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闫循旺

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院理论物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇导体
  • 1篇电子结构
  • 1篇电子结构计算
  • 1篇铁磁
  • 1篇铁磁半导体
  • 1篇铁基超导体
  • 1篇子结构
  • 1篇结构和磁性质
  • 1篇反铁磁
  • 1篇反铁磁半导体
  • 1篇插层
  • 1篇超导
  • 1篇超导体
  • 1篇磁性
  • 1篇磁性质

机构

  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国人民大学

作者

  • 1篇向涛
  • 1篇闫循旺
  • 1篇卢仲毅
  • 1篇高淼

传媒

  • 1篇物理

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
插层三元铁硒超导体的电子结构和磁性质的理论研究被引量：1
2011年
最近发现的插层三元铁硒超导体AyFexSe2(A=K,Rb,Cs和/或Tl)显示诸多新颖现象.为了澄清这些现象,作者分别计算了没有铁空位的基于完整四方FeSe层的AFe2Se2,含有四分之一铁空位的4×2或2×2超结构的AFe1.5Se2,以及含有五分之一铁空位的槡5×槡5超结构的A0.8Fe1.6Se2三种情况下的电子结构和相应的磁构型,发现AFe2Se2是双共线反铁磁的半金属,而AFe1.5Se2和A0.8Fe1.6Se2则是分别具有数十和数百毫电子伏特能隙的反铁磁半导体,并分别处于共线反铁磁长程序和区块化棋盘反铁磁长程序中.作者还分析和讨论了AyFexSe2的这些基本电子结构可能对超导性质的影响.
卢仲毅闫循旺高淼向涛
关键词：铁基超导体反铁磁半导体电子结构计算
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