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谌平凡

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学技术大学更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇电荷
  • 1篇电荷转移
  • 1篇调制
  • 1篇多层膜
  • 1篇氧化物
  • 1篇中间层
  • 1篇探测器
  • 1篇铁磁
  • 1篇退火
  • 1篇自旋
  • 1篇自旋-轨道耦...
  • 1篇温度系数
  • 1篇脉冲激光
  • 1篇脉冲激光沉积
  • 1篇锰氧化物
  • 1篇晶格
  • 1篇红外
  • 1篇红外探测
  • 1篇红外探测器

机构

  • 4篇中国科学技术...

作者

  • 4篇谌平凡
  • 3篇吴文彬
  • 1篇张福恒
  • 1篇陈斌斌

年份

  • 2篇2014
  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
衬底及掺杂对(La1-xPrx)0.67Ca0.33MnO3单晶外延薄膜物性的调制
掺杂锰氧化物而言,基于Jahn-Tellar 晶体结构畸变的强声子-电子耦合作用,会影响材料的金属－绝缘转变,巨磁阻,各向异性磁阻,相共存等性质.块材La5/8-yPryCa3/8MnO3 体系中,随着Pr 掺杂量的增加...
谌平凡黄振吴文彬
一种CaRuO<Sub>3</Sub>/La<Sub>2/3</Sub>Ca<Sub>1/3</Sub>MnO<Sub>3</Sub>/CaRuO<Sub>3</Sub>三明治结构外延薄膜及其制备方法和应用
本发明公开了一种CaRuO<Sub>3</Sub>/La<Sub>2/3</Sub>Ca<Sub>1/3</Sub>MnO<Sub>3</Sub>/CaRuO<Sub>3</Sub>三明治结构外延薄膜及其制备方法和应用，...
吴文彬谌平凡陈斌斌
文献传递
外延锰/钌氧化物多层膜和超晶格中的界面八面体结构邻近及其磁性关联
多年来，关于具有ABO3结构特征的过渡金属氧化物界面的基础物理研究和应用电子器件开发始终是凝聚态物理研究的热点之一。强关联电子体系范畴中，电荷、自旋、轨道和晶格等多自由度的竞争与耦合不仅具有深刻的物理内涵，各种能量相当的...
谌平凡
关键词：磁性超晶格电荷转移自旋-轨道耦合多层膜
锰氧化物外延薄膜及其制备方法与应用
本发明公开了一种锰氧化物外延薄膜及其制备方法与应用。该薄膜，是按照包括如下步骤的方法制备得到的：利用脉冲激光沉积的方法，在NdGaO<Sub>3</Sub>(110)单晶基片上外延生长(La<Sub>1-X</Sub>P...
张福恒谌平凡黄振吴文彬
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