马定宇
- 作品数：10 被引量：1H指数：1
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电气工程电子电信化学工程更多>>
- 渐变InGaN的分子束外延生长
- Ⅲ族氮化物因其宽直接带隙、高稳定性、高热导率、介电常数小、抗辐射以及组成合金后的宽发光光谱的优异特性,吸引了越来越多的注意力,在光电子器件以及微电子领域有着越来越广泛的用途.2002年,随着高质量InN膜的成功制备, 发...
- 郑显通王新强马定宇荣新王平沈波
- 一种双组分渐变结构太阳能电池及其制备方法
- 本发明公开了一种双组分渐变结构太阳能电池及其制备方法。本发明的太阳能电池包括：衬底、底电极接触层、底组分渐变层、吸收增强层、顶组分渐变层、顶电极接触层、顶电极、底电极以及钝化层；其中，在衬底上生长底电极接触层；在底电极接...
- 王新强盛博文荣新王平唐宁郑显通马定宇荀坤沈波
- 文献传递
- 全In组分可调InGaN的分子束外延生长被引量：1
- 2015年
- Ⅲ族氮化物InxGa1-xN合金为直接带隙半导体,其禁带宽度随着In组分变化从3.43 e V(Ga N)到0.64e V(In N)连续可调,波长范围覆盖了0.3–1.9μm,具有电子饱和速度高和光学吸收系数大等特点,是制备高效率全光谱太阳能电池和白光照明器件的理想材料.由于缺少合适的衬底,In N和InxGa1-xN薄膜通常生长在蓝宝石或Ga N模板上.本论文综述了采用MBE方法,在蓝宝石衬底和Ga N模板上生长了In N和全组分InxGa1-xN薄膜的生长行为和材料物理性质.利用MBE边界温度控制法在蓝宝石衬底上生长高室温电子迁移率的InN薄膜,利用温度控制外延法在Ga N/蓝宝石模板上制备了全组分InxGa1-xN薄膜.
- 王新强王平刘世韬王平马定宇郑显通
- 关键词：N分子束外延
- 一种可控阵列纳米线太阳能电池及其制备方法
- 本发明公开了一种可控阵列纳米线太阳能电池及其制备方法。本发明的太阳能电池包括：衬底、N型掺杂层、N型纳米线、多量子阱、P型掺杂层、绝缘材料、P型电极和N型电极；N型纳米线和多量子阱构成核‑壳结构；通过设计图形化衬底的排布...
- 王新强王平荣新盛博文唐宁郑显通马定宇荀坤沈波
- 文献传递
- 一种可控阵列纳米线太阳能电池及其制备方法
- 本发明公开了一种可控阵列纳米线太阳能电池及其制备方法。本发明的太阳能电池包括：衬底、N型掺杂层、N型纳米线、多量子阱、P型掺杂层、绝缘材料、P型电极和N型电极；N型纳米线和多量子阱构成核-壳结构；通过设计图形化衬底的排布...
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- 全组分InGaN薄膜的MBE生长及其物性研究
- 本文利用分子束外延(MBE)设备，采用调节生长温度控制In组分的方法，获得了高质量的全组分InxGa1-xN合金薄膜，并对其b因子进行了深入研究。
- 刘世韬王新强陈广冯丽马定宇沈波
- 关键词：半导体材料分子束外延生长
- InN/GaN数字合金的分子束外延生长研究
- 郑显通王新强马定宇陈广沈波
- 基于InxGa1-xN/GaN超晶格的太阳能电池的研究
- 本文采用中间层为InGaN/GaN超晶格的电池结构来改善晶体质量,初步制作并研究了InXGa1-xN/GaN超晶格太阳能电池。 结果显示，InN组分为32％的电池得到最高的转换效率1.16％，其开路电压Voc为2.01...
- 李志龙王新强贾传宇陈广郑显通马定宇蒋一祥沈波
- 关键词：太阳能电池半导体材料超晶格性能评价
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- 硫化处理对不同极性INN表面电荷累积层的影响
- 本文采用硫化铵化学处理的方法对INN表面高密度的累积层进行调控.由霍尔测试结果表明,硫化处理后,INN薄层电导发生改变,并结合层状模型,提取表层和体层的电子输运特性,发现不同极性的INN表面电荷累积层的载流子浓度均有所降...
- 邹祥云王新强郑显通马定宇蒋一祥苑进社
- 关键词：INN载流子浓度
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- 一种双组分渐变结构太阳能电池及其制备方法
- 本发明公开了一种双组分渐变结构太阳能电池及其制备方法。本发明的太阳能电池包括：衬底、底电极接触层、底组分渐变层、吸收增强层、顶组分渐变层、顶电极接触层、顶电极、底电极以及钝化层；其中，在衬底上生长底电极接触层；在底电极接...
- 王新强盛博文荣新王平唐宁郑显通马定宇荀坤沈波
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