汪礼胜
- 作品数：18 被引量：36H指数：3
- 供职机构：武汉理工大学理学院更多>>
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- 相关领域：电子电信理学电气工程化学工程更多>>
- SiO_2纳米柱阵列太阳电池减反射层设计
- 2011年
- 采用严格耦合波理论和增强透射矩阵方法,对SiO2纳米柱阵列太阳电池减反射层进行了优化设计。设计的纳米柱阵列结构在300~1 200 nm波长范围内,可实现在太阳光0°~60°的入射范围内平均加权反射率接近1%。通过与以太阳光30°入射优化设计的新型纳米SiO2单层和SiO2/TiO2双层减反射膜相比,发现优化设计的SiO2纳米柱阵列减反射层结构在宽波段、宽入射角度范围内能更有效地减少光反射,从而提高太阳电池的转换效率、降低生产成本。
- 汪礼胜沈杨超陈凤翔王嘉赋
- 关键词：太阳电池严格耦合波理论
- α-In_(2)Se_(3)修饰的多层MoS_(2)记忆晶体管的光电协控阻变特性研究
- 2023年
- 记忆晶体管将忆阻器和场效应晶体管结合起来,这种结构能够引入多端口控制,对于丰富存储器的调控手段具有重要的意义。使用微机械剥离法依次转移了多层MoS_(2)和α-In_(2)Se_(3),搭建了以α-In_(2)Se_(3)作为修饰的MoS_(2)记忆晶体管,并对其在电场、光场和光电协同控制下的阻变特性进行了研究。实验结果表明,器件表现出单极性阻变特性并且能够在128个循环和104s的时间内保持良好的耐久性,器件受栅极电压和单色光照调控效果明显,在电场和光场的协同控制下可以实现开关比在1.8×10^(1)~4.2×10^(3)的范围内变化。其阻变机理可以归因于多层MoS_(2)中缺陷捕获载流子对肖特基势垒的调制和氧离子焦耳热梯度填补S空位对沟道电导的调制。
- 相韬陈凤翔李晓莉王小东闫誉玲汪礼胜
- 关键词：单极性
- 不同散射机理对Al_2O_3/In_xGa_(1-x)As nMOSFET反型沟道电子迁移率的影响
- 2013年
- 通过考虑体散射、界面电荷的库仑散射以及Al2O3/InxGa1-xAs界面粗糙散射等主要散射机理,建立了以Al2O3为栅介质InxGa1-xAsn沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管(nMOSFETs)反型沟道电子迁移率模型,模拟结果与实验数据有好的符合.利用该模型分析表明,在低至中等有效电场下,电子迁移率主要受界面电荷库仑散射的影响;而在强场下,电子迁移率则取决于界面粗糙度散射.降低界面态密度,减小Al2O3/InxGa1-xAs界面粗糙度,适当提高In含量并控制沟道掺杂在合适值是提高InGaAs nMOSFETs反型沟道电子迁移率的主要途径.
- 黄苑徐静平汪礼胜朱述炎
- 关键词：INGAASMOSFET散射机理
- 堆栈高k栅介质(In)GaAs MOS器件电子迁移率模型及界面特性研究
- 当MOSFET特征尺寸缩小到10纳米节点后，基于硅的CMOS技术将趋于理论极限，而高迁移率沟道材料（如Ge和III-V族半导体）最有可能替代应变硅沟道。其中，(In)GaAs化合物半导体具有高的电子迁移率，是实现超高速、...
- 汪礼胜
- 关键词：界面态密度电子迁移率
- 文献传递
- 表面等离子体激元增强薄膜太阳电池研究进展被引量：14
- 2011年
- 表面等离子体激元共振是金属纳米结构非常独特的光学特性,对基于表面等离子体激元共振的纳米结构体系的研究已形成了一门新兴的学科,即表面等离子体光子学。可以利用金属纳米颗粒光散射、近场增强以及高度局域的表面等离子体极化激元增强薄膜太阳电池光吸收,提高电池转换效率。当前,表面等离子体光子学应用于太阳电池的设计已成为国际上光伏研究迅猛发展的一个热点。文章主要介绍表面等离子体激元增强薄膜太阳电池光吸收的原理及其在光伏器件中应用的最新研究进展。
- 陈凤翔汪礼胜祝霁洺
- 关键词：表面等离子体激元薄膜太阳电池金属纳米颗粒
- 一种AlN/HfO<Sub>2</Sub>界面结构设计方法及装置
- 本发明提供了一种AlN/HfO<Sub>2</Sub>界面结构设计方法及装置，包括：建立AlN/HfO<Sub>2</Sub>的第一界面模型；对第一界面模型的界面结构进行优化，得到预设个数的第二界面模型；其中，每个第二界...
