章勇
- 作品数：134 被引量：216H指数：8
- 供职机构：华南师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金广东省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 一种MoS<Sub>2</Sub>量子点的制备方法
- 本发明提供一种MoS<Sub>2</Sub>量子点的制备方法，包括如下步骤：1)配制含有2～6g/L的Na<Sub>2</Sub>MoO<Sub>4</Sub>·2H<Sub>2</Sub>O和2～6g/L的C<Sub>...
- 陈心满冀凤振潘雪雪匡鲤萍章勇
- 文献传递
- 一种P型区并列于量子阱区生长的深紫外发光器件及其制备方法
- 本发明涉及一种P型区并列于量子阱区生长的深紫外发光器件及其制备方法，该器件包括位于衬底上的N型AlGaN层，以及位于N型AlGaN层上、并列邻接设置的P型区和量子阱区，P型区包含依次层叠的电流阻断层、p型AlGaN超晶格...
- 尹以安张珂铭章勇
- 文献传递
- 发光二极管(LED)外延片材料和生长方法
- 范广涵李述体章勇郑树文张涛尹以安何苗宿世臣刘纪美易柱臻
- 技术创新要点和突破点：1.以超晶格作为p型电极接触层的GaN基LED外延结构研制方面达到国际先进水平。2.研制出以GaP做p型层的GaN基LED。3.普通结构尺寸芯片(300微米×300微米，常规芯片结构)：光功率达到1...
- 关键词：
- 关键词：发光二极管
- 含有烷基侧链的杂环芴基共聚物的光电性能
- 2006年
- 通过对9,9-二辛基芴(DOF)与4,7-二噻吩-2,1,3-萘并噻二唑(DNT)共聚物(PFDNT)和9,9-二辛基芴(DOF)与4,7-二(3-己基噻吩)-2,1,3-萘并噻二唑(HDNT)共聚物(PFHDNT)的光电特性进行比较研究,发现烷基侧链上引入杂环窄带隙单体能有效提高芴基共聚物的分子量和光荧光的量子产率。共聚物PFHDNT的光致发光和电致发光峰相对于共聚物PFDNT发生了蓝移,可能是由于长烷基侧链的空间位阻减小了π→π*有效共轭长度导致其发射峰发生蓝移。此外共聚物PFHDNT器件的电荧光量子效率并未由于引入烷基侧链而降低。
- 章勇杨坚彭俊彪曹镛
- 关键词：电致发光
- 一种互补型阻变存储器及其制备方法
- 本发明公开了一种互补型阻变存储器及其制备方法。所述互补型阻变存储器包括底电极、阻变功能复合层以及顶电极。所述阻变功能复合层包括无机金属氧化物介质层及设于无机金属氧化物介质层之间的六角型蜂巢晶格石墨烯(Graphene)材...
- 陈心满蒋治国张晓楠章勇
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- 环境友好型钙钛矿太阳电池空穴传输层及制备方法与应用
- 本发明涉及一种钙钛矿太阳电池空穴传输层及其制备方法与应用，该空穴传输层包括CuSCN，可选的还包括PEDOT:PSS，其特征在于，所述空穴传输层由含CuSCN溶液退火制得，所述含CuSCN溶液的溶剂包括水、乙醇胺、乙二胺...
- 章勇刘泓良高芳亮李述体李东阳项翎
- 文献传递
- 退火温度对ZnO掺杂ITO薄膜性能的影响被引量：4
- 2012年
- 利用电子束蒸镀方法,在K8玻璃衬底上沉积ZnO掺杂ITO(ZnO-ITO)与ITO薄膜。研究不同退火温度对ZnO-ITO薄膜的微观结构的影响;对比分析了在不同退火温度条件下,ZnO-ITO和无掺杂ITO薄膜的光电性能。结果发现,ZnO-ITO薄膜具有较大的晶粒尺寸,随着退火温度的上升,晶体结构得到改善,表面粗糙度减小,薄膜的光电性能显著提高。ZnO-ITO薄膜经过500℃退火后得到最佳的综合性能,其表面均方根粗糙度(RMS)为32.52nm,电阻率为1.43×10-4Ω.cm;对442nm波长的光,透射率可达98.37%;与ITO薄膜相比,ZnO-ITO薄膜具有显著的抗PEDOT:PSS溶液腐蚀的能力。
- 闫其昂石培培严启荣牛巧利章勇
- 关键词：电子束蒸发退火温度
- 低In组分量子阱垒层AlGaN对GaN基双蓝光波长发光二极管性能的影响
- 2013年
- 采用数值分析方法对含有低In组分AlGaN垒层InGaN/GaN混合多量子阱双蓝光波长发光二极管进行模拟分析.结果表明,这种AlGaN量子阱垒层能有效改善电子和空穴在混合多量子阱活性层中的分布均匀性及减少电子溢出,实现电子空穴在各个量子阱中的平衡辐射,减弱了双蓝光波长发光二极管的效率衰减.此外,通过改变AlGaN量子阱垒层的Al组分,调控双蓝光波长发光二极管发射光谱的稳定性:当Al组分为0.08时,双蓝光波长发光二极管的光谱在小电流和大电流下较稳定,而Al组分为0.09时,光谱只在40～100 mA电流范围内较稳定.
- 罗长得严启荣李正凯郑树文牛巧利章勇
- 关键词：发光二极管
- 胺基修饰的共轭聚合物及其制备方法和应用
- 本发明公开了胺基修饰的共轭聚合物及其制备方法和应用。所述共轭聚合物是由芴与胺基修饰苝的共轭聚合物。本发明的共轭聚合物材料合成路线具有简单高效、环境污染小、原料廉价、合成成本低等优点。所述胺基修饰的共轭聚合物能显著提高聚合...
- 章勇赵振峰尹以安
- 文献传递
- 一种量子点荧光胶体、量子点On-chip白光LED及其制备方法
- 本发明涉及一种量子点荧光胶体、量子点On‑chip白光LED及其制备方法，其按一定质量比的单齿膦配体或多齿膦配体与量子点混合，加入一定体积的极性溶剂混合均匀，蒸干溶剂形成配体/量子点混合物，研磨混合物形成配体/量子点粉末...
- 章勇杨帆何红伟朱思源陈心满高芳亮
