林立
- 作品数：37 被引量：75H指数：4
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- 相关领域：一般工业技术化学工程理学建筑科学更多>>
- 基于活性炭复合物制备超洁净石墨烯的方法
- 本发明公开了一种基于活性炭复合物制备超洁净石墨烯的方法。所述活性炭复合物按照包括如下步骤的方法制备：活性炭粉末、粘结剂和极性溶剂混合形成浆料；将所述浆料涂于多孔状固体上即得。利用所述活性炭复合物制备超洁净石墨烯时，按照如...
- 刘忠范彭海琳孙禄钊张金灿林立贾开诚王可心
- 光刻胶辅助的石墨烯晶圆无损转移
- 2023年
- 为实现石墨烯在光通讯、光互联、太赫兹探测等电子和光电子领域的应用价值,需要在硅基衬底上得到大面积、均一且性能优异的石墨烯薄膜材料。而高品质石墨烯薄膜的制备衬底多为金属,因此制备的石墨烯薄膜不可避免地需要通过合适的转移方法,转移到目标应用衬底上。而转移过程通常会引入破损、褶皱和污染物,其原因之一是石墨烯转移和器件加工过程中表面反复涂覆和去除转移介质聚合物和光刻胶类聚合物。为避免反复涂覆与去除高分子聚合物,本文直接利用光刻胶作为转移介质,成功实现了石墨烯的洁净转移。同时,转移后石墨烯的电学性质得到明显改善,平均载流子迁移率可达6200 cm^(2)·V^(−1)·s^(−1)。此方法可实现石墨烯等二维材料无损、洁净转移和高性能器件的构筑,将有助于推动二维材料在电子、光电子器件领域的应用。
- 廖珺豪赵一萱胡兆宁补赛玉陆琪尚明鹏贾开诚裘晓辉谢芹林立林立
- 关键词：光刻胶载流子迁移率
- 一种高迁移率氮掺杂大单晶石墨烯薄膜及其制备方法
- 本发明公开了一种高迁移率氮掺杂大单晶石墨烯薄膜及其制备方法。氮掺杂大单晶石墨烯薄膜中氮原子以石墨型氮掺杂于石墨烯晶格中；氮原子的掺杂形式为簇状掺杂；至少3个氮原子与碳原子形成簇状结构镶嵌于石墨烯薄膜中。氮掺杂大单晶石墨烯...
- 刘忠范彭海琳林立孙禄钊张金灿
- 文献传递
- 耦合蝶形天线的石墨烯室温太赫兹探测器
- 2023年
- 高灵敏度、可室温下工作的太赫兹(THz)探测器是太赫兹在生物技术、量子传输、通信、成像等领域得以应用的关键。本文报道了一种石墨烯太赫兹探测器设计方法,该探测器通过将蝶形天线与石墨烯pn结构建至一个器件中,利用蝶形金属天线将波长为110 mm(2.7 THz)的太赫兹远场光汇聚至约800 nm的石墨烯THz吸收层,同时将这蝶形天线的两极设计为两个独立栅极,将800 nm的吸收层转变为可分离光电子的pn结区,通过增强局域光场增加太赫兹吸收,并同时增强光电子分离效率,将正交极化方向的消光比提升了1到2个数量级,在室温下实现了较低的噪声等效功率(NEP)~1 nW·Hz^(−1/2)。这一设计为太赫兹探测提供了新的技术路径。
- 杨嘉炜郑春阳庞亚会纪仲阳李雨芮胡嘉仪朱江瑞陆琪林立林立胡清梅刘忠范尹建波
- 关键词：石墨烯蝶形天线PN结
- 一种大单晶石墨烯及其制备方法
- 本发明涉及一种大单晶石墨烯及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：1)在还原性气氛下，对铜基底进行退火处理，得到退火处理后的铜基底；2)在三嗪衍生物蒸汽气氛下，对步骤1)中所述退火处理后的铜基底进行处理，得到三嗪衍生物处...
- 刘忠范林立彭海琳任华英
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- 一种同位素脉冲标定石墨烯生长速度的方法
- 本发明公开了一种同位素脉冲标定石墨烯生长速度的方法。该方法包括：将基底依次进行升温和退火后，在还原性气体和<Sup>12</Sup>C碳源气体中，进行石墨烯的生长，生长完毕后降温切断气源，得到石墨烯；其中，所述石墨烯的生...
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- 一种洁净转移制备高完整度悬空石墨烯的方法
- 本发明公开了一种石墨烯洁净转移制备高完整度悬空石墨烯薄膜的方法。该方法包括：将生长在生长基底上的二维材料与目标透射基底用低表面张力有机溶剂进行热压印后，刻蚀去除所述生长基底，再用置换液置换所述刻蚀步骤所用刻蚀液，完成所述...
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- 一种对衬底加电调控薄膜材料生长的装置
- 本发明公开了一种对衬底加电调控薄膜材料生长的装置。该装置为在现有的化学气相沉积反应装置的基础上增加衬底通电系统；所述衬底通电系统包括导电线路、金属极板、插头和电源；所述金属极板位于CVD反应腔内；所述插头和电源位于CVD...
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- 一种利用醋酸铜制备超洁净石墨烯的方法
- 本发明公开了一种利用醋酸铜制备超洁净石墨烯的方法。该方法包括如下步骤：按照气路由上游至下游的方向，依次间隔放置醋酸铜和铜基底，通入氢气进行化学气相沉积，沉积完毕得到所述超洁净石墨烯；所述醋酸铜所处温区的温度为醋酸铜的挥发...
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- 一种二氧化碳制备超洁净石墨烯的方法
- 本发明公开了一种二氧化碳制备超洁净石墨烯的方法。该方法包括如下步骤：将铜基底置于管式炉中，通入碳源气体和氢气进行化学气相沉积，沉积完毕后在另一加热温区通入二氧化碳进行处理，处理后即得到所述超洁净石墨烯。该制备方法简单，原...
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