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弛豫铁电单晶PMNT的生长及组分对结构与性能的影响: 弛豫铁电单晶(1-x)Pb(MgNb)OPbTiO(简写为PMNT)具有异常高的压电性能,如压电常量d达到2000pC/N,机电耦合因数k超过0.90,这些参数远远超过传统的PZT系压电陶瓷,显示出在许多重要应用领域,如...; 许桂生王晓锋段子青马铭华孔杰杨丹凤殷之文; 文献传递

非真空下降法生长掺铊碘化铯晶体的工艺技术: 沈定中殷之文邓群马铭华; 掺铊碘化铯CSI（Tl）晶体是一种重要的无机闪烁体，具有发光效率高，发光峰值能与光电二极管很好匹配，使读出系统大为简化，机械加工性能好等优良特性，在高能物理、核物理、核医学、工业检测、地质勘探等领域有着重要的应用价值。日...; 关键词：; 关键词：晶体生长

掺铊碘化铯晶体的生长缺陷被引量：2: 1997年; 掺铊碘化铯晶体为高能探测器用的闪烁晶体。由于高能粒子在材料中的衰减性能决定了该晶体材料作闪烁体应用时所需的尺寸为５５２×６７２×３００ｍｍ，晶体生长毛坯质量约１０ｋｇ。如此之大的晶体无疑为晶体生长带来了一定困难，器件要求晶体无明显宏观缺陷，即无开裂、无气泡、云层等缺陷。但在晶体实际生长中晶体生长参数的选择及生长炉内的温场分布，往往决定了晶体的不完整性，尤其是大直径晶体的生长。由于其大量结晶之潜热的释放，如不及时交换出去，将对晶体的生长前沿产生影响，即改变了晶体的生长机制。我们采用非真空坩埚下降法来生长该晶体，由于该生长法须用氧化铝管和氧化铝粉，在一定程度上阻止了热量的散发，使得晶体生长时的结晶热不能及时与环境交换，改变了晶体生长界面的形貌。在晶体生长后的一段距离于晶体的中心部位常出现一串气泡，且向上呈发散状或气泡可在晶体内保持直径达１０ｃｍ之后发散。气泡直径可由０．５～１ｃｍ左右不等，也有严重时达２ｃｍ左右。显然此时晶体处于凹界面的生长状态，生长界面呈反转现象，于是在晶体的中心热量不能及时带走，便有大量熔体被包裹于晶体内。在进一步的冷却过程中，这部分熔体凝固。由于固－液之间的体积差，在晶体的体内就留下了大量?; 山国强马铭华沈定中; 关键词：布里奇曼法半导体

几种高Tc.强压电性弛豫型铁电体的相图研究: 许桂生王晓锋杨丹凤段子青马铭华孔杰; 研究用Bridgman法获得了PCNT64/36单晶，尺寸Φ40×80mm，发现该晶体近于一致熔融，组分分凝较轻，结构及电学性能沿生长方向的变化很小（如居里温度Tc的变化小于3℃），但该晶体的Tc在144℃附近，低于以往...; 关键词：; 关键词：高居里温度弛豫铁电体相图

中-高居里温度PMeMNT压电单晶的生长: 许桂生王晓锋杨丹凤马铭华段子青孔杰; 该项目在热力学分析和实验相图测试的基础上，开展了中高居里温度PIN-PT，PYN-PT及PMeN-PMN-PT三元压电单晶的生长与性能研究。采用Solution Bridgman 晶体生长技术，获得了具有高居里温度的PI...; 关键词：; 关键词：高居里温度晶体生长

非真空下降法生长掺铊碘化铯晶体的工艺技术: 本发明为改进后的非真空下降法生长大尺寸掺铊碘化铯晶体,属于碘化铯晶体生长领域。使用本发明提供的工艺技术可克服CsI(T1)晶体生长中内应力问题以及适合工业化生产。T1的掺杂量每百克CsI为400～800ppm,脱氧剂加入...; 沈定中殷之文邓群马铭华; 文献传递

非真空下降法多坩埚生长掺铊碘化铯晶体的工艺技术: 本发明为改进后的非真空下降法生长大尺寸掺铊碘化铯晶体，属于碘化铯晶体生长领域。使用本发明提供的工艺技术可克服CsI(T1)晶体生长中内应力问题以及适合工业化生产。T1的掺杂量每百无CsI为400～800ppm，脱氧剂加入...; 沈定中殷之文邓群马铭华; 文献传递

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马铭华

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