钟朝位
- 作品数：232 被引量：218H指数：7
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国防基础科研计划中央高校基本科研业务费专项资金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：化学工程电气工程一般工业技术电子电信更多>>
- 一种微波介质陶瓷材料及其制备方法
- 本发明公开了一种微波介质陶瓷材料及其制备方法，属于电子陶瓷及其制造领域。本发明陶瓷材料包括将质量百分比为96.4％～97.6％的(CaLiSm)TiO<Sub>3</Sub>体系陶瓷和质量百分比为2.4％～3.6％的掺杂...
- 钟朝位赵昱谢林杉
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- 一种Ni-Ti-Ta基微波介质陶瓷材料及其制备方法
- 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种Ni‑Ti‑Ta基微波介质陶瓷材料及其制备方法，材料结构为Trirutile相。本发明提供的材料，烧结温度适中(1150‑1250℃)，介电常数适中(39‑41)，损耗低至4....
- 李恩竹杨鸿宇杨鸿程陈亚伟钟朝位张树人
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- 一种ZnAl<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>陶瓷体系材料及其制备方法
- 一种ZnAl<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>陶瓷体系材料及其制备方法，属于陶瓷材料及制备技术领域。本发明材料包括质量分数60％～70％的玻璃和质量分数为30％～40％的氧化铝；所述玻璃为钾铝硼硅系玻璃和...
- 钟朝位尚勇唐斌
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- Li_2O-B_2O_3-SiO_2玻璃掺杂对BZN陶瓷介电性能的影响被引量：3
- 2015年
- 采用传统的固相反应法制备了Li2O-B2O3-Si O2(LBS)玻璃掺杂的(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7(BZN)陶瓷,研究了LBS作为烧结助剂对BNZ陶瓷的烧结特性、晶相组成、微观结构以及介电性能的影响。结果表明,添加少量LBS玻璃后的陶瓷试样中没有出现第二相,主晶相仍为立方焦绿石结构。烧结助剂能有效降低BZN陶瓷的烧结温度,当LBS质量分数为0.6%时,陶瓷试样的烧结温度降到900℃,制备的试样具有良好的介电性能:相对介电常数为159,介质损耗为8×10–4(1 MHz)。
- 龚雨庭钟朝位
- 一种低介低损Ca-Al-B基LTCC材料及其制备方法
- 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，涉及一种低介电常数、低介电损耗Ca‑Al‑B基微波介质LTCC材料及其制备方法。本发明将CaO‑Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>‑B<Sub>2</Sub>O<Sub...
- 李恩竹温擎宇杨鸿程孙成礼钟朝位张树人
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- 一种低介低损Ca-Al-B基微波介质陶瓷材料
- 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，涉及一种低介低损Ca‑Al‑B基微波介质陶瓷材料及其制备方法。本发明首次将CaO‑Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>‑B<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub...
- 李恩竹温擎宇杨鸿程孙成礼钟朝位张树人
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- 成型工艺对高介薄型单层陶瓷电容器电阻性能影响
- 采用流延和轧膜成型两种工艺制作了尺寸为38.1mm×38.1mm×0.15mm,介电常数为25000左右的单层微波电容用陶瓷介质基片。系统对比了两种不同成型工艺对该基片的显微结构和电阻性能的影响规律。实验结果表明:轧膜成...
- 黎俊宇钟朝位张旭
- 关键词：陶瓷电容器SRTIO3绝缘电阻温度特性
- 纳米级陶瓷材料掺杂剂、高介抗还原多层陶瓷电容器介质材料及二者的制备方法
- 纳米级陶瓷材料掺杂剂、高介抗还原多层陶瓷电容器介质材料及二者的制备方法，属于电子材料技术领域，特别涉及一种电容器陶瓷材料。本发明所制备的掺杂剂的尺寸达纳米级，成本低，均匀性好。本发明解决所述技术问题采用的技术方案是，提供...
- 周晓华张树人钟朝位王升李波
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- 单元热释电红外探测器件及其制备方法
- 单元热释电红外探测器件及其制备方法，属于材料与元器件技术领域。器件包括上下电极和BST陶瓷半导体(5)和包裹在其外面的BST陶瓷氧化层介质(6)；BST陶瓷半导体(5)由掺有1～5wt%稀土杂质的(Ba<Sub>0.7<...
- 张树人钟朝位张万里
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- 铁电阴极材料电子发射机理的实验研究被引量：3
- 2000年
- 快极化反转在铁电阴极电子发射过程中具有决定性的作用 ,本工作采用XRD ,SEM等方法研究铁电发射机理 ,XRD图谱、晶胞参数测试结果以及扫描电镜观察到的电畴排列状况等从多个角度反映出不同铁电材料在电子发射前、后的晶体结构及电畴结构的相应变化状况 ,对实验结果的分析有助于理解铁电阴极电子发射机理以及性能与组成、结构之间的关系 .
- 张树人蔡雪梅钟朝位郭曙光
- 关键词：铁电体
