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陆尔东

作品数:39 被引量:43H指数:3
供职机构:中国科学技术大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金中国科学技术大学青年科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信核科学技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 33篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 2篇会议论文
  • 2篇专利

领域

  • 23篇理学
  • 13篇电子电信
  • 2篇核科学技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 21篇电子能
  • 20篇电子能谱
  • 17篇光电子能谱
  • 14篇GAAS
  • 13篇砷化镓
  • 10篇光电子能谱研...
  • 10篇半导体
  • 8篇钝化
  • 6篇电子结构
  • 6篇子结构
  • 6篇硫钝化
  • 5篇磁性
  • 4篇金属
  • 4篇光电
  • 4篇CH
  • 4篇CO
  • 4篇FE
  • 4篇表面钝化
  • 4篇磁性质
  • 3篇化合物半导体

机构

  • 38篇中国科学技术...
  • 6篇复旦大学
  • 3篇中国科学院
  • 2篇浙江大学
  • 2篇中国人民解放...
  • 1篇北京大学
  • 1篇中国科技大学
  • 1篇中国科学院长...
  • 1篇合肥国家同步...

作者

  • 39篇陆尔东
  • 30篇徐彭寿
  • 20篇张新夷
  • 11篇张发培
  • 11篇潘海斌
  • 10篇徐世红
  • 8篇徐法强
  • 8篇余小江
  • 4篇孙玉明
  • 3篇赵特秀
  • 3篇赵天鹏
  • 3篇侯晓远
  • 3篇丁训民
  • 3篇袁泽亮
  • 3篇金晓峰
  • 3篇郭红志
  • 2篇梁任又
  • 2篇范朝阳
  • 2篇潘海滨
  • 2篇胡海天

传媒

  • 11篇物理学报
  • 6篇Journa...
  • 4篇Chines...
  • 3篇真空科学与技...
  • 2篇中国科学技术...
  • 2篇物理化学学报
  • 2篇自然科学进展...
  • 1篇物理
  • 1篇物理学进展
  • 1篇核技术
  • 1篇第一次两岸同...
  • 1篇第十届全国磁...

