陆尔东
- 作品数：39 被引量：43H指数：3
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- 相关领域：理学电子电信核科学技术金属学及工艺更多>>
- 金属夹层对Ge/GaAs(100)能带偏离影响的研究
- 1996年
- 用光电发射的方法研究了碱金属Na和碱土金属Mg对Ge／GaAs（100）异质结形成及能带偏离的影响。实验结果表明，Na和Mg的薄夹层可使Ge／GaAs（100）的价带偏离分别增加0．19和0．18eV。通过Na，Mg和Al夹层的对比研究，可认为金属夹层对异质结能带偏离的影响与金属的电负性及其与衬底的相互作用有关。
- 徐彭寿徐世红潘海滨陆尔东朱警生刘先明麻茂生
- 关键词：半导体异质结砷化镓锗
- Mn/GaAs(100)界面电子结构的同步辐射光电子能谱研究
- 1995年
- 利用同步辐射光电子能谱,研究了室温下在GaAs(100)表面上淀积的Mn的超薄膜的电子结构.实验发现,在θ<2ML的覆盖度下,Mn3d电子的能量态密度分布与体金属α-Mn差别很大;当θ>2ML之后,便逐步接近α-Mn的体电子结构.这一结果可由Mn3d电子的自旋向上带和自旋向下带的交换分裂很好地解释.由此推断,当覆盖度θ<2ML时,在GaAs(100)表面上淀积的Mn的超薄膜具有磁有序结构.
- 陈艳董国胜张明金晓峰陆尔东潘海斌徐彭寿张新夷范朝阳
- 关键词：电子结构光电子能谱
- S_2Cl_2钝化的GaAs表面的同步辐射光电子能谱研究被引量：3
- 1998年
- 前已发现，将ＧａＡｓ（１００）晶片浸入Ｓ２Ｃｌ２或Ｓ２Ｃｌ２＋ＣＣｌ４溶液是实现ＧａＡｓ表面钝化的一种有效途径．用同步辐射光电子能谱研究这种表面能直接测量Ｓ２ｐ芯能级谱，从而揭示，在浸泡后的表面存在多种形态的含硫化合物．ＡｓｘＳｙ是其中的主要成分，但轻度退火就能去除．随着退火过程中Ｓ原子从Ａｓ－Ｓ转移到Ｇａ－Ｓ，Ｇａ３ｄ谱中始终出现两个与Ｇａ－Ｓ相关的分量。
- 胡海天丁训民袁泽亮李哲深曹先安侯晓远陆尔东徐世红徐彭寿张新夷
- 关键词：砷化镓钝化
- 氧与bcc相Co(100)表面相互作用的光电发射研究(英文)
- 1999年
- 通过在GaAs（100）表面生长具有弱有序的bcc相Co超薄膜，利用同步辐射光电发射和XPS，研究了室温下不同氧暴露量时Co膜的氧吸附行为。价带谱和Co3p发射谱结果表明，当暴露氧量低于4L时，氧解离吸附;更高的氧暴露量导致表面CoO相的成核与生成。退火温度超过470K后，氧以原子形式向Co基体中扩散。O1sXPS谱分解显示，存在着对应于不同氧吸附位的两种氧物种。
- 张发培徐鹏寿徐法强陆尔东余小江张新夷
- 关键词：氧光电发射XPS超薄膜
- Ni(110)上Gd薄膜氧化的同步辐射光电子能谱研究
- 1999年
- 用同步辐射软X射线光电子能谱和X射线光电子能谱(XPS)研究了室温下氧与原位生长于Ni(110)上的Gd薄膜及Gd-Ni复合薄膜的相互作用。氧在3.7 nm的Gd膜上有很高的初始粘附几率。Gd4f双峰中的高结合能峰随氧暴露量的增加逐渐衰减,在吸附了50L的氧并在高温(800K)退火后几乎彻底消失。0～50L的氧暴露量范围内O 1s XPS峰的结合能为529.6eV,来自晶格氧。Gd/Ni(110)轻微氧化再经高温退火而形成的复合薄膜表面上,氧的吸附引起Gd在表面的偏析和进一步氧化,并可检测到化学吸附的O^-和晶格氧两种氧物种。对氧化机理和表面氧物种的本质与衍变进行了讨论。
