詹峰
- 作品数：7 被引量：5H指数：1
- 供职机构：上海大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市科委重大科技攻关项目上海市科学技术委员会资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术一般工业技术化学工程更多>>
- 掺In CdZnTe核探测器材料热处理研究
- CdZnTe核辐射探测器可在室温下工作且具有很高的探测效率，并对X、γ射线有较高的探测效率和较好的能量分辨率，广泛用于安检、工业探伤、医学诊断、天体X射线望远镜等方面。而高电阻率(≥109Ω·cm)，完整性好的CdZnT...
- 詹峰
- 关键词：碲锌镉掺杂探测器
- 文献传递
- Cd在Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体中的有效扩散系数与扩散激活能
- 2006年
- 为了计算Cd在Cd0.9Zn0.1Te(CZT)晶体中的有效扩散系数DCd与扩散激活能QCd,利用Cd在CZT晶体中的扩散特性,设计了在不同Cd压下对CZT的退火实验,推导出了晶体电阻率与Cd有效扩散系数之间的函数关系,经过计算,首次获得了在1073K,973K和873K温度时Cd原子在CZT晶体中的有效扩散系数DCd,分别为1.464×10-10cm2/s,1.085×10-11cm2/s和4.167×10-13cm2/s。将扩散数据经过拟合后得到了Cd原子在CZT晶片中有效扩散系数的表达式:2.33×exp(–2.38eV/kT)(873K^1073K),其中扩散激活能QCd为2.38eV。
- 刘洪涛桑文斌李万万张斌闵嘉华詹峰曹泽淳
- 探测器用CdTe、ZnTe和CdZnTe原料的提纯方法及其装置
- 本发明涉及一种探测器用CdTe、ZnTe和CdZnTe原料的提纯方法及其装置。属于高纯原料气相提纯工艺技术领域。本方法采用准闭管气相输运提纯法，具体工艺程序如下：将Cd、Zn、Te合成的化合物多晶原料放入气相输运装置电阻...
- 闵嘉华桑文斌刘洪涛李万万詹峰
- 文献传递
- 探测器用CdTe、ZnTe或CdZnTe原料的提纯方法及其装置
- 本发明涉及一种探测器用CdTe、ZnTe和CdZnTe原料的提纯方法及其装置。属高纯原料气相提纯工艺技术领域。本方法采用准闭管气相输运提纯法，具体工艺程序如下：将Cd、Zn、Te合成的化合物多晶原料放入气相输运装置电阻炉...
- 闵嘉华桑文斌刘洪涛李万万詹峰
- 文献传递
- Cd、In气氛下退火对Cd0.9Zn0.1Te性能的影响(英文)
- 研究了可控制Cd、In气氛下退火对Cd0．9Zn0．1 Te性能的影响。不同Cd压下(In压不变:1×10-2Pa)退火的实验表明:在平衡Cd压下退火电阻率可从6．7×105Ω·cm显著地提高到109-1010Ω·cm,...
- 刘洪涛桑文斌詹峰李万万李刚闽嘉华
- 关键词：CDZNTE退火电阻率
- 文献传递
- CdZnTe共面栅探测器的电子俘获修正方法被引量：1
- 2006年
- 采用有限元方法模拟共面栅探测器的权重势分布,通过计算器件的电荷感应效率(CIE)以及感应信号,研究了CdZnTe共面栅器件的电子俘获修正技术,结果表明采用调整两组栅极输出信号的相对增益G的方法,可以有效地修正由于电子俘获造成的器件响应在深度上的不均匀;通过将次外条收集栅和非收集栅分别加宽一倍可以使两组栅电极的权重势分布在器件宽度上具有良好的均匀性,在此基础上采用调整增益G值来修正电子俘获,可使CdZnTe共面栅器件在深度和宽度方向上均得到均匀的响应特性。
- 闵嘉华桑文斌钱永彪王昆黍刘洪涛詹峰秦凯丰樊建荣
- 关键词：电子俘获
- 低压布里奇曼法CdZnTe晶体生长及其热应力模拟被引量：4
- 2007年
- 采用有限元方法,对晶体结晶结束位置处的晶体内部热应力分布进行了数值模拟,结果表明:晶体在石英安瓿内壁附近,变径处以及头部尖端处的热应力较大,应力值约在108N/m2数量级,晶体中部热应力分布较小且比较均匀,约为107N/m2。为了防止晶体在生长过程中头部尖端处以及变径处的位错延伸至晶体内部,提出了在不同生长阶段采用不同下降速度,并且在晶体下降至变径处采用“回熔”操作的新工艺。实验结果表明:利用新工艺生长的晶体位错密度明显降低,约为2×102cm-2,同时显著地提高了晶体的利用率。
- 刘洪涛桑文斌袁铮闵嘉华詹峰
- 关键词：探测器
