陆液
- 作品数：35 被引量：20H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：理学电子电信航空宇航科学技术轻工技术与工程更多>>
- Hg_(1-x)Cd_xTe梯度带隙薄膜材料生长及红外透射光谱研究被引量：1
- 2015年
- 利用气相外延法生长了Hg1-xCdxTe梯度带隙薄膜材料,通过小光点红外透射光谱测试,研究了材料的横向组分波动.利用多层模型和膜系传递矩阵对该薄膜材料的红外透射光谱和气相外延薄膜材料的纵向组分分布进行计算,计算结果与实验吻合,材料纵向组分分布与通过能谱测量的样品截面组分变化趋势一致.用光伏器件的制作工艺,选取气相外延生长的Au掺杂中波材料,制备了10元线列器件,测试结果表明器件性能较好,95K黑体D*λP可达4.20×1011(cm·Hz1/2·W-1).
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- 关键词：碲镉汞雪崩光电二极管红外透射光谱
- 一种低成本HgTe三维拓扑材料生长的方法
- 本发明公开了一种低成本HgTe三维拓扑材料生长方法。第一步、HgTe源采用1：1配比，得到正化学配比的HgTe拓扑材料。HgTe源在700℃下进行高温高压合成，合成过程中保持8h摇摆混合，确保HgTe源的均匀分布，最后冲...
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- 文献传递
- 微重力ZnTe:Cu晶体生长及阴极荧光光谱(CL)分析被引量：1
- 2018年
- 利用Te熔剂方法,在天宫二号飞船上成功地生长了ZnTe:Cu晶体.微重力下生长的晶体质量优于地面生长的晶体,相同实验条件下,天宫二号上生长的晶体尺寸明显大于地面尺寸.通过阴极荧光光谱(CL)无损检测技术测试了5 kV、15 kV、25 kV高压下的ZnTe:Cu晶体的阴极荧光图谱及光谱.
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- 关键词：微重力
- 室温350~850nm ZnSe晶体生长及阴极荧光光谱图谱分析
- 2020年
- 室温下利用阴极荧光光谱技术对ZnSe晶体进行了350~850 nm的无损全光阴极荧光图谱检测,分析了晶体内部缺陷及夹杂情况,室温下测得ZnSe晶体在400~550 nm的阴极荧光光谱,阴极荧光光谱测得462 nm处的ZnSe本征发光峰。缺陷处测得462 nm的本征发光峰和453 nm的缺陷发光峰,结合能谱分析,ZnSe晶体表面缺陷处的Zn:Se比约为6:4。阴极荧光图谱中缺陷处发光峰主要来自Zn夹杂缺陷发光。
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- 一种高密闭性碲镉汞气相外延的石英套管
- 本发明公开了一种用于碲镉汞气相外延生长的石英套管，该石英套管由99.99999％的高纯石英材料制成的石英外管、石英限位管和石英内管和石英塞组成。石英外管是一端封闭，一端开口的圆柱体结构，开口端与封闭门相连。石英限位管为圆...
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- 文献传递
- 高纯半导体材料的水平真空区熔制备方法
- 本发明公开了一种高纯半导体材料的水平真空区熔制备方法。利用水平区熔技术、低真空条件、载料舟以及带有通气孔和回流接收槽的载料舟盖，将真空蒸馏、真空脱气和区熔熔炼多种提纯方法融合在一起，从而实现通过一套设备和工艺实现高纯半导...
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- 碲锌镉衬底晶面极性对水平液相外延碲镉汞薄膜的影响
- 2023年
- 研究了碲锌镉衬底(111)晶面的不同极性对水平推舟液相外延生长碲镉汞薄膜的影响。实验结果显示,(111)A面碲锌镉衬底水平液相外延生长碲镉汞薄膜材料组分和厚度均与常规(111)B面碲锌镉衬底碲镉汞薄膜材料相当;碲镉汞母液在采用(111)A面、(111)B面衬底进行液相外延生长的碲镉汞薄膜上接触角分别为(50±2)°和(30±2)°,结合微观模型分析确认碲镉汞母液在碲镉汞薄膜(111)A面存在更大的表面张力;观察并讨论了(111)A面碲镉汞与(111)B面碲镉汞薄膜材料表面微观形貌的差别;实验获得的(111)A面碲镉汞薄膜XRD半峰宽为33.1arcsec。首次报道了(111)晶面选择对母液残留的影响,研究结果表明,采用(111)A面碲锌镉衬底进行碲镉汞水平推舟液相外延生长,能够在不降低晶体质量的情况下,大幅减小薄膜表面母液残留。
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- 关键词：液相外延
- 微重力条件下红外材料的空间生长
- 2018年
- 根据近年红外材料在空间生长的研究概况,分析了涵盖熔体、气相、液相外延和分子束外延等生长方法及各个方法生长红外材料的基本原理,在地面生长遇到的问题,以及在空间微重力环境中进行红外材料生长的优势.同时基于中国利用熔体法在天宫二号上已经进行的ZnTe:Cu晶体的空间生长科学实验及地基实验结果,通过对空间和地面实验结果进行对比,提出了在超高真空环境下,利用分子束外延方式生长高性能、大尺寸红外材料的可能性,以及未来在空间微重力条件下进行红外材料生长的研究方向及具体应用.
- 焦翠灵王仍陆液李向阳
- 关键词：微重力红外材料
- 高纯半导体材料的水平真空区熔制备方法
- 本发明公开了一种高纯半导体材料的水平真空区熔制备方法。利用水平区熔技术、低真空条件、载料舟以及带有通气孔和回流接收槽的载料舟盖，将真空蒸馏、真空脱气和区熔熔炼多种提纯方法融合在一起，从而实现通过一套设备和工艺实现高纯半导...
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- 文献传递
- 金掺杂碲镉汞外延材料生长及拉曼光谱研究被引量：5
- 2014年
- 采用气相外延技术生长金掺杂的Hg1-xCdxTe薄膜材料,通过高低温退火工艺有效控制p型Hg1-xCdxTe材料的电学参数,利用傅里叶光谱仪、金相显微镜以及拉曼光谱技术对薄膜材料进行表征。通过常规光伏器件的制作工艺,利用金掺杂材料初步研制了短波器件,器件性能较好黑体DλP*可达4.67E+11/(cmHz1/2W-1)。
- 王仍焦翠灵徐国庆陆液张可峰杜云辰李向阳张莉萍邵秀华林杏潮
- 关键词：气相外延拉曼光谱
