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毛容伟

作品数:32 被引量:39H指数:4
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 16篇期刊文章
  • 9篇专利
  • 6篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 22篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 16篇调谐
  • 14篇可调
  • 14篇可调谐
  • 10篇滤波器
  • 9篇探测器
  • 9篇共振腔
  • 8篇调谐滤波器
  • 8篇可调谐滤波器
  • 6篇可调谐光滤波...
  • 6篇光滤波器
  • 5篇外延层
  • 5篇界面层
  • 5篇键合
  • 5篇硅基
  • 4篇热光效应
  • 4篇反射镜
  • 4篇SI基
  • 4篇FABRY-...
  • 3篇量子
  • 3篇量子点

机构

  • 32篇中国科学院
  • 1篇华南理工大学
  • 1篇北京化工厂

作者

  • 32篇毛容伟
  • 29篇左玉华
  • 26篇成步文
  • 21篇李传波
  • 18篇余金中
  • 16篇王启明
  • 14篇王启明
  • 13篇罗丽萍
  • 7篇黄昌俊
  • 7篇蔡晓
  • 6篇王良臣
  • 6篇高俊华
  • 4篇滕学公
  • 4篇白云霞
  • 4篇张建国
  • 3篇姜磊
  • 3篇于金中
  • 3篇马朝华
  • 3篇姚飞
  • 3篇薛春来

传媒

  • 8篇Journa...
  • 4篇光子学报
  • 4篇第十三届全国...
  • 2篇第十二届全国...
  • 1篇物理学报
  • 1篇光学学报
  • 1篇半导体光电
  • 1篇光子技术

