陈诺夫
- 作品数：220 被引量：194H指数：6
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- 相关领域：电子电信电气工程理学一般工业技术更多>>
- 一种碳化硅单晶生长用固气界面可控的坩埚
- 本发明公开了一种单晶生长用固气界面可控的坩埚，其包括坩埚本体，贯穿坩埚本体底部的连接杆，所述连接杆连接原料盒，所述原料盒随所述连接杆在坩埚本体内升降；所述坩埚本体的外表面设置保温层；所述原料盒是内置于坩埚的开口原料盒；所...
- 陈诺夫杨阳
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- 具有布拉格反射器的n<Sup>+</Sup>/p型高抗辐照GaAs太阳电池
- 一种具有布拉格反射器的n<Sup>+</Sup>/p型高抗辐照砷化镓太阳电池结构，包括：一衬底，该衬底用于在其上进行太阳电池各层材料外延生长；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一布拉格反射器结构，该布拉格反射器结构制作在缓...
- 白一鸣陈诺夫戴瑞烜王鹏王晓东
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- 一种制备金属铪薄膜材料的方法
- 本发明提供一种制备金属铪薄膜材料的方法。利用具有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备，以纯度要求不高的低成本氯化铪为原材料，在用单束同位素纯低能氩离子轰击溅射清洗过的洁净衬底上，先用产生的同位素纯低能金属...
- 杨少延柴春林刘志凯陈涌海陈诺夫王占国
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- 在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法
- 一种在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)以硅单晶为衬底材料；2)采用磁控溅射方法，选择锰靶和硅靶两个靶；3)将硅单晶衬底送入磁控溅射仪制备室；4)衬底为室温或加温，锰靶和硅靶共溅射制...
- 刘力锋陈诺夫尹志岗杨霏柴春林
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- 晶格失配对GaInP/In_xGa_(1-x)As/In_yGa_(1-y)As倒装三结太阳电池性能影响的分析被引量：1
- 2017年
- 传统GaInP/(In)GaAs/Ge三结太阳电池因受其带隙组合的限制,转换效率再提升空间不大.倒装结构三结太阳电池因其更优的带隙组合期望可以得到更高的效率.基于细致平衡原理,结合P-N结形成机理,应用MATLAB语言对双晶格失配GaInP(1.90 eV)/In_xGa_(1-x)As/In_yGa_(1-y)As倒装结构三结太阳电池底、中电池的不同带隙组合进行模拟优化.模拟结果表明在AM1.5D,500倍聚光(500 suns)下,禁带宽度组合为1.90/1.38/0.94 eV的带隙最优,综合材料成本与试验条件,当顶、中电池最优厚度组合为4μm和3.2μm时理论转化效率高达51.22%,此时两个异质结的晶格失配度分别为0.17%和2.36%.忽略渐变缓冲层生长后底电池位错的影响,通过计算0.17%的晶格失配引入1.70×105cm^(-2)的插入位错密度,对比单晶格失配GaInP/GaAs/In_(0.32)Ga_(0.68)As(0.99 eV)倒装结构三结太阳电池光电转化效率仍提高了0.3%.
- 马大燕陈诺夫付蕊刘虎白一鸣弭辙陈吉堃
- 关键词：倒装结构
- 磁控溅射靶的制造方法及该方法使用的模具
- 一种磁控溅射靶制造方法使用的模具，其特征在于，包括：一套筒，该套筒为管状，其一端的内侧有一圈凹缺；一圆柱体，该圆柱体的直径与套筒的内径相同，该圆柱体容置在套筒内；一靶托，该靶托为盘状，中间有一凹部，其直径与套筒下部的凹缺...
- 尹志岗杨霏陈诺夫吴金良柴春林
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- 组份渐变铁磁性半导体制备方法
- 一种组份渐变铁磁性半导体制备方法，其特征在于，其步骤包括：步骤1：选择半导体单晶片，该半导体单晶片作为基底材料；步骤2：将所述的基底材料加热，为下一步工艺作好准备；步骤3：在基底上生长组份渐变的磁性半导体材料；步骤4：对...
- 陈诺夫张富强杨君玲刘志凯杨少延柴春林
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- 锗/石墨/硅薄膜结构的制备及其性质分析被引量：1
- 2015年
- 利用磁控溅射技术在单晶硅衬底上制备出具有Ge/石墨/Si结构的薄膜样品,然后把其放入快速热退火(RTA)炉中退火。扫描电子显微镜(SEM)测试表明,石墨过渡层的引入缓解了Si、Ge之间的晶格失配和热失配。X射线衍射(XRD)分析表明450℃是Ge薄膜晶化的临界衬底温度,750℃是使Ge薄膜RTA晶化程度明显提高的临界退火温度,30s是最佳退火时间。
- 牟潇野陈诺夫白一鸣杨博陶泉丽陈吉堃
- 关键词：衬底温度快速热退火
- 液相外延法制备0.55eV-GaInAsSb四元合金薄膜及其在热光伏器件中的应用(英文)
- 2008年
- 利用液相外延法(LPE)在n型GaSb衬底上成功制备了用于热光伏电池的Ga1-xInxAsySb1-y四元合金薄膜.通过原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了分析评价.X射线能谱(EDAX)分析表明四元合金薄膜的成分为x=0.2,y=0.17.红外傅里叶变换透射谱分析表明,其室温下的吸收截止波长为2.256μm,对应禁带宽度为0.55eV.室温下的霍尔测试结果表明外延膜具有良好的电学性能,其非故意掺杂的薄膜表现为p型,载流子浓度为6.1×1016cm-3,迁移率为512cm2/(V·s).又进一步利用Ga1-xInxAsySb1 -y薄膜制备了不同结构的GaInAsSb基热光伏电池,光谱响应测试表明其量子效率可达60%.
- 刘磊陈诺夫杨晓丽汪宇高福宝
- 关键词：GAINASSB液相外延光谱响应
- 一种增强氧化锌薄膜蓝光发射的方法
- 本发明一种增强氧化锌(ZnO)薄膜蓝光发射的方法，涉及半导体技术，该方法制备ZnO/Ag复合结构薄膜，利用Ag表面等离激元与ZnO带间发射间的共振耦合，使ZnO带间辐射复合速率加快；同时借助具有一定粗糙度的Ag薄膜表面将...
- 张兴旺游经碧范亚明屈盛陈诺夫
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