董伟伟
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学技术大学化学与材料科学学院材料科学与工程系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信更多>>
- 甘氨酸燃烧法合成纳米ZnO-MgO及其紫外光发射被引量：3
- 2005年
- 利用甘氨酸燃烧法制备了ZnOMgO纳米复合材料,并在不同温度进行热处理.通过X射线衍射、扫描电子显微镜和傅里叶变换红外吸收谱,对其升温过程中的结构变化进行了表征,研究了热处理温度对样品室温光致发光行为的影响.结果表明,复合材料的发光性能与纯ZnO相比有很大改善,经900℃热处理的纳米复合材料,其发射谱由一个强紫外发射带(峰值385nm)构成;当热处理温度低于900℃时,发光强度随热处理温度的升高而增强,进一步将热处理温度升至1000℃时发光强度又明显降低.发光强度主要受ZnO、MgO纳米晶的粒子尺寸、结晶完善程度,尤其是受两相纳米粒子之间相互作用的影响.同时发现选择合适的甘氨酸与硝酸根离子的摩尔比,对改善样品紫外发光特性也很重要.
- 董伟伟杨碚芳傅正平王震杨应岭左健
- 关键词：ZNOMGO
- ZnO-MgO微尺度复合材料的液相合成及光学性质研究
- ZnO是一种宽带隙半导体材料,室温下其禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60 meV,在室温下激子不易电离,激发发射机制有效,这对于制造室温下低阈值激光器极为有利.自从香港和日本的科学家在1997年首次实现了室温光泵...
- 董伟伟
- 关键词：ZNOMGO光致发光
- 文献传递
- ZnO纳米晶三维有序复合材料的制备及其紫外光发射研究
- 杨碚芳傅正平杨应岭严鸿维王震董伟伟
- II-VI族半导体氧化锌（ZnO）是国内外非常重视的新型宽带隙半导体材料，在半导体紫外光电子器件方面具有很大的潜在的应用价值。该项目提出以氧化硅胶体晶体为模板, 制得ZnO基三维有序复合材料, 把ZnO纳米粒子/量子点优...
- 关键词：
