王志红
- 作品数:71 被引量:80H指数:5
- 供职机构:电子科技大学更多>>
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- 相关领域:电子电信一般工业技术理学机械工程更多>>
- 倾斜溅射制备TbFe薄膜的磁力显微镜研究
- 磁力显微镜(MFM)作为研究表面磁结构的有力工具广泛地应用于磁性薄膜的研究中,TbFe磁致伸缩薄膜在实际应用中要求易磁化轴平行于膜面,以具有较低的面内饱和场H<,s>,传统的成膜技术难以实现这一目标,采用倾斜溅射方法制备...
- 陈琨王志红张金平周宇
- 关键词:磁力显微镜
- 文献传递
- 磁力显微镜中磁力信号对形貌像干扰的研究
- 使用磁力显微镜(MFM)对硬磁盘、磁带以及TbFe非晶薄膜等硬磁材料进行检测磁力信号的过程中。由于针尖的磁化方向发生偏转以及仪器参数的不恰当设置,都容易使磁力信号和表面微结构信号间产生干扰。目前国内外文献中很少对干扰的消...
- 陈琨王志红
- 文献传递
- PT/PZT/PT铁电薄膜的铁电畴和畴壁被引量:5
- 2006年
- 用sol-gel法制备出了具有良好铁电性、纯钙钛矿结构的PbTiO3/Pb(Zr0·3Ti0·7)O3/PbTiO3(PT/PZT/PT)新型夹心结构铁电薄膜.用扫描力显微镜(SFM)的压电响应模式获得了薄膜铁电畴的垂直于膜平面方向(OPP)、膜平面内(IPP)及OPP的相位和幅度图像,结合理论分析指出薄膜的电畴主要由c畴和偏离垂直于膜平面方向上的c畴构成,薄膜取向的复杂性导致了复杂的畴结构.对于[111]取向的薄膜,当偏离垂直于膜平面方向上的c畴在垂直膜平面方向和面内方向都相反时构成180°的畴壁,在垂直膜平面方向上相同、面内方向相反或由垂直膜平面方向上相反、面内方向相同时构成90°畴壁.
- 王龙海于军刘锋郑朝丹李佳王耘波高峻雄王志红曾慧中赵素玲
- 关键词:铁电薄膜
- 一种金属氮化物复合锂金属负极材料及其制备方法
- 本发明公开了一种金属氮化物复合金属锂负极材料及其制备方法,属于锂电池负极材料领域。本发明通过热处理使金属氮化物与金属锂发生置换反应,从而形成稳定的且具备良好电子电导、离子电导的锂金属表面保护层。这种改性方法保持了锂负极容...
- 阮瑾李晶泽王志红
- 用于扫描探针显微镜的薄膜断面定位方法
- 用于扫描探针显微镜的薄膜断面定位方法,属于电子仪器测试技术领域,包括薄膜断面的制备、电路连接、光学粗定位、线扫描、电极电流峰值检测或电极电势峰值检测等步骤。其实质是利用构成薄膜断面的两种材料(薄膜和电极)的不同电学特性(...
- 曾慧中王志红李言荣沈健
- 文献传递
- GaN表面缺陷的原子力显微镜表征
- GaN作为一种重要的Ⅲ-V族宽禁带化合物半导体材料,被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料,具有优良稳定的物理及化学性质,已成为研究和应用的热点。本文采用XRD...
- 王志红孙浩明黄铭钢任志强曾慧中李言荣
- 关键词:半导体材料原子力显微镜
- 文献传递
- 利用磁力显微镜研究倾斜溅射对TbFe薄膜磁性能的影响被引量:2
- 2005年
- 磁力显微镜(MFM)作为研究表面磁结构的有力工具已广泛应用于磁性薄膜的研究。TbFe磁致伸缩薄膜在实际应用中要求易磁化轴平行于膜面,以获得较低的面内饱和场Hs。传统的成膜技术难以实现这一目标,采用倾斜溅射方法制备TbFe薄膜可有效降低面内饱和场Hs。通过测量样品的磁滞回线可以发现,易磁化轴随着溅射角度的增加逐渐偏离样品的法线方向,而取向于平行膜面。本研究工作利用MFM研究了不同溅射角度得到的TbFe薄膜的磁畴结构。发现薄膜的磁畴结构随着溅射角度的增加逐渐由垂直畴转化为水平畴,与磁滞回线测量得到的易磁化轴方向发生偏转的结果相吻合。
- 陈琨王志红张金平周宇
- 关键词:磁力显微镜易磁化轴磁致伸缩薄膜磁滞回线测量射角MFM
- 一种磁力显微镜磁性探针磁化器
- 本发明提供的一种磁力显微镜磁性探针磁化器,它包括螺杆(4)、磁化器基座(3),螺杆(4)的中心是一端开口、另一端封闭的凹槽(9);磁化器基座(3)上有一观察槽(7)。强磁体(5)放置于螺杆(4)中的凹槽(9)中,螺杆(4...
- 王志红陈琨
- 文献传递
- (111)取向(Pb,La)TiO_3铁电薄膜中90°纳米带状畴与热释电性能的研究被引量:4
- 2006年
- 采用射频磁控溅射技术在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上生长了掺镧钛酸铅(PLT)铁电薄膜.用X射线衍射技术(XRD)研究了PLT薄膜结晶性能,结果表明PLT薄膜为(111)择优取向钙钛矿相织构.使用原子力显微镜(AFM)和压电响应力显微镜(PFM)分别观察了PLT薄膜的表面形貌和对应区域的电畴结构.PFM观察显示PLT薄膜中存在90°纳米带状畴,电畴的极化为首尾相接的低能量的排列方式,带状畴的宽度为20—60nm.研究了PLT10铁电薄膜的制备条件与性能之间的关系.发现在优化条件下制备的PLT10铁电薄膜的介电常数εr为365、介电损耗tgδ为0.02,热释电系数γ为2.18×10-8C.(cm2.K)-1,可以满足制备非制冷红外探测器的需要.
- 刘洪蒲朝辉龚小刚王志红黄惠东李言荣肖定全朱建国
- 关键词:电畴PFM极化
- 利用MFM研究薄膜厚度对Co_(60)Fe_(20)B_(20)薄膜磁畴结构的影响被引量:4
- 2006年
- 本文利用磁力显微镜(MFM)主要研究了由磁控溅射法制备的Co60Fe20B20软磁薄膜的厚度变化(2.5nm^400nm)对薄膜磁畴结构的影响。在室温下观察到垂直各向异性随薄膜厚度的增大而增大。从薄膜的表面形貌像观察到在溅射过程中薄膜温度随薄膜厚度增大而升高。当薄膜厚度小于20nm时,磁畴尺寸随薄膜厚度的增大而增大;当薄膜厚度大于20nm时,磁畴尺寸随薄膜厚度的增大而减小;厚度在20nm附近时,畴壁尺寸达到一个最小值。
- 沈博侃王志红钟智勇曾慧中
- 关键词:磁畴薄膜厚度