高祥宇
- 作品数：22 被引量：9H指数：2
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- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种压电调制垂直腔半导体激光器结构
- 本发明提供一种压电调制垂直腔半导体激光器结构，其包括：单晶片衬底(1)、缓冲层(2)、n型DBR反射镜(3)、载流子下限制层(4)、增益区(5)、载流子上限制层(6)、光电限制层(7)、p型DBR反射镜(8)、欧姆电极接...
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- 一种白光半导体激光器
- 本发明提供一种白光半导体激光器，其包括：蓝宝石衬底、缓冲层、三个外延生长层、波长合束器；所述蓝宝石衬底为基板，依次覆上所述缓冲层和所述三个外延生长层；所述三个外延生长层作为有源区，激射出的三种波长的光；所述波长合束器将所...
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- 一种蓝光激光器腔面或LED腔面的制备方法
- 本发明提供一种蓝光激光器腔面或LED腔面的制备方法，其包括：在蓝宝石衬底上方低温生长GaN缓冲层；在GaN缓冲层上通过金属有机化合物化学气相沉积法外延生长蓝光LED/LD外延层；并在蓝宝石衬底下方选区，选区部分利用光化学...
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- 一种表面型半导体激光器件倒装焊用焊料制备方法
- 本发明提供一种表面型半导体激光器件倒装焊用焊料制备方法，其包括：步骤1，设计表面型半导体激光器件的热沉夹具(7)的热沉夹具窗口尺寸大小，将各个热沉夹具窗口(5、6)的尺寸设计为不同尺寸；步骤2，将预置焊料利用步骤1设计的...
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- 一种表面型半导体激光器件倒装焊电极结构
- 本发明提供一种表面型半导体激光器件倒装焊电极结构，属于激光技术应用领域。其包括：蓝宝石衬底、外延生长层、绝缘层、P型电极和N型电极，以及一个N’型电极和金线；所述N’型电极与P型电极等高，分别位于N型电极的两侧；所述金线...
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- 一种四波长镓氮基半导体激光芯片结构
- 本发明的四波长镓氮基半导体激光芯片结构，属于激光技术应用领域，其与传统的只能发射单一波长激光的芯片结构相比，能够同时发射四种波长激光。本发明的四波长镓氮基半导体激光芯片结构采用重复生长外延层的方法，在蓝宝石基底材料上生长...
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- 一种双波长镓氮基半导体激光芯片结构
- 本发明的双波长镓氮基半导体激光芯片结构，属于激光技术应用领域，其与传统的只能发射单一波长激光的芯片结构相比，能够同时发射两种波长激光。本发明的双波长镓氮基半导体激光芯片结构采用重复生长外延层的方法，在蓝宝石基底材料上生长...
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- 改变半导体激光器堆栈慢轴方向光场分布的方法
- 改变半导体激光器堆栈慢轴方向光场分布的方法，主要包括：选取具有不同填充因子或与之对应的发光单元个数的多个半导体激光阵列器件；在多个半导体激光阵列器件中，选出其中数个其慢轴方向光场分布不同的半导体激光阵列器件；将该数个半导...
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- 热容型大功率半导体激光器瞬态热特性被引量：2
- 2016年
- 为研究热容型大功率半导体激光器在低环境温度、高瞬时功率、长工作间歇时间条件下的应用,建立三维瞬态热传导模型,通过有限元法计算得出热沉三维尺寸对半导体激光器瞬态热特性的影响。选取尺寸为26.6 mm×11.5 mm×4 mm的热沉进行热容型半导体激光器的封装测试,获得其在-20℃和-30℃环境温度下连续工作3.5 s过程中有源区温度随时间的变化曲线,并与数值计算的结果进行对比。结果表明,两者在误差范围内能够很好地吻合。
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- 关键词：激光器半导体激光器
- 半导体激光阵列“Smile”效应下快轴准直镜的装调被引量：3
- 2014年
- 针对3种典型"Smile"形态的半导体激光阵列(LDA)如何装调快轴准直镜的问题,开展"Smile"条件下快轴准直实验定量研究。利用光纤近场扫描法和最小二乘法获得LDA的"Smile"值,采用Zemax非序列模式,模拟"Smile"下LDA的快轴准直。结果表明,LDA的"Smile"大小及形态分布影响准直镜装调位置,透镜光轴需要与LDA匹配,否则会造成光束质量的劣化。这为实际掌握LDA的快轴准直安装提供一种思路,为进一步集成高功率高光束质量的大功率半导体激光器提供了理论和实验基础。
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- 关键词：半导体激光阵列
