高兆丰
- 作品数：28 被引量：51H指数：5
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
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- 国产半导体器件长期贮存试验研究
- 本文通过对北方实验室条件下贮存25年的国产商用高频小功率晶体管进行研究.找到三种失效模式.考虑到现代技术可消除的因素(或已焊接使用),计算预计80年代的国产商用器件储存失效率水平小于10-7/h.
- 高兆丰高金环徐立生
- 关键词：可靠性失效率可焊性水汽含量半导体器件
- 文献传递
- 多模计数器静电放电损伤的失效分析被引量：2
- 2017年
- 静电放电(ESD)损伤会降低半导体器件和集成电路的可靠性并导致其性能退化。针对一款国产2-32型多模计数器的失效现象,通过分析该计数器的电路结构,利用X射线成像、显微红外热成像、光束感生电阻变化以及钝化层、金属化层去除等技术对计数器进行了失效分析,将失效点准确定位至输出端口逻辑单元电路的2只晶体管上。分析结果表明,多模计数器的ESD损伤使输出端口驱动晶体管以及为负载晶体管提供栅偏置的前级电路晶体管同时受损,导致计数器端口高、低电平输出均失效而丧失计数功能。对相关的失效机理展开了讨论,同时提出了在电路研制和使用过程中的ESD防护措施。
- 席善斌裴选刘玮高兆丰彭浩黄杰
- 国产半导体器件长期贮存试验研究被引量：5
- 2010年
- 分析了在北方实验室条件下,贮存25年的国产商用高频小功率晶体管的特性与可靠性,通过对10批共1 460只器件的试验、检测,并与25年前的原始数据进行对比分析,发现了贮存器件存在直流放大倍数(HFE)退化、内引线开路、外引线可焊性失效三种失效模式,并对其失效原因、失效机理进行了分析。在考虑到现代技术可以消除的因素(用充干N2封装或已焊接使用),预计80年代的国产商用高频小功率晶体管贮存失效率水平小于10-7。用贮存25年的实物揭示了国产半导体器件贮存存在的主要失效模式,为国产半导体器件提高贮存可靠性提供了真实可靠的依据。
- 高兆丰童亮高金环徐立生
- 关键词：可靠性失效率可焊性水汽含量
- GB/T4937系列标准制订现况——第14部分:引出端强度(引线牢固性)被引量：1
- 2016年
- 该文简述了GB/T 4937《半导体器件机械和气候试验方法》系列标准目前的制订现况。重点针对GB/T 4937-1995中第Ⅱ篇第1章引出端强度,阐述了GB/T 4937-1995版标准存在的弊端,以及新制定标准GB/T 4937.14《半导体器件机械和气候试验方法第14部分:引出端强度(引线牢固性)》的优越性。
- 裴选彭浩席善斌张魁高兆丰黄杰
- 关键词：GB/T
- 高亮发光二极管寿命评价被引量：9
- 2009年
- 高亮发光二极管广泛应用于户外显示屏、交通灯、汽车灯及电子设备和工业设备指示灯等方面,因其具有体积小、功耗低、寿命长、反映速度快、适合量产等诸多优点,因而使用市场巨大,对其寿命评价尤显意义重大。通过温度应力的加速寿命试验对某高亮型LED的平均寿命进行了快速评价,设计采取单一加速应力的试验方法,通过建立加速模型,进行加速试验,采用退化系数解析法进行数据处理,最终得到了室温下该高亮型LED的平均寿命。
- 闫德立高金环高兆丰徐立生
- 关键词：发光二极管光通量平均寿命
- 照明用功率LED的加速寿命试验被引量：4
- 2009年
- 阐述了照明用功率发光二极管(LED)的退化规律,提出了一种实用的加速寿命试验方法来评估功率LED的长期使用寿命,并使用该方法分别对LUMILEDS公司1 W白光LED和CREE公司1 W蓝光LED的使用寿命进行了评估。
- 高兆丰曹耀龙高金环黄杰徐立生
- 关键词：功率发光二极管加速寿命试验激活能使用寿命
- 国产半导体器件长期贮存试验研究
- 本文通过对北方实验室条件下贮存25年的国产商用高频小功率晶体管进行研究.找到三种失效模式。考虑到现代技术可消除的因素(或已焊接使用),计算预计80年代的国产商用器件储存失效率水平小于10/h。
- 高兆丰高金环徐立生
- 关键词：可靠性失效率可焊性水汽含量
- 文献传递
- 金迁移诱致谐波混频器失效分析研究被引量：3
- 2015年
- 对用于某下变频器模块中的HMC264型谐波混频器开展了失效分析研究。结果表明,混频器增益下降、电流增大是由于混频器芯片表面产生金迁移并将相邻金属化条跨接所致。混频器芯片表面产生金属迁移是因为芯片表面有液体聚集现象存在,加电使用过程中,金属化层材料Au在电场及残留液体共同作用下发生迁移所致。借助扫描电镜对电迁移形貌及元素成分进行了分析,并对电迁移相关的失效机理进行了讨论,最后对预防电迁移所导致的失效提出了预防和改进措施。
- 席善斌高金环裴选高兆丰黄杰
- 关键词：谐波混频器
- AT42070晶体管可靠性快速评价方法
- 本文介绍一种针对进口工业品微波小功率晶体管的单批可靠性快速评价方法,以及在稳态热阻测量中须注意的事项.
- 高兆丰徐立生
- 关键词：微波晶体管可靠性
- 文献传递
- 半导体器件的贮存寿命
- 本文从失效机理出发,探讨了半导体器件的贮存寿命,提供了3种美国军用半导体器件长期贮存的实例,介绍了俄罗斯的规范,建议对超期复验中的有效贮存期作必要的修订.
- 徐立生高兆丰梁法国张士芬
- 关键词：半导体器件
- 文献传递
