李洪波
- 作品数：10 被引量：15H指数：3
- 供职机构：河北工业大学信息工程学院微电子技术与材料研究所更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金河北省教育厅科研基金国家中长期科技发展规划重大专项更多>>
- 相关领域：金属学及工艺电子电信化学工程理学更多>>
- 粗糙度和尖峰高度对粗糙铜晶圆表面化学反应动力学参数的影响
- 2014年
- 根据液固化学反应特性和欧几里得有效面积公式,建立了适用于粗糙晶圆表面的化学反应动力学方程,得到了不同晶圆表面的化学反应速率常数和化学机械平坦化(CMP)前后晶圆质量差。根据晶圆表面不同位置的lg(RMS height)-lgx拟合直线斜率和截距的平均值,得到了每个晶圆表面的分形维数与尺度系数,进一步得到了铜膜化学反应分级数。通过分析晶圆表面分形维数对化学反应动力学参数的影响,可以得出:当表面分形维数为2.917时,铜膜的化学反应分级数为1,此时铜膜的络合反应过程中的所有瞬时反应数量达到最小值。最后的验证试验表明:晶圆表面分形维数越大,CMP后尖峰消除量越大,即铜膜表面化学反应速率越快;晶圆表面分形维数越小,CMP后粗糙度下降越明显,即铜膜表面化学反应均匀性越好。
- 李炎刘玉岭牛新环王傲尘李洪波
- 关键词：质量作用定律动力学方程分形维数粗糙度
- 聚苯胺固含量对涂料防腐性能的影响被引量：2
- 2014年
- 针对水性涂料常用的聚苯胺的固含量进行了研究,通过探索最佳的配制工艺及所用聚苯胺的固含量,最终得出了聚苯胺固含量越高越有利于提高其防腐性能,但是在涂料配制过程中,聚苯胺含量并不是越高越好,而是有一个最佳值,找到最佳值是得到优质防腐涂料的关键。
- 李炎刘方方卜小峰李洪波
- 关键词：聚苯胺固含量防腐性能
- 铜互连线低磨料化学机械平坦化机制被引量：6
- 2015年
- 主要研究了低磨料浓度下铜互连线的平坦化机制,建立了凸处和凹处的铜膜去除模型,并在MIT 854铜布线片上进行了验证实验,进一步证明了机制模型的正确性。在工作压力存在的条件下,凸处铜膜的去除以化学机械作用为主,凹处铜膜去除以化学作用为主,由此得出,在忽略机械作用对化学反应增益作用的前提下,低磨料浓度有利于得到较高的高低处速率差,进而实现晶圆的表面平坦化。在MIT 854铜布线片上进行了实验验证,实验证明,当磨料浓度为0.5%时,铜膜的去除速率已达到最大值,此时,线宽/线间距(L/S)为100μm/100μm,50μm/50μm和10μm/10μm的铜线条剩余高低差分别由初始的470,460和450 nm变为平坦化后的30.0,15.0和3.1 nm,另外还得出宽线条比窄线条对抛光液的利用率要高,为了实现进一步的平坦化,提高窄线条区域对抛光液的利用率成为重中之重。
- 李炎张宏远刘玉岭王傲尘李洪波
- 关键词：化学机械平坦化铜互连线
- 成膜剂硅溶胶的黏度对涂层性能的影响
- 黏度实验证实,硅溶胶黏度越大,所制备涂层的附着力越大,耐腐蚀性能越强.通过对硅溶胶的物理化学性能研究可知,硅溶胶体积分数的增加会导致体系pH值的上升,当体积分数为10％时,pH值达到最大值9.91.当pH值为9.7时,硅...
