石礼伟
- 作品数：52 被引量：101H指数：6
- 供职机构：中国矿业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国矿业大学课程建设与教学改革项目江苏省高等教育教改立项研究课题更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术文化科学更多>>
- 磁控共溅射SiC纳米颗粒/SiO_2基质镶嵌结构薄膜材料的微结构和光致发光特性被引量：4
- 2005年
- 采用二氧化硅/碳化硅复合靶,用射频磁控共溅射技术和后高温退火的方法在Si(111)衬底上制备了碳化硅纳米颗粒/二氧化硅基质(nc-SiC/SiO2)镶嵌结构薄膜材料,用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)实验分析了薄膜的微结构以及光致发光特性。结果表明:样品薄膜经高温退火后,部分无定形SiC发生晶化,形成β-SiC纳米颗粒而较均匀地镶嵌在SiO2基质中。以280nm波长光激发薄膜表面,有较强的365nm的紫外光发射以及458nm和490nm处的蓝光发射,其发光强度随退火温度的升高显著增强,发光归结为薄膜中与Si-O相关的缺陷形成的发光中心。
- 石礼伟李玉国王强薛成山庄惠照
- 关键词：磁控共溅射微观结构光致发光
- 碳化硅宽带隙半导体材料生长技术及应用(英文)被引量：1
- 2003年
- 概括了宽带隙半导体材料碳化硅的主要特性及生长方法,介绍了其在微电子及光电子领域的应用,并对其发展动态及存在问题进行了简要评述。
- 王强李玉国石礼伟孙海波
- 关键词：碳化硅宽带隙半导体材料光电子学微电子
- 利用磁控溅射及热氧化制备ZnO纳米棒及其光致发光特性被引量：3
- 2005年
- 在Si(111)衬底上热氧化射频磁控溅射金属锌并经退火处理后,成功制备出ZnO纳米棒。用XRD,SEM和TEM对样品的晶体结构、表面形貌进行了研究。经PL谱分析表明,在波长为280 nm的光激发下,在372 nm处有强近带边紫外光发射和516 nm处的较微弱深能级绿光发射。
- 李玉国薛成山庄惠照石礼伟张洁珊曹玉萍孙钦军
- 关键词：纳米棒磁控溅射热氧化光致发光
- 电泳法制备ZnO/SiO_2复合薄膜
- 2006年
- 用电泳法在硅衬底上沉积了ZnO/SiO2复合薄膜,然后在650℃和950℃退火热处理30 min。测试结果表明,样品经650℃退火后,复合薄膜ZnO和SiO2微晶颗粒集结成块状,结晶程度较高,颗粒尺寸较大,不连续的散落在硅衬底上。经950℃退火后,其中ZnO和SiO2发生反应生成少量的ZnSiO4微晶颗粒,使复合薄膜在室温下的绿色发光强度有所增加。
- 李忠石礼伟薛成山李玉国
- 关键词：电子技术电泳法光致发光
- 大学物理实验绪论课的教学思考被引量：2
- 2014年
- 绪论课的教学效果直接影响着大学物理实验课程的教学质量,本文从激发学生兴趣、开展分散式教学、优化教学手段和强调科学计算软件的应用等方面提出了提高绪论课教学效果的几点建议。
- 仇亮段益峰石礼伟
- 关键词：大学物理实验绪论课
- 用方位径向摆演示李萨如图形的研究被引量：2
- 2019年
- 通过对方位径向摆的弹性杆和摆球的固有振动频率进行分析,利用相机曝光方法研究了摆球李萨如图形.分析了摆线长度、初始释放角度、摆球质量等因素对摆球运行轨迹的影响,理论和实验符合较好.
- 周渝涵梁汉普李川南石礼伟
- 关键词：简谐振动
- SiC//SiO/_2纳米复合薄膜和低维ZnO纳米结构的制备及其特性研究
- 碳化硅/(SiC/)是宽禁带半导体材料,由于其在蓝绿色发光二极管和紫外光电探测器等光电器件方面具有潜在的应用能力,近年来得到了广泛的研究。但由于SiC 的间接禁带特性,只能在低温下获得SiC 在480nm处的微弱蓝光,用...
- 石礼伟
- 文献传递
- 一种简单稳定的制备微纳米空心铜的方法
- 一种简单稳定的制备微纳米空心铜的方法，属于制备空心铜的方法。步骤：(1)将硫酸铜溶入水中，放入水浴锅中加热；(2)将聚乙烯吡咯烷酮加入上述溶液中，搅拌；(3)将氢氧化钠加入水，配成氢氧化钠的水溶液，然后加入步骤(2)所述...
- 吴玲寻之朋张伦石礼伟于桂丽
- 文献传递
- 小班研讨式教学在线演示互动平台的搭建及应用——以多缝衍射的Geogebra模拟演示为例
- 2023年
- 以光线通过单个及多个狭缝产生的衍射现象这一相关教学知识点的GeoGebra动态演示为案例,介绍了在线演示及互动探索平台的建立方法以及在小班研讨式教学实践中的应用.案例通过一幅图动态展示了各相关物理参量对干涉及衍射结果的影响,不仅能在课堂教学过程中起到很好的辅助作用,而且为学生自主探索隐藏在物理公式后的规律及真相提供了一种易学易用的方法.在线演示及互动探索平台的建立成本低、方法易、效果好,具有很高的应用推广价值.
- 王洪涛石礼伟李艳
- 氧化锌纳米结构的制备及其生长机理被引量：3
- 2007年
- 将利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上沉积的锌膜进行热氧化后,得到一维ZnO纳米棒。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电镜(TEM)研究了ZnO纳米棒的结构及表面形貌。实验结果表明上述ZnO纳米棒具有六角纤锌矿结构。金属Zn从SiO2基质中析出和O2发生反应在薄膜表面形成低维ZnO纳米棒。讨论了退火温度及退火时间对ZnO纳米棒形成的影响,并对其生长机制作了初步的探讨。
- 李玉国张秋霞王建波石礼伟
- 关键词：磁控溅射纳米线热氧化退火
