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王英华

作品数:21 被引量:148H指数:5
供职机构:清华大学材料科学与工程系更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 19篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 5篇理学
  • 4篇金属学及工艺
  • 4篇一般工业技术
  • 3篇化学工程

主题

  • 6篇溅射
  • 5篇氧化锆
  • 5篇ZRO
  • 3篇陶瓷
  • 3篇二氧化锆
  • 3篇封装
  • 3篇SIC薄膜
  • 2篇电路
  • 2篇电子封装
  • 2篇乙烯
  • 2篇射频溅射
  • 2篇丝网印刷
  • 2篇四氟乙烯
  • 2篇钎料
  • 2篇钎料组织
  • 2篇相结构
  • 2篇离子束
  • 2篇离子束溅射
  • 2篇离子束溅射沉...
  • 2篇聚四氟乙烯

机构

  • 21篇清华大学
  • 2篇中航工业北京...
  • 1篇北京联合大学
  • 1篇名古屋大学

作者

  • 21篇王英华
  • 10篇李恒德
  • 6篇田民波
  • 6篇梁彤翔
  • 5篇王立铎
  • 4篇汤海鹏
  • 4篇孙文珍
  • 3篇李文治
  • 3篇李晓萍
  • 2篇毛唯
  • 2篇贺小明
  • 1篇张志龄
  • 1篇张秉忠
  • 1篇杨冰
  • 1篇朱钧国
  • 1篇廉慧珍
  • 1篇何卫
  • 1篇彭新立
  • 1篇何建立
  • 1篇潘晖

传媒

  • 2篇金属学报
  • 2篇硅酸盐学报
  • 2篇真空科学与技...
  • 2篇材料科学进展
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇传感器技术
  • 1篇半导体技术
  • 1篇科学通报
  • 1篇Journa...
  • 1篇化工学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇稀有金属
  • 1篇材料工程
  • 1篇建筑材料学报
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇第九届材料科...

