谢长坤
- 作品数：10 被引量：41H指数：4
- 供职机构：中国科学技术大学核科学技术学院国家同步辐射实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- NSRL在宽带隙半导体能带结构的研究进展
- 2003年
- 综述了中国科技大学国家同步辐射实验室(NSRL)在宽带隙半导体能带结构的研究进展。首次利用全势线性Muffin-tin 轨道(FP-LMTO)方法,计算了ZnO及其几种本征点缺陷的能带结构,从理论上证明了Zn填隙是引起ZnO的本征n型导电性的主要原因,并讨论了它们对ZnO的光谱特性的影响。利用同步辐射角分辨光电子能谱技术研究了纤锌矿结构GaN(0001)体态和表面态的能带色散。首次通过全势缀加平面波(FPLAPW)方法,对β-SiC(110)表面进行了第一性原理计算。我们的计算结果显示出顶层Si-C键长收缩且发生扭转的驰豫特性,而表面弛豫实现了从金属性到半导体性质的转变。
- 徐彭寿谢长坤孙玉明徐法强邓锐潘海斌施朝淑
- 关键词：宽带隙半导体角分辨光电子能谱
- α-SiC“非汉字符号”表面结构的第一性原理计算被引量：4
- 2002年
- 用全势缀加平面波方法 (FPLAPW)计算了α SiC及其非极性 (10 10 )表面的原子与电子结构 .计算出的α SiC晶体结构参量 :晶格常量和体积弹性模量与实验值符合得很好 .用平板超原胞模型来计算α SiC(10 10 )表面的原子与电子结构 ,结果表明表面顶层原子发生键长收缩并扭转的弛豫特性 ,表面阳离子Si,C向体内方向发生不同程度的位移 .表面重构的机理为Si,C原子由原来的sp3杂化方式退化为sp2 杂化 ,与其三配位异种原子近似以平面构型成键 .另外 。
- 谢长坤徐彭寿徐法强潘海斌
- 关键词：第一性原理计算碳化硅电子结构半导体材料
- GaN(0001)表面的电子结构研究被引量：14
- 2002年
- 报道了纤锌矿WZ(wurtzite)GaN(0 0 0 1)表面的电子结构研究 .采用全势线性缀加平面波方法计算得到了GaN分波态密度 ,与以前实验结果一致 .讨论了Ga3d对GaN电子结构的影响 .利用同步辐射角分辨光电子能谱技术研究了价带电子结构 .通过改变光子能量的垂直出射谱勾画沿ΓA方向的体能带结构 ,与计算得到的能带结构符合得较好 .根据沿ΓK和ΓM方向的非垂直出射谱 。
- 谢长坤徐法强邓锐徐彭寿刘凤琴K.Yibulaxin
- 关键词：GAN电子结构氮化镓半导体材料晶体生长
- GaN(100)表面结构的第一性原理计算被引量：16
- 2005年
- 用全势缀加平面波加局域轨道 (APW +lo)的方法计算了六方GaN及其非极性 ( 10 10 )表面的原子及电子结构 .计算出的六方GaN晶体结构参数 :晶格常数和体积弹性模量与实验值符合得很好 .用平板超原胞模型来计算GaN( 10 10 )表面的原子与电子结构 ,结果表明表面顶层原子发生键长收缩并扭转的弛豫特性 .表面阳离子向体内移动 ,趋向于sp2 平面构形 ;而表面阴离子向体外移动 ,趋向于锥形的p3构形 .弛豫后 ,表面实现由半金属性向半导体性的转变 .并且 ,表面电荷发生大的转移 ,参与表面键的重新杂化 ,使得表面原子的离子性减弱共价性增强 。
- 李拥华徐彭寿潘海滨徐法强谢长坤
- 关键词：键长弛豫平面波晶格常数
- GaAs(001)面能量扫描的光电子衍射研究被引量：1
- 2004年
- 利用在国家同步辐射实验室建立的光电子衍射技术 ,采集了GaAs(0 0 1 )面能量扫描的光电子衍射谱。通过对光电子衍射谱的傅立叶变换分析给出了各个发射体近邻原子的正确位置 .经过多重散射模型计算并对实验曲线的拟合验证了Biegelsen提出的Ga双层模型的正确性 .结果显示 ,最外层构成二聚体的两个Ga原子沿 [1 1 0 ]方向移动聚拢 ,偏离体材料格位 8.3% .同时最外层的Ga原子向内收缩 2 .1 % .
- 邓锐谢长坤李拥华潘海斌徐法强徐彭寿
- 关键词：GAAS
- GaN表面极性的光电子衍射研究被引量：3
- 2004年
- 利用x射线光电子衍射的极角扫描模式 ,采集了GaN(0 0 0 1)表面由 (10 10 )和 (112 0 )晶面产生的光电子衍射实验曲线 ,并运用光电子衍射的前向聚焦效应确定了GaN(0 0 0 1)表面是Ga在最外层的极性面 .利用与能量有关的光电子衍射即角分辨光电发射精细结构谱技术并结合多重散射团簇模型计算对GaN(0 0 0 1)表面的极化性质进行了研究 。
- 徐彭寿邓锐潘海斌徐法强谢长坤李拥华刘凤琴易布拉欣.奎热西
- 关键词：氮化镓半导体材料
- β-SiC(110)表面原子与电子结构的理论计算被引量：6
- 2002年
- 用全势缀加平面波方法（FPLAPW）计算了β-SiC及其非极性（110）表面的原子与电子结构.计算出的β-SiC晶体结构参数:晶格常数和体积弹性模量与实验值符合得很好.用平板超原胞模型来计算β-SiC（110）表面的原子与电子结构,结果表明,表面顶层原子发生键长收缩和旋转的弛豫特性,表面阳离子Si向体内移动而阴离子 C向表面外移动.这与Ⅲ～Ⅴ族半导体（110）表面弛豫特性相似.表面重构的机制是Si原子趋向于以平面构型的sp2杂化方式与其三配位C原子成键,C原子趋向于以锥型的p3方式与其三配位Si原子成键.另外表面弛豫实现表面由金属性至半导体性的转变.
- 谢长坤徐彭寿徐法强潘海斌
- 关键词：碳化硅表面电子结构半导体
- 3C-SiC的能带结构和光学函数的第一性原理计算被引量：4
- 2006年
- 利用从头计算的全势缀加平面波理论方法研究了3C-SiC的能带结构和基本的光学函数,得到了Si、C分波态密度和能带结构.介电函数的虚部由能带结构的计算直接得到.经带隙校正后,由Kramers-Kronic(K-K)色散关系计算了介电函数的实部.由得到的介电函数计算了折射率、消光系数和反射率.经比较,计算的结果与已有的实验数据基本相符.
- 徐彭寿谢长坤潘海斌徐法强
- 关键词：3C-SIC
- SiC多型体电子结构及其光学性质与SiC、GaN的表面电子结构研究
- 第三代导体材料GaN、SiC具有禁带宽度大,高电子迁移率,高的热学和化学稳定性等特点,非常适合于制作高温、高频高功率的光电子和微电子器件.对其晶体电子结构和光学性质的基础研究也引起了人们极大的兴趣.该论文主要利用全势缀加...
- 谢长坤
- 关键词：光学性质表面电子结构
- 文献传递
- GaAs表面硫钝化研究新进展被引量：4
- 2000年
- GaAs及其他Ⅲ -Ⅴ族半导体表面钝化一直是人们感兴趣的研究课题 ,在半导体器件制造工艺的发展中起着重要的作用 。
- 谢长坤徐法强徐彭寿
- 关键词：光致发光砷化镓电镜半导体