- 李炎刘玉岭李洪波卜小峰唐继英樊世燕
- 关键词：涂料成膜剂硅溶胶耐腐蚀性能
- 铜膜高去除速率CMP碱性抛光液的研究及其性能测定被引量：3
- 2014年
- 目的探索适合于TSV技术的最佳CMP工艺。方法在碱性条件下,利用碱性FA/O型鳌合剂极强的鳌合能力,对铜膜进行化学机械抛光,通过调节抛光工艺参数及抛光液配比,获得超高的抛光速率和较低的表面粗糙度。结果在压力27.56 kPa,流量175 mL/min,上下盘转速105/105 r/min,pH=11.0,温度40℃,氧化剂、磨料、螯合剂体积分数分别为1%,50%,10%的条件下,经过CMP平坦化,铜膜的去除速率达2067.245 nm/min,且表面粗糙度得到明显改善。结论该工艺能获得高抛光速率。
- 李炎孙鸣李洪波刘玉岭王傲尘何彦刚闫辰奇张金
- 关键词：表面粗糙度
- 化工中间体乙二醛的最佳合成工艺探索
- 2013年
- 乙二醛作为一种重要的化工中间体,用途涉及到诸多行业,但是其合成工艺一直不太成熟。本文通过研究控制乙二醛合成反应的因素对乙二醛产率和产率选择性的影响,得出了乙醛硝酸氧化法制备乙二醛的最佳工艺流程,并详细的分析了各因素对主副反应的影响。
- 李炎李洪波王傲尘卜小峰唐继英樊世燕
- 关键词：乙二醛氧化法醋酸副反应
- 乙二醛合成反应动力学研究
- 2014年
- 本文通过对乙二醛合成反应动力学的研究,得到了不同温度下各反应的化学反应速率常数。根据阿伦尼乌斯方程对上述化学反应速率常数进行线性拟合分析,最终得到了不同阶段化学反应速率的活化能表达式,具体表达为:乙二醛的净生成速率rc=exp(53318.597/RT-27.05)CACB-exp(-13.918/RT+0.006)CCCB;乙醛酸的净生成速率rD=exp(-13.918/RT+0.006)CCCB-exp(-361 160.16/RT+156.56)CDCB。
- 李炎王傲尘李洪波唐继英樊世燕卜小峰
- 关键词：乙二醛化学反应动力学反应活化能
- 新型表面活性剂对低磨料铜化学机械抛光液性能的影响被引量：6
- 2014年
- 介绍了一种用于铜膜化学机械抛光的多元胺醇型非离子表面活性剂。研究了该表面活性剂对抛光液表面张力、黏度、粒径、抛光速率和抛光后铜的表面状态的影响。抛光液的基本组成和工艺条件为:SiO2 0.5%,H2O2 0.5%,FA/OII型螯合剂5%(以上均为体积分数),工作压力2 psi,抛头转速60 r/min,抛盘转速65 r/min,抛光液流量150 mL/min,抛光时间3 min,抛光温度21°C。结果表明,微量表面活性剂的加入能显著降低抛光液的表面张力并大幅提高抛光液的稳定性,但对静置24 h后抛光液黏度的影响不大。表面活性剂含量为0%～2%时,随其含量增大,化学机械抛光速率减小,抛光面的粗糙度降低。
- 李炎刘玉岭李洪波唐继英樊世燕闫辰奇张金
- 关键词：铜化学机械抛光非离子表面活性剂黏度
- 成膜剂硅溶胶的黏度对涂层性能的影响
- 2014年
- 涂层黏度实验证实,硅溶胶黏度越大,所制备涂层的附着力越大,耐腐蚀性能越强。通过对硅溶胶的物理化学性能研究可知,硅溶胶体积分数的增加会导致体系pH值的上升,当体积分数为10%时,pH值达到最大值9.91。当pH值为9.7时,硅溶胶的黏度最大且Zeta电位绝对值最大。根据硅溶胶体积分数和体系pH值的线性关系,得出硅溶胶最佳体积分数为9.074%。
- 李炎刘玉岭李洪波卜小峰唐继英樊世燕
- 关键词：硅溶胶黏度表面粗糙度
- 铜膜化学机械抛光工艺优化
- 2014年
- 对d为300mm blanket铜膜进行了低压低浓度化学机械抛光实验,分析了抛光工艺参数和抛光液组分对铜膜去除速率及其非均匀性的影响。通过实验表明,当抛光压力为13.780kPa,抛光液流量为175mL/min,抛光机转速为65r/min,0.5%磨料,0.5%氧化剂,7%鳌合剂,铜膜去除速率为1 120 nm/min,片内速率非均匀性为0.059,抛光后铜膜表面粗糙度大幅度下降,表面状态得到显著改善。
- 李炎刘玉岭李洪波樊世燕唐继英闫辰奇张金
- 关键词：化学机械抛光碱性抛光液磨料表面粗糙度