年份

  • 2篇2004
  • 1篇2001
  • 2篇1998
  • 3篇1997
  • 3篇1996
  • 2篇1994
  • 3篇1993
  • 4篇1989
  • 1篇1987
21 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
晶粒度对ZrO_2薄膜相结构的影响
1994年
ZrO_2薄膜由射频反应溅射法生成。靶材为高纯Zr。利用透射电镜与背散射分析研究了薄膜的微观结构、相和化学剂量比与溅射氧分压和基片温度之间的关系。当薄膜在不同的条件下沉积时,获得不同晶粒度的三个相──非晶相、立方相和单斜相。O/Zr比对相结构几乎没影响。
王英华李晓萍
关键词:二氧化锆晶粒度相结构
溅射SiC薄膜的XPS分析被引量:5
1989年
用 XPS 技术对射频溅射 SiC 薄膜的结构特征进行了分析。测定了以 Si(2p)和 C(1s)峰的相对移动定义的化学位移和谱中等离子体激元损失峰的特征损失能量。测定的结果揭示了该薄膜的结构特点,从而对其化学键的性质、成分和缺陷有了进一步的认识。
汤海鹏王英华田民波李恒德
关键词:SIC射频溅射XPS分析
陶瓷金属化中的化学反应及热力学考虑被引量:3
1994年
微电子技术中基板的金属化是为了安装IC芯片和布线,应用较广泛的金属化方法是厚膜技术.厚膜金属化是一个复杂的物理化学过程,厚膜的附着主要通过玻璃结合和反应结合两种方法来实现.要提高厚膜的附着力和电性能等.必须考虑化学反应的热力学,选择合适的导体浆料,主要是玻璃料和活性粘合剂,有效地控制金属化层与陶瓷的界面.玻璃结合与反应结合的结合是提高厚膜质量的有效手段.
梁彤翔田民波何卫王英华李恒德
关键词:陶瓷金属化微电子技术
ZrO_2薄膜的相结构与相稳定性
1993年
采用纯 Zr、添 Y_2O_3的 ZrO_2和添 MgO 的 ZrO_2为靶材,以射频溅射方法生成 ZrO_2薄膜。研究了这三个系列薄膜的物相结构,以及退火和研磨对物相结构的影响。研究表明,ZrO_2薄膜为单斜相,Y-ZrO_2和 Mg-ZrO_2薄膜为单斜相和正方相,且以正方相为主。它们的退火规律也各不相同,这与稳定剂的加入与性质有关。同时研磨并未诱导正方相向单斜相的转变。
王英华李晓萍
关键词:相结构二氧化锆稳定性
SiC薄膜热敏电阻器及温度传感器被引量:1
1989年
利用射频溅射法用烧结多晶碳化硅靶制取了SiC薄膜热敏电阻器;研究并分析了SiC薄膜从非晶态到晶态的转变过程及有关现象;制取了SiC薄膜温度传感器;对非晶态及晶态SiC薄膜温度传感器的电学性能、热稳定性及热敏特性进行了对比和研究。
田民波王英华汤海鹏
关键词:SIC薄膜热敏电阻器温度传感器
射频溅射制取SiC薄膜被引量:2
1989年
用烧结多晶碳化硅靶采用射频溅射制取了SiC薄膜;通过加热基片和镀后的高温退火实现了SiC薄膜从非晶态到晶态的转变;利用AES、XPS、TEM、IR、UPS等对SiC薄膜的成分、结构、形貌、结合状态进行了分析;研究并分析了SiC薄膜从非晶态到晶态的转变过程及有关现象;制取了SiC薄膜温度传感器;对非晶态及晶态SiC薄膜温度传感器的电学性能、热稳定性及热敏特性进行了对比和研究。
田民波王英华汤海鹏
关键词:射频溅射基片温度晶态吸收边等离子体激元
表面张力与丝网印刷精度被引量:4
1996年
随着大规模集成电路的发展,高密度封装技术越来越受到人们的重视。厚膜金属化布线是封装的一个重要形式,提高封装密度要求减小布线宽度,提高丝网印刷精度,实现微细布线。 丝网印刷对厚膜浆料有着一对相互矛盾的要求,一方面从形成的厚膜和线条外观质量考虑,要求浆料具有好的流动性以消除线条上的丝网痕迹,得到表面和边缘光滑的布线;另一方面从线条分辨率考虑,希望提高浆料粘度,降低流动性,否则浆料易于向外扩展导致图形分辨率的降低,并造成线条的短路。目前实现微细布线广泛使用的方法是提高厚膜浆料的触变性,并加入表面活性剂改善浆料的流动性。
梁彤翔孙文珍王立铎田民波王英华李恒德
关键词:丝网印刷集成电路封装
仿生材料的研究现状被引量:32
1996年
简要地介绍了贝壳珍珠层天然生物材料的结构特征,进而综述了仿生材料的研究现状。
王立铎孙文珍梁彤翔王英华李恒德
关键词:仿生材料贝壳珍珠层层状结构
钛箔活性金属法连接氧化锆陶瓷和不锈钢时ZrO_2/Ti结合界面的反应行为被引量:2
1997年
用XRD、EPMA,IMA,XPS,AES等测试手段,对使用钛箔活性金属法连接氧化锆陶瓷和不锈钢时结合界面的反应行为进行了研究结果表明:ZrO2中的O同界面附近的Ti发生反应生成TiO反应相。同时,结合界面附近的ZrO2引起变质现象,其变质层中O的含量降低。
王立铎王英华李文治李恒德沖猛雄
关键词:氧化锆不锈钢
Ti_3Al对TiCu15Ni15钎料组织的影响被引量:5
2004年
分别以 0 %,2 5 %,5 0 %,75 %,10 0 %比例的Ti3Al替换TiCu15Ni15中Ti,对所得的钎料进行组织形貌及成分分析。研究结果表明 :钎料合金由先结晶低Cu ,Ni含量相和后结晶的高Cu ,Ni含量相组成 ,随Ti3Al增加。低Cu ,Ni含量相减少 ,高Cu ,Ni含量相增加 ,同时由于Nb含量增加 ,背散射图像发生变化 ,先结晶相由灰色逐渐变为亮白色 ,后结晶相成分偏析增加 ,先结晶高Nb相为灰色 ,后结晶低Nb相为黑色 ,至 5 #合金形态发生显著变化 ,灰色相由块团状变为短条或片状 ,其中央为白色边缘为灰色 ,这将引起性能变化。
潘晖毛唯王英华
关键词:钎料TI3AL
共3页<123>
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