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熊飞克

作品数：7 被引量：6H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 3篇导体
  • 3篇量子
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体量子阱
  • 2篇实用化
  • 2篇可见光
  • 2篇可见光激光器
  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 2篇INP
  • 1篇低压
  • 1篇电器件
  • 1篇调制器
  • 1篇多量子阱
  • 1篇砷化镓
  • 1篇镓铝砷
  • 1篇量子尺寸效应
  • 1篇量子阱材料
  • 1篇光电
  • 1篇光电器件

机构

  • 7篇中国科学院

作者

  • 7篇熊飞克
  • 3篇马骁宇
  • 3篇陈良惠
  • 3篇郭良
  • 3篇王树堂
  • 2篇李晶
  • 2篇万寿科
  • 2篇徐俊英
  • 1篇杨志鸿
  • 1篇曾靖
  • 1篇王丽明
  • 1篇王玉田
  • 1篇段树坤
  • 1篇梁骏吾
  • 1篇江德生
  • 1篇朱龙德
  • 1篇高文智
  • 1篇钱家骏
  • 1篇李学斌
  • 1篇王仲明

传媒

  • 5篇Journa...
  • 1篇高技术通讯

年份

  • 1篇1997
  • 2篇1996
  • 1篇1995
  • 2篇1993
  • 1篇1991
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
异形量子阱中电致吸收和电致折射变化及其在光电器件中应用的研究与高效半导体量子阱光调制器的研制
熊飞克
关键词：光调制器半导体光电器件
低压MOCVD生长的InGaAs/InP量子阱的光致发光谱线线宽及量子尺寸效应的测量分析
1993年
用低压MOCVD方法生长了InGaAs/InP单量子阱及多量子阱结构。用低温光致发光方法研究了量子阱样品因量子尺寸效应引起的激子能量移动以及激子谱线线宽同量子阱阱宽的关系,7A阱宽的激子能量移动达370meV。选取Q_c=△E_c/△E_g=0.4,采用修正后的Kronig-Penny模型,考虑能带的非抛物线性,拟合了激子能量移动和阱宽的关系曲线。用有效晶体近似方法(VCA)分析了激子尺寸范围内界面不平整度以及合金组分无序对激子谱线线宽的影响。以界面不平整度参量δ_1和δ_2,合金组分元序参量r_c为拟合参数,拟合了激子线宽对阱宽的关系曲线。取δ_1=2.93A,δ_2=100A,r_c=3ML,理论拟合值与实验值符合较好。
陈德勇朱龙德李晶熊飞克徐俊英万寿科梁骏吾
关键词：INGAAS/INP
实用化GaInP－AlGaInP半导体量子阱可见光激光器
1996年
用低压ＭＯＶＰＥ方法研制出了波长为６５５ｎｍ与６７０ｎｍ的ＧａＩｎＰ－ＡｌＧａＩｎＰ半导体量子阱可见光激光器，并已形成一定的批量生产能力。器件的阈值电流典型值为４５ｍＡ，输出光功率不小于５ｍＷ，最高工作温度不低于５０℃，预计２０℃时寿命接近１００，０００小时，主要技术指标与目前进口的同类产品水平相当，完全可以满足实用要求。
熊飞克郭良马骁宇杨志鸿王树堂陈良惠
关键词：半导体激光器GAINPALGAINP
高性能实用化GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见光激光器被引量：4
1997年
用低压MOVPE方法研制出了波长为650nm与670nm的GaInP－AlGaInP半导体量子阱可见光激光器，并已形成一定批量生产能力，批量生产的670nm与650nm半导体量子阱可见光激光器的阈值电流典型值为35mA，额定输出光功率不小于5mw，标称工作温度不低于50℃，预计20℃时寿命接近100000小时，主要技术指标达到目前进口同类产品水平，完全可以满足实用要求。
熊飞克郭良马骁宇王树堂陈良惠
关键词：激光器半导体激光器可见光
GaAs／GaAlAs多量子阱CCTS结构双稳态激光器的实验研究
1995年
本文报道了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ多量子阱（ＭＱＷ）双区共腔（ＣＣＴＳ）结构的双稳态激光器．该器件利用多次离子注入形成电隔离很好的双电极结构，吸收区上加上一定反偏电压时得到了双稳特性，观察到了器件工作于双稳态时对光谱边模的显著抑制．
熊飞克高文智吴荣汉王启明
关键词：多量子阱砷化镓镓铝砷
低压MOCVD外延生长InGaAsP／InP应变量子阱材料与器件应用
1996年
本文报道用低压有机金属化合物化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）外延生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变量子阶材料，材料参数与外延条件的关系，量子阱器件的结构设计及其器件应用．用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于４００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值７～１２ｍＡ的１．３μｍ量子阱激光器和宽接触阈值电流密度小于６００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值９～１５ｍＡ的１．５５μｍ量子阶激光器以及高功率１．３μｍ量子阱发光二极管和ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电探测器．
马骁宇王树堂熊飞克郭良王仲明曾靖王丽明陈良惠
关键词：MOCVDINGAASPINP
LP-MOVPE Ga_(1-x)In_xAs/InP量子阱结构材料被引量：2
1991年
本文报道用低压金属有机化合物汽相外延(LP-MOVPE) 的方法生长了晶格匹配的Ga_(1-x)In_4As/InP 量子阱结构材料.X光双晶衍射和透射电子显微镜测量表明多量子阱结构的周期性和界面质量较好、光致发光和光吸收谱的测量都观测到因量子尺寸效应导致的带间跃迁向高能方向的移动.
段树坤熊飞克李学斌李晶王玉田江德生徐俊英万寿科钱家骏
关键词：量子阱材料
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