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郭丰

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：四川大学物理科学与技术学院微电子学系更多>>
发文基金：模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电偶极
  • 1篇电偶极子
  • 1篇异质结
  • 1篇偶极
  • 1篇偶极子
  • 1篇总剂量
  • 1篇总剂量效应
  • 1篇位错
  • 1篇晶体管
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇光致发光研究
  • 1篇发光
  • 1篇发光研究
  • 1篇NPN晶体管
  • 1篇SIGE/S...
  • 1篇SIGE/S...
  • 1篇硅
  • 1篇-B

机构

  • 2篇四川大学
  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇龚敏
  • 2篇杨晨
  • 2篇刘伦才
  • 2篇石瑞英
  • 2篇郭丰
  • 1篇程兴华
  • 1篇谭开洲
  • 1篇王健安
  • 1篇蒲林
  • 1篇张静

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇光散射学报

年份

  • 2篇2007
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
集电极偏置电流对硅npn晶体管γ辐照效应的影响被引量：2
2007年
对硅npn双极晶体管(C2060)室温下不同集电极偏置电流条件下γ辐照的总剂量效应进行了研究.结果表明,npn晶体管的辐照损伤程度随着辐照总剂量的增加而增加;尤其是实验中发现:在相同的辐照总剂量下随着辐照时集电极偏置电流的增加,晶体管的辐照损伤程度却在减轻.空间电荷模型的观点并不能很好地解释辐照损伤与辐照集电极偏置电流的关系.文章对空间电荷模型进行了修正,认为除氧化物俘获电荷和界面俘获电荷外,还会在外基区Si-SiO2界面附近形成电中性的电偶极子.利用修正后的理论可以很好地解释所有的实验结果.
程兴华王健安龚敏石瑞英蒲林刘伦才郭丰杨晨
关键词：总剂量效应电偶极子
SiGe/Si异质结缺陷的光致发光研究被引量：1
2007年
本文用光致发光(PL)光谱对Si0.87Ge0.13/Si异质结的缺陷进行了研究。对PL光谱中与SiGe外延层应变驰豫产生的失配位错相关的D-Band进行了分析,发现应变驰豫同时在SiGe层和Si衬底中诱生了位错。由于在PL光谱中观察到了D1而没有观察到D2,因此D1,D2很可能并不对应于相同的位错。通过进一步的分析,我们推测引起SiGe/Si异质结的PL光谱中D-Band的位错的微观结构很可能和Si-Si相关。
郭丰张静龚敏刘伦才杨晨谭开洲石瑞英
关键词：SIGE/SI异质结位错
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