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在磁场中生长半导体致冷晶体的研究: 1994年; 本文阐述了在磁场中生长B_(i2)T_(e3)——Sb_2T_(e3)——SbS_(e3)三元半导体致冷晶体的方法与设备,实验研究了晶体的强度,在理论上初步探讨了磁场在晶体生长中起的作用。; 赵秀平梁丽新董兴木荣剑英赵洪安刘振茂; 关键词：磁场半导体晶体生长

赝三元半导体致冷材料的研究被引量：1: 1993年; 研究出高优值系数的P型和N型赝三元系Bi_2Te_3-Sb_2Te_3-Sb_2Se_3半导体致冷材料,在室温附近最高优值可达到3.2×10^(-3)/K以上。讨论了晶体结构特点和生长条件对材料温差电特性的影响。; 赵秀平李将禄荣剑英董兴才赵洪安; 关键词：半导体制冷材料

Bi_2Te_3基p型赝三元热电材料的热压制备及性能被引量：4: 2008年; 采用熔炼-粉碎法制备了p型Bi2Te3基赝三元热电合金粉体,粉体经筛分后,用热压法制备了(Sb2Te3)0.75(1-x)(Bi2Te3)0.25(1-x)(Sb2Se3)x样品。通过X射线衍射和扫描电镜对样品进行表征。结果表明:在热压烧结样品中,出现了晶粒的(0001)面垂直于压力方向的明显取向,垂直于压力方向是热压样品的高热电优值方向。在一定的热压压力下,样品的电导率和温差电动势率都随温度的增加而增大。在一定的热压温度下,随着压力的增加,样品的电导率增加,而温差电动势率变化不大。最好样品的热电优值达到2.78×10-3/K。; 吕强程颖程艳胡建民王景聚赵洪安荣剑英; 关键词：粉末热压

半导体材料室温热导率测试装置的研制被引量：1: 1997年; 在研究和生产半导体致冷材料的过程中，需要测定材料的热导率，我们研制了一套半导体致冷材料室温热导率测试装置，设备简单，样品安装方便，测试精度高。测量热导率的方法有稳态法和动态法，稳态法又分为绝对稳态法和相对稳态法，在稳态法中先利用热源在待测样品的内部形成一稳定的温度分布，然后进行测量。相对稳态法是用一标准样品中与待测样品进行比较后测量。绝对稳态法中没有标准样品。目前，在致冷材料的测试中，国际上普通采用的是稳态法。我们制作了在室温条件下用稳态法测试热导率的装置。装夹样品的部件均由铜材料制作，可使传热良好，在室温条件下，致冷材料的热导率为１～２Ｗ／ｍ·Ｋ，铜的热导率为３８０Ｗ／ｍ·Ｋ可见对于致冷材料来讲，铜的热阻是可以忽略的。铜热槽、铜板、样品、电热器的相互接触表面要平整光滑，厚度要尽量小，实验中样品厚度为２ｍｍ，长宽均为１０ｍｍ，这样可使侧面散热小。样品两面的温差用热电偶测试，热电偶是自制的，材料用的是铜和康铜，用精度为１／１０度的温度计来定标，热电偶线的热传导问题要加以考虑，为此一定要采用细的热电偶线。热电偶的连接采用差接法，可使测试精度高。两个铜热槽串接通以恒温水，使系统易于达到热平衡状态。测试是在真空中进?; 赵洪安夏伟宁宁潜艳马丛笑李将禄; 关键词：半导体材料热导率测试装置

大尺寸P型赝三元温差电取向晶体的研制被引量：10: 1997年; 大尺寸Ｐ型赝三元温差电取向晶体的研制荣剑英段福莲赵洪安吕长荣董兴才李将录赵秀平（哈尔滨师范大学物理系，哈尔滨１５００８０）ＰｒｅｐａｒａｔｉｏｎｏｆＰｔｙｐｅＬａｒｇｅＳｉｚｅＰｓｅｕｄｏｔｅｒｎａｒｙＴｈｅｒｍｏｅｌｅｃｔｒｉｃＯｒｉｅｎｔｅｄＣ...; 荣剑英段福莲赵洪安吕长荣董兴才李将录赵秀平; 关键词：P型半导体垂直区熔法晶体

大尺寸(Bi_2Te_3)_(0.90)(Sb_2Te_3)_(0.05)(Sb_2Se_3)_(0.05)晶体的生长及性能被引量：1: 1997年; 大尺寸（Ｂｉ２Ｔｅ３）０．９０（Ｓｂ２Ｔｅ３）０．０５（Ｓｂ２Ｓｅ３）０．０５晶体的生长及性能荣剑英赵洪安吕长荣段福莲李将录董兴才赵秀平（哈尔滨师范大学物理系，哈尔滨１５００８０）ＧｒｏｗｔｈａｎｄＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＬａｒｇｅＳｉｚｅ（Ｂｉ２Ｔ...; 荣剑英赵洪安吕长荣段福莲李将录董兴才赵秀平; 关键词：N型半导体垂直区熔法晶体生长

半导体致冷取向晶体的制备方法及设备: 一种制备半导体致冷取向晶体的方法及利用该方法的设备，特征是在常规的封装和熔炼之后在磁场中进行区熔处理，从而使生长出的晶体材料组分、杂质分布均匀，提高了晶体结合能，使晶体点阵常数比无磁场时变小，能带结构发生变化，材料优值和...; 赵秀平李将录荣剑英赵洪安董兴才夏德勇

p 型赝三元温差电材料的研制被引量：13: 1993年; 通过研究组分、掺杂和晶体生长条件对材料温差电性能的影响,采用熔炼—区熔法研制出较均匀的高性能赝三元 p 型温差电材料 Te:(Sb_2Te_3)_0.75(1-x)(Bi_2Te_3)_(0.25(1-x))(Sb_2Se_3)(?)生长出的晶锭的85%的部分,温差电优值 z=2.9～3.3×10^(-3)/K。其性能高于目前国内的赝二元材料,达到了国外的较高水平,用这种材料制作的温差电致冷器件获得了很好的致冷效果。; 荣剑英赵秀平李将录董兴才赵洪安; 关键词：固溶体铋碲锑硒

大尺寸赝三元半导体致冷材料的制备与性能被引量：9: 2002年; 采用垂直区熔法制备了优值较高、利用率较大的直径为 2 7mm的大尺寸P和N型Bi2 Te3 Sb2 Te3 Sb2 Se3 赝三元取向晶锭。并测试了其温差电性质。; 郎荣福荣剑英赵秀平李将录赵洪安; 关键词：垂直区熔法

半导体致冷取向晶体的制备方法及设备: 一种制备半导体致冷取向晶体的方法及利用该方法的设备，特征是在常规的封装和熔炼之后在磁场中进行区熔处理，从而使生长出的晶体材料组分、杂质分布均匀，提高了晶体结合能，使晶体点阵常数比无磁场时变小，能带结构发生变化，材料优值和...; 赵秀平李将录荣剑英赵洪安董兴才夏德勇; 文献传递

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