您的位置: 专家智库 > >

高俊华

作品数:28 被引量:57H指数:5
供职机构:北京邮电大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 22篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 1篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 26篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 6篇刻蚀
  • 6篇激光
  • 6篇激光器
  • 5篇腔面
  • 5篇面发射
  • 5篇半导体
  • 5篇垂直腔
  • 5篇垂直腔面
  • 5篇垂直腔面发射
  • 5篇GAAS
  • 4篇波导
  • 3篇调谐
  • 3篇选择性湿法刻...
  • 3篇砷化镓
  • 3篇湿法刻蚀
  • 3篇探测器
  • 3篇全内反射
  • 3篇面发射激光器
  • 3篇可调
  • 3篇可调谐

机构

  • 27篇中国科学院
  • 5篇北京邮电大学
  • 1篇吉林大学

作者

  • 28篇高俊华
  • 8篇林世鸣
  • 7篇康学军
  • 7篇罗丽萍
  • 6篇李传波
  • 6篇毛容伟
  • 6篇高洪海
  • 6篇左玉华
  • 6篇王红杰
  • 6篇王启明
  • 5篇余金中
  • 5篇朱家廉
  • 5篇黄昌俊
  • 5篇黄永清
  • 5篇黄辉
  • 5篇任晓敏
  • 5篇成步文
  • 4篇白云霞
  • 4篇马朝华
  • 4篇马骁宇

