杨晓杰
- 作品数：11 被引量：44H指数：4
- 供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
- 发文基金：安徽省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学文化科学更多>>
- ZnO同质p-n结的研究
- ZnO是一种自激活宽禁带半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37eV,它的激子束缚能高达60meV,在制备蓝紫光和紫外光波段的发光二极管和激光二极管方面极具潜力。我们制备p-型和n-型ZnO薄膜采用的靶材分别是99.99%...
- 杨晓杰许小亮谢家纯徐传明徐军刘洪图
- 文献传递
- 以硅为衬底的ZnO p-n结的制备及其结构、光学和电学特性被引量：4
- 2004年
- 分别在n型半绝缘Si、弱n (n )以及强n (n+ )型Si片 (1 0 0 )面上用射频磁控反应溅射法和直流磁控反应溅射法制备了p型ZnO薄膜以及ZnO同质p n结。其中在生长p型ZnO时 ,反应室中通以过量的氧。对上述p型和n型ZnO薄膜进行了X射线衍射测量 ,在 34.1°附近得到了 0 .3°左右半峰全宽的ZnO(0 0 2 )衍射峰。ZnO薄膜的原子力显微镜图像上可见六角型的自组装结构。阴极射线荧光的测量显示了位于 390nm的紫外特征峰。用I V特性仪测量了上述ZnOp n结原型器件的I V电学输运曲线 ,其正向显示了约为 1 .1V的阈值 ,与日美科研人员用直流溅射和扩散法制备的ZnOp n结相似 。
- 许小亮杨晓杰谢家纯徐传明徐军刘洪图施朝淑
- 关键词：氧化锌P-N结硅电流-电压特性
- 物理实验中如何指导学生进行科研设计被引量：3
- 2003年
- 大学物理实验对于培养学生的科研素质起着非常重要的作用 ,它可以使学生能在接近于实际科研的实验中不断提高自身的科研能力。如在实验中 ,我们结合ZnO基薄膜的制备和特性这一具体的科研课题 ,充分发挥学生自身的创新能力。让学生以一个接近科技前沿的科研实验为题 ,由此了解和掌握科研的一般规律和方法 ,为其以后从事科学研究提供实践经验。
- 徐军许小亮徐传明何海燕杨晓杰刘洪图
- 关键词：大学物理实验高等教育
- ZnO同质p-n结的研究
- 调节反应气体中O2的比例和RF电源的功率可以增加本征施主VO的形成焓,降低本征受主VZn和Oi的形成焓, 制备出p型ZnO薄膜;采用掺杂金属Al制备出低电阻n型ZnO薄膜,在此基础上得到性能可观的ZnO同质p-n结。
- 杨晓杰许小亮谢家纯徐传明徐军刘洪图
- 关键词：ZNO薄膜P型
- 文献传递
- Si表面上生长的ZnO薄膜的阴极射线荧光被引量：13
- 2003年
- 几种不同温度下退火的用直流溅射法生长的ZnO/Si样品的阴极射线荧光(CL)光谱显示,当退火温度低于等于800℃时,随着退火温度的升高,薄膜的晶体质量得到了改善,这主要体现在390nm紫外带的发射强度与505nm绿带发射强度的相对比值迅速增加,同时也发生了绿带的红移以及窄化效应。但退火温度超过800℃时绿带就不再红移了,其峰位为525nm。当退火温度为950℃时,紫外带几乎消失,而只剩下绿带,且与纯硅酸锌样品的CL谱一致,掠入射X射线衍射测量表明,确有三角相三元化合物硅酸锌的产生。因此,从ZnO/Si异质结的质量来看,直流溅射法可能不适宜用于生长这样的异质结:因为当退火温度低于800℃且相差较大(如600℃)时,不能得到产生强ZnO紫外发光的晶体质量,而当退火温度接近或高于800℃时,虽然ZnO晶体质量得到了改善从而紫外发光份额迅速增加,但同时也产生了新的三元化合物硅酸锌,将严重影响ZnO/Si异质结的电学输运特性。
- 许小亮徐军徐传明杨晓杰郭常新施朝淑
- 关键词：ZNO薄膜硅衬底薄膜生长氧化锌薄膜高温退火
- 周期顺序蒸发工艺生长的Cu(In,Ga)Se_2薄膜结构被引量：8
- 2003年
- 采用新颖的周期顺序蒸发和真空硒化退火工艺生长出p型CuIn0 7Ga0 3 Se2 薄膜 .通过XPS谱、Raman谱、XRD谱分析了预生长层以及硒化后的CuIn0 7Ga0 3 Se2 薄膜 ,对四元化合物Cu(In ,Ga)Se2 的Raman谱进行了讨论 ,并观察到Ga对A1模式峰位的移动影响 ,同时发现薄膜倾向于沿 (112 )晶面生长 ,薄膜贫Cu会加剧 (2 2 0 ) / (2 0 4)表面自发分解成 { 112 }小晶面 .研究表明 ,薄膜具有良好的电学特性和结构特性 .
- 徐传明许小亮闵海军徐军杨晓杰黄文浩刘洪图
- 关键词：CIGS
- ZnO同质p-n结的研究
- 调节反应气体中O2的比例和RF电源的功率可以增加本征施主VO的形成焓,降低本征受主VZn和O1的形成焓,制备出p型ZnO薄膜;采用掺杂金属Al制备出低电阻n型ZnO薄膜,在此基础上得到性能可观的ZnO同质p-n结。
- 杨晓杰许小亮谢家纯徐传明徐军刘洪图
- 关键词：P型ZNO薄膜
- 文献传递
- Cu(In,Ga)_3Se_5薄膜结构的Raman研究被引量：2
- 2004年
- 讨论了 Ga含量对四元有序缺陷化合物 Cu(In,Ga) 3Se5薄膜的晶格振动模式的影响 ,室温下 Cu In3Se5与 Cu-Ga3Se5A1 模式峰位分别位于 15 3cm- 1 和 16 4 cm- 1 ,Ga含量的增加引起晶格扭曲系数以及阴离子 Se位移参数的增加 ,相应改变了 Cu- Se以及 In/ Ga- Se的键长及其键拉伸力学常数 ,从而影响了 A1
- 徐传明许小亮徐军杨晓杰左健党学明冯叶黄文浩刘洪图
- 关键词：晶格振动RAMAN散射
- ZnO同质pn结和ZnO微米棒阵列的研究
- 该文第一章综述了光电子技术的发展概况、同质结激光器的工作原理,半导体材料中的受激吸收、自发发射和受激发射在光电子器件中的应用及ZnO基蓝紫光LED与LD在全色显示、白光照明和超高密度、超大容量光存储等领域中潜在的应用价值...
- 杨晓杰
- 关键词：ZNO微米棒本征缺陷PL谱LD
- 文献传递
- Cu(In,Ga)3Se5薄膜的结构及其缺陷研究
- 2006年
- 讨论了Ga含量对四元有序缺陷化合物Cu(In,Ga)3Se5薄膜结构的影响.Ga含量的增加引起晶格扭曲系数η近似按抛物线形式增加,而其晶格常数a与c呈线性减小趋势,同时(112),(220)/(204)等主衍射峰的位置和强度呈现显著的改变.而样品厚度的改变会导致薄膜中存在不同的内应力,最终对薄膜的结构产生了显著影响.
- 徐传明许小亮谢家纯徐军杨晓杰冯叶黄文浩刘洪图
- 关键词：XRD
