邓锐
- 作品数：12 被引量：23H指数：3
- 供职机构：中国科学技术大学更多>>
- 发文基金：中国科学院知识创新工程国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信核科学技术更多>>
- NSRL在宽带隙半导体能带结构的研究进展
- 2003年
- 综述了中国科技大学国家同步辐射实验室(NSRL)在宽带隙半导体能带结构的研究进展。首次利用全势线性Muffin-tin 轨道(FP-LMTO)方法,计算了ZnO及其几种本征点缺陷的能带结构,从理论上证明了Zn填隙是引起ZnO的本征n型导电性的主要原因,并讨论了它们对ZnO的光谱特性的影响。利用同步辐射角分辨光电子能谱技术研究了纤锌矿结构GaN(0001)体态和表面态的能带色散。首次通过全势缀加平面波(FPLAPW)方法,对β-SiC(110)表面进行了第一性原理计算。我们的计算结果显示出顶层Si-C键长收缩且发生扭转的驰豫特性,而表面弛豫实现了从金属性到半导体性质的转变。
- 徐彭寿谢长坤孙玉明徐法强邓锐潘海斌施朝淑
- 关键词：宽带隙半导体角分辨光电子能谱
- NSRL在半导体表面结构的光电子衍射研究
- 2004年
- 利用角分辨光电发射精细结构(ARPEFS)技术研究了GaAs(001)面,验证了Biegelsen提出的钙双层模型的正确性。拟合结果显示,最外层构成二聚体的两个钙原子沿[110]方向移动聚拢,偏离体材料格位8.3%。同时最外层的钙原子向内收缩2.1%。利用X射线光电子衍射(XPD)实验技术研究了硫钝化方法处理过的GaAs(001)表面结构,确定了钝化的硫原子位于第一层钙原子的桥位上。与钙原子成键的键长为3.62?、键角为61.2°。使用与能量和角度有关的光电子衍射技术并结合多重散射团簇模型计算对Al2O3衬底上生长的GaN单晶薄膜表面的极化性质进行了研究,确定了该GaN表面极性为钙在最外层的正极化性。
- 徐彭寿邓锐潘海斌徐法强李拥华
- 关键词：半导体GAASGAN
- 一种低复杂度免授权大规模多址接入方法、系统及设备
- 本发明公开了一种低复杂度免授权大规模多址接入方法、系统及设备，通过使用基于布隆过滤器的编码和硬判决包络检波，整个方案仅需极低的硬件和计算复杂度，且基站无需估计信道状态信息。相比现有的免授权大规模多址接入方法，本发明可以在...
- 邓锐张文逸
- NSRL光电子能谱站控制系统改造及软件设计被引量：2
- 2002年
- 了适应同步辐射应用技术发展的需要 ,我们对合肥国家同步辐射实验室 (NSRL)光电子能谱站的数据采集和控制系统的硬件和软件进行了改造 ,取得了预期的效果。硬件系统方面 ,增加了一组多功能卡 ,更换了马达控制器 ,增加了光子能量反馈系统 ;与之相应的软件得以重写 ,同时 ,对软件自身也进行了完善 ,增加了参数存取功能 ,修改了数据存储格式 ,并加入XPS工作模式。通过测量一组Ni的费米边的EDC(EnergyDistributionCurve)
- 邓锐余小江潘海斌徐法强许保宗徐彭寿
- 关键词：NSRL控制系统光束线软件设计光电子能谱
- 单比特量化体制下的收发机理论与方法研究
- 物联网场景下的设备通常需要低成本和低功耗的通信系统来满足其长期运行的需求。传统的通信系统通常需要高昂的成本和大量的能量供应，这对于许多小型设备和传感器来说是不切实际的。因此，有必要深入探究低硬件成本、低功率消耗的收发机设...
- 邓锐
- 关键词：收发机模数转换器过采样比特交织编码调制迭代译码
- GaN(0001)表面的电子结构研究被引量：14
- 2002年
- 报道了纤锌矿WZ(wurtzite)GaN(0 0 0 1)表面的电子结构研究 .采用全势线性缀加平面波方法计算得到了GaN分波态密度 ,与以前实验结果一致 .讨论了Ga3d对GaN电子结构的影响 .利用同步辐射角分辨光电子能谱技术研究了价带电子结构 .通过改变光子能量的垂直出射谱勾画沿ΓA方向的体能带结构 ,与计算得到的能带结构符合得较好 .根据沿ΓK和ΓM方向的非垂直出射谱 。
- 谢长坤徐法强邓锐徐彭寿刘凤琴K.Yibulaxin
- 关键词：GAN电子结构氮化镓半导体材料晶体生长
- 一种低复杂度免授权大规模多址接入方法、系统及设备
- 本发明公开了一种低复杂度免授权大规模多址接入方法、系统及设备，通过使用基于布隆过滤器的编码和硬判决包络检波，整个方案仅需极低的硬件和计算复杂度，且基站无需估计信道状态信息。相比现有的免授权大规模多址接入方法，本发明可以在...
- 邓锐张文逸
- GaAs(001)面能量扫描的光电子衍射研究被引量：1
- 2004年
- 利用在国家同步辐射实验室建立的光电子衍射技术 ,采集了GaAs(0 0 1 )面能量扫描的光电子衍射谱。通过对光电子衍射谱的傅立叶变换分析给出了各个发射体近邻原子的正确位置 .经过多重散射模型计算并对实验曲线的拟合验证了Biegelsen提出的Ga双层模型的正确性 .结果显示 ,最外层构成二聚体的两个Ga原子沿 [1 1 0 ]方向移动聚拢 ,偏离体材料格位 8.3% .同时最外层的Ga原子向内收缩 2 .1 % .
- 邓锐谢长坤李拥华潘海斌徐法强徐彭寿
- 关键词：GAAS
- GaN表面极性的光电子衍射研究被引量：3
- 2004年
- 利用x射线光电子衍射的极角扫描模式 ,采集了GaN(0 0 0 1)表面由 (10 10 )和 (112 0 )晶面产生的光电子衍射实验曲线 ,并运用光电子衍射的前向聚焦效应确定了GaN(0 0 0 1)表面是Ga在最外层的极性面 .利用与能量有关的光电子衍射即角分辨光电发射精细结构谱技术并结合多重散射团簇模型计算对GaN(0 0 0 1)表面的极化性质进行了研究 。
- 徐彭寿邓锐潘海斌徐法强谢长坤李拥华刘凤琴易布拉欣.奎热西
- 关键词：氮化镓半导体材料
- 宽带隙半导体（ZnO，SiC）材料的制备及其光电性能研究
- 在半导体材料的发展中,一般将Si,Ge称为第一代电子材料,GaAs,InP,GaP,InAs,AlAs等称为第二代电子材料,而将宽带隙高温半导体ZnO,SiC,GaN,AlN,金刚石等称为第三代半导体材料。随着科学技术的...
- 邓锐
- 关键词：碳化硅光致发光纳米线
- 文献传递