年份

  • 1篇2010
  • 2篇2007
  • 5篇2006
  • 13篇2005
  • 4篇2004
  • 4篇2003
  • 3篇2002
32 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
宽频域的硅基微机械可调谐光滤波器的制作方法
一种宽频域的硅基微机械可调谐光滤波器的制作方法,包括如下步骤:在基片上制作第一电极,并且在电极层中制作电极引线引出孔;在第一电极上制作第一反射镜,是滤波器必备的反射镜之一;在第一反射镜上制作牺牲层,在牺牲层上制作第二反射...
左玉华毛容伟王良臣成步文余金中王启明
文献传递
微腔调制常温Ge量子点光致发光特性
2005年
报道了微腔对Ge量子点常温光致发光的调制特性.生长在SOI硅片上的Ge量子点的常温光致发光呈多峰分布,随波长增加,峰与峰之间的间隔增加.这种多峰结构与SOI硅片所形成的微腔有关,只有满足特定波长的光致发光才能透出腔体并被探测器搜集.模拟结果与实验结果吻合得很好,变功率实验也进一步证实了该结论.
李传波毛容伟左玉华成步文余金中王启明
关键词:微腔光致发光GE量子点调制
B在SiGe中的应变补偿作用被引量:1
2005年
用超高真空化学气相淀积方法生长出不同硼(B)掺杂浓度的应变SiGe合金材料,研究了B对SiGe合金的应变补偿作用.结果表明,B的掺入使SiGe的应变减小,B对Ge的应变补偿率为7.3,即平均掺入1个B原子可以补偿7.3个Ge原子引起的应变.同时获得B的晶格收缩系数为6.23×10-24cm3/atom.
成步文姚飞薛春来张建国李传波毛容伟左玉华罗丽萍王启明
关键词:SIGE掺杂
具有90nm调谐范围的1.3μm Si基MOEMS可调谐光滤波器(英文)被引量:1
2003年
利用表面微机械技术 ,成功制作了 1.3μm Si基 MOEMS可调谐光滤波器 .原型器件在 5 0 V的调谐电压下 ,调谐范围为 90 nm.该技术可以用于制作 1.3μm Si基可调谐光探测器 .
左玉华黄昌俊成步文蔡晓毛容伟李传波罗丽萍高俊华白云霞姜磊马朝华朱家廉王良臣余金中王启明
关键词:MOEMS可调谐滤波器
硅基1.55μm共振腔增强型探测器(英文)被引量:3
2005年
报道了一种利用硅乳胶作为键合介质的新型键合技术 .高反射率的SiO2 /Si反射镜预先用PECVD系统生长在硅片上 ,然后键合到InGaAs有源区上 ,键合温度为 35 0℃ ,无需特殊表面处理 ,反射镜的反射率可以高达 99 9%以上 ,制作工艺简单 ,价格便宜 .并获得硅基峰值响应波长为 1 5 4 μm ,量子效率达 2 2 6 %的窄带响应 ,峰值半高宽为 2 7nm .本方法有望用于工业生产 .
毛容伟左玉华李传波成步文滕学公罗丽萍张合顺于金中王启明
关键词:RCE探测器直接键合INGAAS
热光调谐滤波器的高温性能分析
2005年
研究了热处理对Si基热光Fabry-Perot(F-P)腔可调谐滤波器的影响,用原子力显微镜分析了高温热退火前后的器件表面变化.发现随着退火温度的升高,器件的透射峰发生蓝移,同时透射峰强度及DBR(distributed Braggreflector)反射率下降.透射峰蓝移是非晶硅和SiO2致密后折射率增大而厚度减小,最终导致DBR中心波长偏短所致;DBR反射率下降和透射峰强度的下降是高温下表面和界面变得起伏较大所致.
左玉华毛容伟李传波赵雷蔡晓成步文王启明
关键词:热光效应FABRY-PEROT可调谐滤波器
硅基1.55μm可调谐共振腔窄带光电探测器的研究被引量:3
2005年
制作了一种低成本硅基1.55μm可调谐共振腔增强型探测器.首次获得硅基长波长可调谐共振腔探测器的窄带响应,共振峰量子效率达44%,峰值半高宽为12.5nm,调谐范围14.5nm,并且获得1.8GHz的高频响应.本制作工艺不复杂,成本低,有望用于工业生产.
毛容伟成步文李传波左玉华滕学公罗丽萍余金中王启明
关键词:INGAAS可调谐高频响应
Si基长波长GeSiHPT探测器的研制
2002年
随着波分复用技术的发展,成本低廉,易与Si基微电子集成电路集成的长波长探测器越来越受到人们的重视。Si1-kGek/Si量子阱材料在1.3μm石英光纤波段有着明显的响应。但是由于SiGe材料间接带隙结构,吸收系数小,SiGe探测器的应用受到限制。由于(heterojunction phototransistor异质结光敏晶体管)HPT具有内部增益,SiGeHPT有望得到广泛应用。本文在国内首次报道了利用自己研制的UHV-CVD生长的SiGeHPT。在该结衍射和TEM进行表征,并且制作了原型器件,器件的光电流谱表明器件在5V偏压下在1.3μm波段响应度达1mA/W,光增益约为10。同时我们设计了SOR上面的RCEHPT,并进行光电响应模拟,模拟表明RCE HPT的量子效率可达8%,增加吸收区材料Ge组分到0.5,量子效率可提高到30%,半高度为1.5nm,适应光通讯的要求。
毛容伟李成成步文黄昌俊左玉华李传波罗丽萍滕学恭余金中王启明
关键词:锗化硅半导体光电探测器光通信
基于InP/空气隙分布布拉格反射镜的微机械可调谐光滤波器被引量:1
2006年
采用表面微机械技术制作了一种1 310 nm基于InP/空气隙分布布拉格反射镜的微机械可调谐Fabry-Perot光滤波器。该滤波器的通光孔直径约为70μm,在1.4 V的调谐电压下,调谐范围达到15 nm。并采用光学传输矩阵方法,分析了斜入射对这种可调谐光滤波器透射谱的峰值半高宽的影响。
侯识华孙捷毛容伟吴旭明马骁宇谭满清陈良惠
关键词:可调谐滤波器分布布拉格反射镜FABRY-PEROT
随机生长误差对双腔型平顶法布里珀罗滤波器的影响被引量:1
2006年
在光网络中平顶滤波器可以有效地提高信道光检测的快速性和准确性。利用两个法布里珀罗腔间的串联耦合,可以构建出具有平顶透射特性的双腔型法布里珀罗滤波器。采用传输矩阵的方法,研究了随机生长误差对双腔型平顶滤波器透射特性的影响。模拟分析表明,当两个法布里珀罗腔的物理厚度差超过一个纳米时,在透射谱中就会出现两个高度不同的透射峰;解释了实测器件的透射谱中的双峰不对称性;用界面起伏的概念解释了实测滤波器带宽大于理论值的原因。理论分析与实验结果取得了较好的一致。
蔡晓左玉华毛容伟王启明
关键词:光学器件法布里-珀罗腔传输矩阵
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