高扬
- 作品数：8 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种SOI MEMS牺牲层腐蚀时金属电极的保护方法
- 一种SOI？MEMS牺牲层腐蚀时金属电极的保护方法，包括在SOI硅片结构层表面进行光刻、采用剥离工艺制作金属电极；在SOI硅片结构层表面溅射金属铝；在SOI硅片结构层表面光刻，定义出MEMS结构图形；腐蚀SOI硅片结构层...
- 张照云唐彬苏伟陈颖慧彭勃高扬熊壮
- 文献传递
- 一种基于五层SOI硅片的MEMS单片集成方法
- 本发明公开了一种基于五层SOI的MEMS单片集成方法，包括：在硅片上采用标准的SOI CMOS工艺完成集成电路部分的制作；在硅片上淀积钝化层保护集成电路部分；在硅片背面光刻，刻蚀背面硅至绝缘层，并刻蚀暴露出的绝缘层；在硅...
- 张照云唐彬苏伟陈颖慧彭勃高扬熊壮
- 文献传递
- 基于激光驱动的飞片动能数值计算被引量：2
- 2008年
- 激光驱动飞片技术在新型动高压加载、模拟太空粒子运动规律方面有重要的应用价值,而基于激光驱动的飞片动能数值计算一直是研究的热点。本文以激光支持的爆轰波(LSDW)为理论基础,通过分析作用于飞片上的爆轰波压强随时间和空间的变化规律,并结合冲量定理以及动量与动能的对应关系解析得到飞片的动能计算式。最后,以铝飞片为例,详细分析了激光的功率密度、脉宽、飞片直径和厚度对飞片动能的影响,结果表明:激光功率密度越高,脉宽越长,飞片直径越大,厚度越小,飞片获得的动能越大。
- 赵翔苏伟李东杰高扬
- 关键词：激光等离子体功率密度
- 激光驱动飞片的动量计算被引量：1
- 2007年
- 文章以激光支持的爆轰波(LSDW)理论为基础,建立了约束和无约束条件下激光驱动飞片的动量模型,通过计算分析了激光的能量、脉宽、靶面大小对飞片动量的影响,获得了有价值的结果,为下一步实验提供了理论基础。
- 赵翔苏伟李东杰高扬
- 关键词：激光飞片动量
- 一种基于五层SOI硅片的MEMS单片集成结构
- 本实用新型公开了一种基于五层SOI的MEMS单片集成结构，包括：在硅片上采用标准的SOI？CMOS工艺完成集成电路部分的制作；在硅片上淀积钝化层保护集成电路部分；在硅片背面光刻，刻蚀背面硅至绝缘层，并刻蚀暴露出的绝缘层；...
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- 一种基于五层SOI硅片的MEMS单片集成方法
- 本发明公开了一种基于五层SOI的MEMS单片集成方法，包括：在硅片上采用标准的SOI？CMOS工艺完成集成电路部分的制作；在硅片上淀积钝化层保护集成电路部分；在硅片背面光刻，刻蚀背面硅至绝缘层，并刻蚀暴露出的绝缘层；在硅...
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- 一种SOI MEMS牺牲层腐蚀时金属电极的保护方法
- 一种SOI MEMS牺牲层腐蚀时金属电极的保护方法，包括在SOI硅片结构层表面进行光刻、采用剥离工艺制作金属电极；在SOI硅片结构层表面溅射金属铝；在SOI硅片结构层表面光刻，定义出MEMS结构图形；腐蚀SOI硅片结构层...
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- 一种SOI MEMS牺牲层腐蚀时金属电极的保护结构
- 一种SOI？MEMS牺牲层腐蚀时金属电极的保护结构，包括在SOI硅片结构层表面进行光刻、采用剥离工艺制作金属电极；在SOI硅片结构层表面溅射金属铝；在SOI硅片结构层表面光刻，定义出MEMS结构图形；腐蚀SOI硅片结构层...
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