洪文婷
- 作品数：13 被引量：0H指数：0
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- 相关领域：电子电信轻工技术与工程更多>>
- 硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管
- 2014年
- 硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管已经成为高速、低功耗纳米级器件的重要发展方向。首先,从气相-液相-固相生长和选择区域生长的角度,阐明了在硅衬底上无位错生长高晶体质量Ⅲ-Ⅴ族纳米线的机制。在此基础上,介绍了垂直结构和水平结构Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管的制备方法。研究表明,垂直结构纳米线容易实现高密度生长,而水平结构纳米线有利于逻辑栅的制作。通过比较垂直生长、水平生长、衬底转移和自上而下纳米加工技术制备Ⅲ-Ⅴ族纳米线的工艺优缺点,为水平结构Ⅲ-Ⅴ族纳米线在硅衬底上的大面积异构集成及其器件的制作提供了新的解决方案。
- 洪文婷韩伟华王昊吕奇峰杨富华
- 关键词：硅衬底
- 一种围栅无结纳米线晶体管的制备方法
- 本发明涉及晶体管的制备方法，特别涉及一种围栅无结纳米线晶体管的制备方法。采用MOCVD在III-V族材料上外延生长掺杂的纳米线阵列，并通过热剥离胶带和固定面板将纳米线转移，在硅基衬底上制备围栅结构的无结纳米线晶体管。本发...
- 马刘红韩伟华付英春洪文婷吕奇峰杨富华
- 文献传递
- SOI叉指结构衬底Ⅲ‑Ⅴ族材料沟道薄膜晶体管及制备方法
- 一种SOI叉指结构衬底的III‑V族材料沟道薄膜晶体管，包括：一SOI衬底，其顶层硅上的一侧包括一源区，另一侧为漏区，中间为叉指结构的硅亚微米线；一绝缘介质层制作在该源区和漏区的表面，该源区和漏区上的绝缘介质层上分别开有...
- 吕奇峰韩伟华洪文婷杨富华
- 文献传递
- 基于SOI衬底的横向纳米线叉指结构晶体管及制备方法
- 一种基于SOI衬底的横向纳米线叉指结构晶体管，包括：一SOI衬底；一源区、一漏区和多根硅纳米线，该多根硅纳米线位于SOI衬底的顶层硅上，交替连接该源区和漏区并形成叉指结构；多根III-V族纳米线桥接在多根硅纳米线的侧壁硅...
- 洪文婷韩伟华吕奇峰杨富华
- 纳米孔与金属颗粒复合陷光结构太阳能电池及制备方法
- 一种纳米孔与金属颗粒复合陷光结构太阳能电池及制备方法，其中太阳能电池，包括：一P型硅基材料薄膜；一N+型硅纳米孔二维阵列层，其制作在P型硅基材料薄膜的上表面，该N+型硅纳米孔二维阵列层上有纳米孔；Ti/Pd/Ag条形欧姆...
- 陈燕坤韩伟华洪文婷杨富华
- 文献传递
- 硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法
- 本发明提供了一种硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法。该硅基横向纳米线多面栅晶体管通过化学腐蚀形成相对的两具有硅(111)晶面的端面，在该相对的两硅(111)晶面之间实现了III-V材料纳米线横向生长并形成桥接结构，从...
- 韩伟华王昊马刘红洪文婷杨晓光杨涛杨富华
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- 基于硅基图形衬底的Ⅲ-Ⅴ族材料异质生长
- 2015年
- 介绍了基于硅基图形衬底的Ⅲ-Ⅴ族材料异质生长的方法,主要包括选区生长Ⅲ-Ⅴ族纳米线和微通道外延薄膜。选区生长Ⅲ-Ⅴ族纳米线可以有效控制Ⅲ-Ⅴ族纳米线的直径,并控制位错扩散,从而可以在硅衬底上生长出高晶体质量的Ⅲ-Ⅴ族材料。同时,微沟道外延可以将位错限制在外延材料中极小范围内,保证外延材料的器件层晶体质量良好。微沟道外延分为两种形式:垂直生长和横向生长,原理分别是高深宽比陷阱和横向过生长。通过这两种生长形式,可以分别制备纳米条及纳米薄膜。硅基图形衬底的设计为Ⅲ-Ⅴ族材料在硅基衬底上集成提供了有效的途径,势必成为Ⅲ-Ⅴ族材料和硅异质集成的主流方法之一。
- 吕奇峰洪文婷马刘红王昊韩伟华杨富华
- 基于SOI衬底的横向纳米线叉指结构晶体管及制备方法
- 一种基于SOI衬底的横向纳米线叉指结构晶体管，包括：一SOI衬底；一源区、一漏区和多根硅纳米线，该多根硅纳米线位于SOI衬底的顶层硅上，交替连接该源区和漏区并形成叉指结构；多根III‑V族纳米线桥接在多根硅纳米线的侧壁硅...
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- 硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法
- 本发明提供了一种硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法。该硅基横向纳米线多面栅晶体管通过化学腐蚀形成相对的两具有硅(111)晶面的端面，在该相对的两硅(111)晶面之间实现了III-V材料纳米线横向生长并形成桥接结构，从...
- 韩伟华王昊马刘红洪文婷杨晓光杨涛杨富华
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- 硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法
- 本发明提供了一种硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法。该方法包括：步骤A，在(110)晶面SOI衬底的顶硅薄层上制备整段硅纳米线；步骤B，去除整段硅纳米线的中段部分，在保留的左段硅纳米线和右段硅纳米线朝向内侧的端...
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