章新政
- 作品数：7 被引量：18H指数：3
- 供职机构：北京大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金黑龙江省普通高校骨干教师创新能力资助计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信更多>>
- 掺杂机制的电子能量损失谱（EELS）研究
- ＜正＞近年来宽禁带半导体的研究发展十分迅速。P 型掺杂及稀磁掺杂问题都是目前研究的热点。例如：氧化锌（ZnO）的 P 型掺杂,氧化锌、氮化镓的过渡金属元素掺杂等等。虽然实验上取得了一定的进展,但其掺杂机制并不十分清楚。尽...
- 张敬民章新政尤力平俞大鹏
- 文献传递
- 掺杂机制的电子能量损失谱(EELS)研究
- 2006年
- 张敬民章新政尤力平俞大鹏
- 关键词：电子能量损失谱宽禁带半导体P型掺杂过渡金属
- ZnO纳米棒中结的透射电镜研究被引量：1
- 2008年
- 本文采用化学气相沉积法制得大量ZnO纳米棒,利用会聚束电子衍射(CBED)研究了纳米棒的生长方向,验证了纳米棒在生长过程中产生碰撞。通过TEM研究发现,纳米棒沿c轴生长,碰撞形成的晶界并不是一个随机取向的大角晶界,为了降低能量,晶界具有孪晶关系。晶界的存在导致晶体产生缺陷生长,使纳米棒的结的附近区域长粗。
- 章新政单旭东尤力平俞大鹏
- 关键词：孪晶碰撞氧化锌纳米棒
- ZnO纳米材料的制备和电子显微学研究
- 准一维半导体纳米材料由于其独特的物理性质和巨大的应用潜力，成为21世纪以来研究最为活跃，发展最为迅速的课题之一。对这种纳米材料的可控生长及表征则成为研究其物理现象和性质的基础与保障，而其中电子显微学则是必要的研究手段。
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- 章新政
- 关键词：ZNO纳米材料电子显微学电子能量损失谱化学沉积法
- ZnO纳米棒阵列的同步法制备及其PL性能研究被引量：3
- 2007年
- 在较低温度下,采用化学法在Zn片和玻璃片上同步制备了ZnO纳米棒阵列。利用XRD、FESEM和HRTEM对样品进行了表征,并且通过光致发光谱研究了阵列的光致发光(PL)性能。结果表明,ZnO纳米棒阵列较为致密、取向性较好。纳米棒为六方纤锌矿相,沿c轴生长,平均直径约为60nm。同步法制备的2种ZnO纳米棒阵列均具有较好的紫外和橙红色发光性能,但发光特性却存在一定差异,这可能主要是由于2种阵列中纳米棒的缺陷含量不同所致。
- 王百齐王鹏伟张学进章新政付宏刚井立强俞大鹏
- 关键词：ZNO纳米棒阵列光致发光性能
- SnO2掺Ag纳米线的制备、结构表征及光学性质研究被引量：10
- 2008年
- 用化学气相沉积法在管式炉中制备了SnO2掺Ag纳米线。纳米线直径约50 nm,长几十微米。通过XRD、TEM和Raman谱仪等测量确定SnO2掺Ag纳米线为金红石型结构,XPS谱表明样品中含有Sn、O和Ag元素,Ag的浓度约为1.8 at.%,室温PL谱显示样品在626nm处有很强的红光发射峰。
- 王朋伟单旭东章新政俞大鹏
- 关键词：掺杂发光
- Cu掺杂的ZnO纳米号角的制备、表征和生长机制被引量：4
- 2008年
- 本文采用简单的物理气相沉积法制备了形貌新颖、产量较高的Cu掺杂ZnO单晶纳米号角。运用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨电子显微镜(HRTEM)和X射线能谱仪(EDS)对纳米号角进行了结构和成分表征,建立了结构模型。号角的六个对称的倒梯形侧壁围成了倒六棱锥的空腔,生长方向是[0001],棱锥面是(01 ■)晶面。提出了纳米号角可能的生长机制,指出Cu可能是纳米号角生长的催化剂。
- 于超章新政徐军俞大鹏
- 关键词：CU掺杂氧化锌
