李若凡
- 作品数：5 被引量：8H指数：2
- 供职机构：河北工业大学信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划中国人民解放军总装备部预研基金国防基础科研计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 电化学C-V法对载流子浓度纵向分布的精确测量
- 2007年
- 电化学C-V法是当前测量化合物半导体载流子浓度纵向分布的非常重要的方法。用电化学C-V测试仪对外高内低、有较大浓度梯度的外延样品进行载流子浓度纵向分布测量时发现,内层低载流子浓度区域测试结果误差较大,主要是由测试系统引起的,由此提出了一种对结果的修正算法。通过对MBE制作专用样品测量证实,用该方法可得到数据准确可靠的测试结果。
- 李若凡武一宾杨瑞霞马永强商耀辉牛晨亮
- 关键词：载流子浓度误差分析
- 4H-SiC(004)面双晶衍射摇摆曲线的分析被引量：3
- 2007年
- 用X射线双晶衍射法(XRD)对4H-SiC衬底和在该衬底上外延生长的4H-SiC单晶样品(004)面进行测试,在所有样品的测试结果中发现,摇摆曲线主峰左侧160″附近均出现傍肩,并且主峰衍射强度也较低。依据X射线衍射理论对系统射线在测试样品(004)面的衍射峰位展宽进行计算,并对4H-SiC原子结构进行了分析。研究结果证实,摇摆曲线中傍肩的存在与射线源中的Ka2射线参与衍射有关,而相对较低的衍射强度受其(004)面的特殊双层原子结构的影响。
- 马永强武一宾杨瑞霞齐国虎李若凡商耀辉陈昊牛晨亮
- 关键词：X射线双晶衍射摇摆曲线4H-SIC
- 用逆压电极化模型对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌现象的研究被引量：5
- 2008年
- 通过自洽求解一维Poisson-Schrdinger方程,模拟了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管在工作时等效外电场对AlGaN/GaN异质结沟道处二维电子气(2DEG)浓度的影响.分析了逆压电极化效应的作用,从正-逆压电极化现象出发,提出了逆压电极化模型.计算结果显示:逆压电极化明显影响2DEG性质,当Al组分x=0.3,AlGaN层厚度为20nm时,不考虑逆压电极化,2DEG浓度为1.53×1013cm-2;当等效外电压分别为10和15V时,2DEG浓度降低至1.04×1013cm-2和0.789×1013cm-2.用该模型解释了2DEG退化及电流崩塌现象产生的原因,并讨论了抑制电流崩塌的办法.
- 李若凡杨瑞霞武一宾张志国许娜颖马永强
- 关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管电流崩塌
- X射线在超晶格材料衍射中的相干性分析
- 2007年
- X射线双晶衍射仪系统中受参考晶体分辨率等因素的影响,X射线的相干长度不超过1μm。X射线在异质外延晶体材料内衍射时,不超过相干长度范围内厚度外延层中的衍射波会产生相干叠加,否则,产生非相干叠加。分子束外延(MBE)生长了短周期InGaAs/GaAs超晶格,在其摇摆曲线中观察到显示X射线在超晶格结构中衍射相干特征的多级卫星峰及Pendell song干涉条纹,并利用相干光理论对超晶格结构信息诸如周期及"0"级峰位置等进行了分析。
- 马永强武一宾杨瑞霞李若凡商耀辉牛晨亮卜夏正王建峰
- 关键词：超晶格分子束外延X射线双晶衍射相干长度
- 逆压电极化效应对AlGaN/GaN异质结2DEG特性的影响
- 2008年
- 从正-逆压电极化效应对GaN材料的影响出发，通过自洽求解一维Poisson-Schrtidinger方程，研究了逆压电极化效应对AlGaN／GaN异质结中2DEG浓度的影响。计算结果显示，逆压电极化明显影响2DEG性质，当Al组分x=0．3，AlGaN层厚度为20nm时，不考虑逆压电极化，2DEG浓度为1．53×10^13cm^-2；当等效外加电压分别为10和15v时，2DEG浓度降低至1．04×10^13cm^-2和0．789×10^13cm^-2，可见当等效外电压由0～15V变化时，2DEG浓度下降了48．4％。
- 李若凡武一宾马永强张志国杨瑞霞
- 关键词：氮化镓
