和一维氧化钨纳米线(2)组成,一维氧化钨纳...
胡明马双云曾鹏李明达闫文君
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一种室温检测氮氧化物气敏元件的制备方法
本发明公开了一种室温检测氮氧化物气敏元件的制备方法,以多孔硅为基底复合一维氧化钨纳米棒的方法,利用两种半导体材料间发生电荷转移形成的异质结,使其在室温条件下对有毒有害的氮氧化物气体能够快速检测。该方法具有设备简单、操作方...
胡明马双云李明达曾鹏闫文君
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多孔硅与氧化钨纳米棒复合结构气敏材料的制备方法
本发明公开了一种多孔硅与氧化钨纳米棒复合结构气敏材料的制备方法,提供了一种以多孔硅为基底复合一维氧化钨纳米棒的方法,显著提高了敏感材料的比表面积,并且利用两种半导体材料间发生电荷转移形成的异质结,从而进一步提高了对探测气...
胡明马双云李明达曾鹏闫文君
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多孔硅基一维氧化钨纳米线气敏元件的制备方法
本发明公开了多孔硅基一维氧化钨纳米线结构气敏传感器元件的制备方法,首创采用了孔径在1-2μm,兼有孔道高度有序排列的硅基多孔硅复合一维氧化钨纳米结构为气敏材料,因巨大的比表面积以及表面活性可提供大量的气体吸附位置、气体扩...
胡明马双云曾鹏李明达闫文君
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一种用于室温探测的多孔硅氨敏传感器元件
本实用新型公开了一种用于室温探测的多孔硅氨敏传感器元件,其特征在于,硅基片衬底(1)为n型单晶硅基片,硅基片衬底(1)的上面设置有多孔硅层(2),多孔硅层(2)上表面设置有铂电极正极(3)和铂电极负极(4)。本实用新型克...
胡明李明达曾鹏马双云闫文君
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共4页<1234>
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