年份

  • 1篇2003
  • 3篇2001
  • 5篇2000
  • 6篇1999
  • 5篇1998
  • 3篇1997
  • 8篇1996
  • 6篇1995
  • 1篇1993
  • 1篇1992
39 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
金属夹层对Ge/GaAs(100)能带偏离影响的研究
1996年
用光电发射的方法研究了碱金属Na和碱土金属Mg对Ge/GaAs(100)异质结形成及能带偏离的影响。实验结果表明,Na和Mg的薄夹层可使Ge/GaAs(100)的价带偏离分别增加0.19和0.18eV。通过Na,Mg和Al夹层的对比研究,可认为金属夹层对异质结能带偏离的影响与金属的电负性及其与衬底的相互作用有关。
徐彭寿徐世红潘海滨陆尔东朱警生刘先明麻茂生
关键词:半导体异质结砷化镓
Mn/GaAs(100)界面电子结构的同步辐射光电子能谱研究
1995年
利用同步辐射光电子能谱,研究了室温下在GaAs(100)表面上淀积的Mn的超薄膜的电子结构.实验发现,在θ<2ML的覆盖度下,Mn3d电子的能量态密度分布与体金属α-Mn差别很大;当θ>2ML之后,便逐步接近α-Mn的体电子结构.这一结果可由Mn3d电子的自旋向上带和自旋向下带的交换分裂很好地解释.由此推断,当覆盖度θ<2ML时,在GaAs(100)表面上淀积的Mn的超薄膜具有磁有序结构.
陈艳董国胜张明金晓峰陆尔东潘海斌徐彭寿张新夷范朝阳
关键词:电子结构光电子能谱
S_2Cl_2钝化的GaAs表面的同步辐射光电子能谱研究被引量:3
1998年
前已发现,将GaAs(100)晶片浸入S2Cl2或S2Cl2+CCl4溶液是实现GaAs表面钝化的一种有效途径.用同步辐射光电子能谱研究这种表面能直接测量S2p芯能级谱,从而揭示,在浸泡后的表面存在多种形态的含硫化合物.AsxSy是其中的主要成分,但轻度退火就能去除.随着退火过程中S原子从As-S转移到Ga-S,Ga3d谱中始终出现两个与Ga-S相关的分量。
胡海天丁训民袁泽亮李哲深曹先安侯晓远陆尔东徐世红徐彭寿张新夷
关键词:砷化镓钝化
氧与bcc相Co(100)表面相互作用的光电发射研究(英文)
1999年
通过在GaAs(100)表面生长具有弱有序的bcc相Co超薄膜,利用同步辐射光电发射和XPS,研究了室温下不同氧暴露量时Co膜的氧吸附行为。价带谱和Co3p发射谱结果表明,当暴露氧量低于4L时,氧解离吸附;更高的氧暴露量导致表面CoO相的成核与生成。退火温度超过470K后,氧以原子形式向Co基体中扩散。O1sXPS谱分解显示,存在着对应于不同氧吸附位的两种氧物种。
张发培徐鹏寿徐法强陆尔东余小江张新夷
关键词:光电发射XPS超薄膜
Ni(110)上Gd薄膜氧化的同步辐射光电子能谱研究
1999年
用同步辐射软X射线光电子能谱和X射线光电子能谱(XPS)研究了室温下氧与原位生长于Ni(110)上的Gd薄膜及Gd-Ni复合薄膜的相互作用。氧在3.7 nm的Gd膜上有很高的初始粘附几率。Gd4f双峰中的高结合能峰随氧暴露量的增加逐渐衰减,在吸附了50L的氧并在高温(800K)退火后几乎彻底消失。0~50L的氧暴露量范围内O 1s XPS峰的结合能为529.6eV,来自晶格氧。Gd/Ni(110)轻微氧化再经高温退火而形成的复合薄膜表面上,氧的吸附引起Gd在表面的偏析和进一步氧化,并可检测到化学吸附的O^-和晶格氧两种氧物种。对氧化机理和表面氧物种的本质与衍变进行了讨论。
朱俊发徐法强孙玉明王险峰陆尔东徐彭寿张新夷庄叔贤
关键词:光电子能谱
Co/S钝化GaAs(100)界面形成的SRPES研究
2000年
利用同步辐射光电发射谱研究了Co 与CH3CSNH2 处理的S钝化GaAs(100) 的界面形成.发现其界面反应较弱,Co 覆盖层达到0-8 nm 时,形成稳定的界面.GaAs 表面上和S原子形成桥键的Ga 原子与Co 发生交换反应并扩散到覆盖层中,形成Co—S键.Co 覆盖层表面无偏析As 的出现,与Co/GaAs(100) 界面不同,这表明GaAs 表面的S钝化可有效地阻止As
张发培郭红志徐彭寿祝传刚陆尔东张新夷梁任又
关键词:钝化砷化镓
国家同步辐射实验室同步辐射光电子能谱站的新进展
1996年
简要地阐述了同步辐射的优越性,介绍了国家同步辐射实验室(NSRL)光电子能谐站与光束线的设备.综述了国内主要用户及站上工作人员在金属/半导体界面等方面所开展的工作和一些实验结果.
徐世红徐彭寿陆尔东潘海斌余小江张发培
关键词:电子能谱金属半导体
CH_3CSNH_2/NH_4OH钝化GaAs(100)表面的XPS表征被引量:1
1996年
一种新的含硫化合物CH3CSNH2/NH4OH溶液被用来钝化GaAs(100)表面.应用X射线光电子谱(XPS)表征了该钝化液处理的GaAs(100)表面的成键特性和电子态.结果表明,经过处理的GaAs(100)表面,能有效地消除Ga和As的氧化物,并且S既与As成键也与Ga成键,形成了S与GaAs的新界面,这标志着CH3CSNH2/NH4OH溶液对GaAs(100)表面具有明显的钝化作用.钝化表面退火处理后,As的硫化物不稳定,进一步与GaAs衬底反应,生成稳定的GaS钝化层。
陆尔东徐彭寿余小江徐世红潘海斌张新夷赵天鹏
关键词:XPS表面钝化砷化镓
硫钝化对Fe/GaAs(100)界面电子结构和磁性质的影响被引量:2
2000年
利用同步辐射和铁磁共振研究了使用 CH3CSNH2 硫钝化的 Ga As( 1 0 0 )表面铁超薄膜的电子结构和磁性 .实验结果表明 ,硫钝化能阻止 As向铁薄膜层的扩散 ,减弱 As和 Fe的相互作用并增强了在 Ga As( 1 0 0 )表面生长的铁超薄膜的磁性 .
徐彭寿张发培祝传刚陆尔东徐法强潘海斌张新夷
关键词:硫钝化半导体界面电子结构磁性
非晶Fe_(40)Ni_(40)P_(14)B_6合金阳极钝化膜的电子能谱研究被引量:1
1995年
应用表面分析技术XPS和AES(包括深度分布)分析了非晶Fe40Ni40P14B6合金在H3BO3-Na2B4O7(pH=9.20)缓冲溶液中不同钝化势或不同钝化时间形成的阳极钝化膜的元素化学状态、结构和化学组成,探讨了加入Ⅲ、Ⅴ族B、P对非晶FeNi基合金钝化成膜的影响,并给出了阳极钝性成膜的一种机制.
陆尔东季明荣麻茂生刘先明徐彭寿
关键词:钝化电子能谱抗腐蚀性
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