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范霞

作品数：6 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院研究生院更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 2篇会议论文

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 3篇电子电信

主题

  • 6篇纳米
  • 4篇ZNS
  • 3篇半导体
  • 2篇温度
  • 2篇显微结构
  • 2篇显微结构分析
  • 2篇纳米材料
  • 2篇纳米带
  • 2篇纳米线
  • 2篇纳米线结构
  • 2篇半导体纳米材...
  • 1篇电致发光
  • 1篇电致发光器件
  • 1篇透射电子显微...
  • 1篇硫化
  • 1篇硫化锌
  • 1篇孪晶
  • 1篇纳米电缆
  • 1篇纳米管
  • 1篇化合物

机构

  • 5篇中国科学院
  • 2篇武汉大学
  • 2篇香港城市大学
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 6篇范霞
  • 4篇孟祥敏
  • 2篇刘馨
  • 2篇张晓宏
  • 1篇刘佶
  • 1篇蒋阳

传媒

  • 2篇电子显微学报
  • 1篇2005年全...

年份

  • 2篇2007
  • 2篇2005
  • 2篇2004
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
温度对ZnS纳米线结构的影响被引量：1
2004年
孟祥敏范霞刘佶蒋阳蒋阳Lee S T
关键词：硫化锌纳米线结构半导体材料透射电子显微镜
ZnS纳米带的显微结构分析
2005年
孟祥敏范霞张晓宏刘馨
关键词：显微结构分析ZNS纳米带半导体化合物电致发光器件红外窗口
SiO辅助生长Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米材料
低维纳米材料是国际纳米材料研究的前沿领域，特别是宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米材料，因其独特的性能、潜在的应用前景，受到了人们广泛的关注。本论文采用热蒸发方法，用SiO辅助生长Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米材料，并对其精细结构进行了详细的...
范霞
温度对ZnS纳米线结构的影响
＜正＞ ZnS是一种典型的Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物,可用于平板显示器、电致发光器件、红外窗口等材料。最近ZnS纳米材料引起了研究工作者们的广泛注意。我们利用简单的设备,通过改变生长条件制备了两种不同结构的纳米线。
孟祥敏范霞刘佶蒋阳LeeCSLeeST
文献传递
SiO辅助生长II-VI族半导体纳米材料
低维纳米材料是国际纳米材料研究的前沿领域,特别是宽带隙II-VI族半导体纳米材料,因其独特的性能、潜在的应用前景,受到了人们广泛的关注。本论文采用热蒸发方法,用SiO辅助生长II-VI族半导体纳米材料,并对其精细结构进行...
范霞
关键词：半导体纳米材料纳米管
文献传递
ZnS纳米带的显微结构分析
孟祥敏范霞张晓宏刘馨
文献传递
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