传媒

  • 16篇Journa...
  • 2篇光子学报
  • 2篇高技术通讯
  • 2篇第十二届全国...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇第七届全国固...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 2篇2004
  • 3篇2003
  • 3篇2002
  • 1篇2001
  • 1篇2000
  • 2篇1999
  • 1篇1997
  • 5篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 2篇1990
  • 1篇1989
28 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Al_xGa_(1-x)As/GaAs多层异质材料中Al_xGa(1-x)As层氧化特性的实验研究被引量:1
1997年
本文报道了AlxGa1-xAs/GaAs多层异质外延材料中高Al组份的AlxGa1-xAs层在400~500℃与水汽(携带气体为N2)发生化学反应的氧化特性.其氧化反应是沿着AlxGa1-xAs层从其刻蚀出的台面边界开始横向进行的.AlxGa1-xAs层的氧化速度与AlxGa1-xAs中x值、层厚、水汽通量、氧化温度等4个因素有关;根据不同温度下AlAS层氧化反应速度常数,计算出了一定厚度AlAs层与水汽发生化学反应的活化能.
康学军林世鸣高俊华廖奇为朱家廉王红杰张春晖王启明
SiGe/Si HBT的材料生长和器件研制
介绍了SiGe/Si HBT材料的UHV/CVD生长工艺,并用电化学C-V和二次离子质谱分别研究了SiGe/Si HBT材料的载流子分布和组分分布,测试结果表明实现了对掺杂的严格控制,有效抑制了杂质的扩散,所生长的材料达...
成步文左玉华毛容伟李传波黄昌俊张建国高俊华余金中王启明
关键词:SIGE/SI
文献传递
1.3μm Si-Based MOEMS Optical Tunable Filter with a Tuning Range of 90nm被引量:1
2003年
Optical filters capable of single control parameter based wide tuning are implemented and studied.A prototype surface micromachined 1 3μm Si based MOEMS (micro opto electro mechanical systems) tunable filter exhibits a continuous and large tuning range of 90nm at 50V tuning voltage.The filter can be integrated with Si based photodetector in a low cost component for coarse wavelength division multiplexing systems operating in the 1 3μm band.
左玉华黄昌俊成步文蔡晓毛容伟李传波罗丽萍高俊华白云霞姜磊马朝华朱家廉王良臣余金中王启明
关键词:MOEMS
利用光子晶体提高InP基LED出光效率被引量:2
2006年
应用FDTD方法计算了二维无限大光子晶体的能带结构,并制备出了InP基二维平板结构的光子晶体器件.在制备过程中尝试了仅用PMMA做掩模以及PMMA和SiO2做掩模两种方法.结果表明,不使用SiO2做掩模的情况下,由于PMMA胶选择性较差,在刻蚀过程中难以保证图形的准确转移.而增加SiO2掩模后,获得了图形质量良好的光子晶体结构.成功实现了利用光子晶体结构增强LED的出光效率,与未制作光子晶体结构的LED相比,光子晶体结构LED的出光效率可在原来基础上提高1倍以上.并且随着晶格常数的增加,出光效率进一步提高.
杜伟许兴胜孙增辉鲁琳高俊华赵致民王春霞陈弘达
关键词:光子晶体电子束曝光反应离子束刻蚀
室温连续工作的GaAs/AlGaAs垂直腔面发射激光器列阵被引量:1
1996年
报导了由选择氧化法研制的GaAs/AlGaAs垂直腔面发射激光器,DBR中的AlAs经选择氧化形成的氧化层作为有源区的横向电流限制层,器件的最低阈值电流为3.8mA,输出功率大于lmW,发散角小于7.8°,高频测量脉冲上升沿达100ps,并由此器件制成了2×3二维列阵。
林世鸣康学军高俊华高洪海王启明王红杰王立轩张春晖
关键词:垂直腔面发射激光器氧化法砷化镓ALGAAS
InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器
1996年
报道了一种新型的具有InGaAs量子阱结构有源区的垂直腔面发射激光器.采用钨丝作为掩膜,通过两次垂直交叉H+质子轰击工艺制备器件,初步实现了室温脉冲工作,最低阈值电流达20mA,激射波长为915nm。
刘颖杜国同姜秀英刘素平张晓波赵永生高鼎三林世呜高洪海高俊华王洪杰康学军
关键词:INGAAS面发射激光器
1.55μm Fabry-Perot Thermo-Optical Tunable Filter with Amorphous-Si as Cavity
2003年
A 1.55μm Fabry-Perot (F-P) thermo-optical t unable filter is fabricated.The cavity is made of amorphous silicon (a-Si) layer grown by electron-beam evaporation technique.Due to the excellent thermo-optical property of a-Si,the refractive index of the F-P cavity will be changed by heating;the transmittance resonant peak will therefore shift substantially.The measured tuning rang is 12nm, FWHM (full-width-at-half-maximum) of the transmissi on peak is 9nm,and heating efficiency is 0.1K/mW.The large FWHM is mainly due to th e non-ideal coating deposition and mirror undulation.Possible improvements to increase the efficiency of heating are suggested.
左玉华蔡晓毛容伟黄昌俊成步文李传波罗丽萍高俊华白云霞姜磊马朝华王良臣余金中王启明
关键词:FABRY-PEROTA-SI
图形衬底上应变SiGe/Si超晶格的结构及光致发光研究被引量:4
1999年
本文研究了在Si的图形衬底上生长应变SiGe/Si超晶格的结构和其光致发光性质.图形衬底由光刻形成的类金字塔结构组成.发现在组成倒金字塔结构的(111)面的交界处有富Ge的SiGe量子线出现.对相同条件下图形衬底和平面衬底上的应变SiGe层的光致发光谱进行了比较,图形衬底上总的发光强度相对提高了5.2倍.认为这种提高同富Ge的SiGe量子线的产生相关.
司俊杰杨沁清高俊华滕达王启明郭丽伟周均铭
关键词:锗化硅图形衬底光致发光
室温连续的新结构垂直腔面发射半导体激光器被引量:3
1995年
本文报道了室温连续激射的GaAs/GaAIAS新结构垂直腔面发射半导体激光器的最新研究结果.该器件结构是采用钨丝掩膜四次质子轰击方法制备的,这种方法是目前报道的垂直腔面发射激光器制作工艺中最简单的.对于直径15μm的钨丝,器件的最低阈值电流为17mA,最大光输出功率达4mW,微分量子效率高达65%.
刘颖杜国同姜秀英刘素平张晓波赵永生高鼎三林世鸣康学军高洪海高俊华王红杰
关键词:半导体激光器砷化镓GAALAS激光器
GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究被引量:5
2001年
采用 BCl3和 Ar作为刻蚀气体对 Ga As、Al As、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究 ,通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分达到对刻蚀速率的控制 .实验结果表明 :在同样条件下 Ga As刻蚀的速率高于 DBR和 Al As,在一定条件下 Ga As刻蚀的刻蚀速率可达 40 0 nm/m in,Al As的刻蚀速率可达 35 0 nm/min,DBR的刻蚀速率可达 340 nm/min,刻蚀后能够具有光滑的形貌 ,同时能够形成陡直的侧墙 ,侧墙的角度可达 85°.
刘文楷林世鸣武术朱家廉高俊华渠波陆建祖廖奇为邓晖陈弘达
关键词:反应离子刻蚀刻蚀速率DBR砷化铝
共3页<123>
聚类工具0