- 余念念叶锋宇汪礼胜王嘉赋
- 高k栅介质InGaAs MOSFET结构的设计与仿真
- 2014年
- 利用半导体仿真工具Silvaco TCAD,研究了高k栅介质InGaAs MOSFET的三种结构:缓冲层结构、侧墙结构和基本结构。通过对三种结构MOSFET的阈值电压、亚阈值摆幅以及漏源电流进行比较分析,得出缓冲层结构InGaAs MOSFET具有最佳的电学特性,侧墙结构的MOSFET次之。进一步分析发现,当缓冲层结构InGaAs MOSFET的沟道厚度大于80nm时,可获得稳定的电性能。
- 朱述炎叶青汪礼胜徐静平
- 关键词：MOSFETINGAAS高K栅介质
- 宽角度硅太阳电池减反射膜的优化设计被引量：6
- 2008年
- 以太阳电池减反射膜为研究对象,考虑太阳光从0°～60°宽角度入射,同时结合硅的光谱响应和太阳光谱分布,采用加权平均反射率作为评价膜系质量的标准,利用数值计算设计了的最佳双层减反射膜SiN_x/SiO_x。计算结果表明30°是设计减反射膜的最佳优化角度。对于入射介质为空气时,最优薄膜参数为n_(SiN_x)=2.3,d_(SiN_x)=56nm, n_(SiO_2)=1.46,d_(SiO_2)=90nm。当太阳电池封装后,即入射介质为硅胶时,最佳膜系参数为n_(SiN_x)=2.3,d_(SiN_x)=65nm,n_(SiO_x) =1.63nm,d_(SiO_x)=80nm。
- 陈凤翔汪礼胜
- 关键词：太阳电池减反射膜
- 脉冲光激励对少数载流子寿命的理论分析被引量：2
- 2007年
- 主要从理论上研究脉冲光信号激励对少数载流子寿命测试结果的影响.通过研究两种理想的脉冲光源——高斯脉冲、方脉冲与理想δ函数光源产生的光电导衰减曲线的对比,发现对于高斯脉冲光源,只有在脉宽的条件下才可等效于δ函数光源;而脉宽的方脉冲才能等效为δ函数光源.否则脉冲光过长的脉宽和下降沿将对光电导衰减曲线中进一步分离出的表面复合速度和少子体寿命结果造成误差.若样品受表面状况影响较小时(如体寿命较低或表面复合速度低时),则可对两种理想脉冲光源的要求适当放宽.
- 陈凤翔汪礼胜胡昌奎吴薇
- 关键词：少子寿命高斯脉冲
- 高k HfLaO栅介质MoS2晶体管的性能研究被引量：1
- 2020年
- 比较研究了HfO2与HfLaO栅介质多层MoS2场效应晶体管。实验结果表明,与HfO2栅介质MoS2晶体管相比,HfLaO栅介质MoS2晶体管表现出更优的电性能。电流开关比高达1×10^8,亚阈斜率低至76 mV/dec,界面态密度低至1.1×10^12 cm^-2·eV^-1,载流子场效应迁移率高达1×10^9 cm^2·V^-1·s^-1。性能改善的原因在于镧(La)对HfO2的掺杂形成HfLaO化合物,减小栅介质薄膜的表面粗糙度,降低缺陷电荷密度,改善了栅介质/沟道界面特性,从而减小了界面态密度,抑制了库仑散射和界面粗糙散射。最终,提高了多层MoS2晶体管的场效应迁移率,改善了晶体管的亚阈特性。
- 邹霁玥汪礼胜
- 关键词：高K栅介质
