蔡明
- 作品数：6 被引量：2H指数：1
- 供职机构：北京大学物理学院技术物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- GaAs衬底上Mn/Sb多层铁磁膜的磁光克尔效应
- 2001年
- 利用超高真空电子束蒸发技术在 Ga As(10 0 )上生长 Mn/ Sb多层膜 ,并经短时间热退火处理分别研究了其退火前后的磁性、磁光克尔效应及相应规律 .退火前 Mn/ Sb膜在室温下即具有较强的铁磁特性 ,其易磁化轴在膜面内 ,样品表面由密集的岛状铁磁颗粒组成 ,未能观测到纵向 (H∥平面 )克尔效应 .经 35 0℃、2 0 m in退火的样品显示了最大饱和磁化强度 Ms和最小矫顽力 H c,X射线衍射测量表明膜为 Mn Sb单晶并具有均匀的铁磁特性 ,能观测到显著的极向和纵向磁光克尔效应 。
- 王学忠蔡明陈辰嘉孙允希孙騊亨张毓英
- 关键词：铁磁性磁光克尔效应GAAS衬底
- Mn/Sb多层膜的磁性和磁光特性(英文)被引量：1
- 2004年
- 用超高真空蒸发技术在GaAs(10 0 )和玻璃衬底上生长不同厚度Mn/Sb多层膜 ,并经短时间热退火 (～ 1,2 0min) .磁化强度测量显示具有很强的室温铁磁特性 .当多层膜厚度从 70 0 增至 16 0 0 时 ,饱和强度增加了近一倍 ,极向和纵向克尔角也增加了 ,但不到一倍 .这表明磁化强度和克尔角两者均依赖于多层摸的厚度 ,但不是简单的正比于厚度的关系 .增加Mn/Sb多层膜的厚度能增强饱和磁化强度和极向和纵向克尔饱和角 .X射线衍射谱图结果表明高质量单晶结构的Mn/Sb多层膜能用超高真空蒸发技术生长 ,对较厚的多层薄膜 ,热退火的时间可很短(约 1min) .
- 陈辰嘉王学忠蔡明吴克丁晓民孙允希Filippo MagliaA.Stella
- 关键词：铁磁性磁光克尔效应X射线衍射
- 铁磁半导体异质结的磁性和磁光效应
- 铁磁半导体异质结可以通过多种途径实现.该文分别报道对用离子注入和薄膜生长含Mn的铁磁半导体异质结的磁性和磁光效应的最新研究结果.用超高真空电子束蒸发技术在GaAs(100)、蓝宝石(0001)、Si(001)和玻璃衬底上...
- 蔡明
- 关键词：薄膜生长磁性离子注入磁光克尔效应
- 文献传递
- Mn^+离子注入GaAs的铁磁性质和结构被引量：1
- 2000年
- 报道 Mn+ 离子注入 ( 0 0 1 ) Ga As后经快速退火形成的亚微米铁磁晶粒的性质和结构特性 .磁化强度测量结果显示室温下具有铁磁性 .用透射电子显微镜、X射线能谱和电子衍射分析表明除形成 Mn Ga晶粒外 ,还有含少量 Ga的 Mn As晶粒 .原子力显微镜和磁力显微镜的结果表明在 750— 90
- 蔡明陈辰嘉王学忠许世发丁晓民张铭孙允希
- 关键词：铁磁性砷化镓
- 用交变梯度磁强计研究Mn+离子注入GaAs的铁磁特性
- 介绍了磁测量仪器交变梯度磁强计的基本原理特点以及用它研究Mn<'+>离子注入(001)GaAs后经快速退火形成的亚微米铁磁晶粒的铁磁特性.实验结果显示,交变梯度磁强计具有高灵敏度且使用方便.
- 孙允希王学忠陈辰嘉蔡明孙陶亨张毓英
- 关键词：铁磁性离子注入磁矩
- 文献传递
- 新的空间调制光谱技术在半导体超晶格量子阱中的应用
- 1999年
- 报道一种通过转动样品来实现空间调制微分反射（ＤＲ）光谱技术，给出ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱和应变ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ多量子阱在室温下的ＤＲ谱实验测量结果，并与光调制反射谱（ＰＲ）实验和理论计算结果相比较．实验证明ＤＲ谱的信号比ＰＲ谱更强，可达１０－２量级，两者一致并与理论计算结果符合得很好．
- 陈辰嘉王学忠孙允希林春韩一龙李海涛蔡明
- 关键词：半导体多量子阱超晶格