- 朱俊发徐法强孙玉明王险峰陆尔东徐彭寿张新夷庄叔贤
- 关键词：光电子能谱
- Co/S钝化GaAs(100)界面形成的SRPES研究
- 2000年
- 利用同步辐射光电发射谱研究了Ｃｏ 与ＣＨ３ＣＳＮＨ２ 处理的Ｓ钝化ＧａＡｓ（１００） 的界面形成．发现其界面反应较弱，Ｃｏ 覆盖层达到０－８ ｎｍ 时，形成稳定的界面．ＧａＡｓ 表面上和Ｓ原子形成桥键的Ｇａ 原子与Ｃｏ 发生交换反应并扩散到覆盖层中，形成Ｃｏ—Ｓ键．Ｃｏ 覆盖层表面无偏析Ａｓ 的出现，与Ｃｏ／ＧａＡｓ（１００） 界面不同，这表明ＧａＡｓ 表面的Ｓ钝化可有效地阻止Ａｓ
- 张发培郭红志徐彭寿祝传刚陆尔东张新夷梁任又
- 关键词：钝化砷化镓
- 国家同步辐射实验室同步辐射光电子能谱站的新进展
- 1996年
- 简要地阐述了同步辐射的优越性，介绍了国家同步辐射实验室（ＮＳＲＬ）光电子能谐站与光束线的设备．综述了国内主要用户及站上工作人员在金属／半导体界面等方面所开展的工作和一些实验结果．
- 徐世红徐彭寿陆尔东潘海斌余小江张发培
- 关键词：电子能谱金属半导体
- CH_3CSNH_2／NH_4OH钝化GaAs（100）表面的XPS表征被引量：1
- 1996年
- 一种新的含硫化合物ＣＨ３ＣＳＮＨ２／ＮＨ４ＯＨ溶液被用来钝化ＧａＡｓ（１００）表面．应用Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）表征了该钝化液处理的ＧａＡｓ（１００）表面的成键特性和电子态．结果表明，经过处理的ＧａＡｓ（１００）表面，能有效地消除Ｇａ和Ａｓ的氧化物，并且Ｓ既与Ａｓ成键也与Ｇａ成键，形成了Ｓ与ＧａＡｓ的新界面，这标志着ＣＨ３ＣＳＮＨ２／ＮＨ４ＯＨ溶液对ＧａＡｓ（１００）表面具有明显的钝化作用．钝化表面退火处理后，Ａｓ的硫化物不稳定，进一步与ＧａＡｓ衬底反应，生成稳定的ＧａＳ钝化层。
- 陆尔东徐彭寿余小江徐世红潘海斌张新夷赵天鹏
- 关键词：XPS表面钝化砷化镓
- 硫钝化对Fe/GaAs(100)界面电子结构和磁性质的影响被引量：2
- 2000年
- 利用同步辐射和铁磁共振研究了使用 CH3CSNH2 硫钝化的 Ga As( 1 0 0 )表面铁超薄膜的电子结构和磁性 .实验结果表明 ,硫钝化能阻止 As向铁薄膜层的扩散 ,减弱 As和 Fe的相互作用并增强了在 Ga As( 1 0 0 )表面生长的铁超薄膜的磁性 .
- 徐彭寿张发培祝传刚陆尔东徐法强潘海斌张新夷
- 关键词：硫钝化半导体界面电子结构磁性
- 非晶Fe_(40)Ni_(40)P_(14)B_6合金阳极钝化膜的电子能谱研究被引量：1
- 1995年
- 应用表面分析技术XPS和AES（包括深度分布）分析了非晶Fe40Ni40P14B6合金在H3BO3－Na2B4O7（pH＝9．20）缓冲溶液中不同钝化势或不同钝化时间形成的阳极钝化膜的元素化学状态、结构和化学组成，探讨了加入Ⅲ、Ⅴ族B、P对非晶FeNi基合金钝化成膜的影响，并给出了阳极钝性成膜的一种机制．
- 陆尔东季明荣麻茂生刘先明徐彭寿
- 关键词：钝化电子能谱抗腐蚀性硼
