黄生荣
- 作品数：10 被引量：18H指数：3
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- 一种GaN基LED芯片的制备方法
- 一种GaN基LED芯片的制备方法，涉及一种LED芯片。提供一种不仅效果明显、操作简便、与常规器件工艺兼容，而且具有低串联电阻和良好P-型欧姆接触的GaN基LED芯片的制备方法。用溅射或蒸发的方法在LED外延片P-GaN表...
- 陈朝薛正群黄生荣田洪涛
- 文献传递
- 纳秒级脉冲激光诱导Zn掺杂过程中GaN/Al_2O_3材料的温度分布及热形变解析分析被引量：1
- 2007年
- 分析了纳秒级脉冲激光作用下GaN的激光诱导Zn的掺杂过程.利用简化的一维模型,给出一种比较直观的脉冲激光辐照下GaN/Al2O3材料温度分布的解析形式,得到了GaN材料表面温度与激光辐照时间的关系以及材料形变与深度的关系.在激光脉冲作用时,GaN材料表面的温度与辐照时间的平方根成正比.脉冲过后,材料温度分布梯度和热形变分布随深度发生变化,接近表面的温度梯度最大,热形变量也最大.而在连续脉冲作用时表面的温度呈锯齿状不断升高.
- 黄生荣陈朝
- 关键词：激光诱导温度分布热形变
- GaAs太阳电池减反射膜的设计被引量：4
- 2010年
- 利用实际测量的光谱响应结果来对GaAs单结太阳电池减反射膜进行设计优化.先初步设计单结GaAs太阳电池SiN减反射膜厚度,然后太阳电池片样品进行光谱响应测量.利用实际测量的光谱响应结果推算电池样品在AM1.5条件下的无反射时光谱响应,根据计算的结果来对GaAs单结太阳电池减反射膜厚度进行设计优化.优化结果表明83nm为GaAs单结太阳电池单层减反射膜厚度的最优值.
- 黄生荣
- 关键词：GAAS太阳电池减反射膜光谱响应
- 脉冲激光诱导Zn/InP掺杂过程中温度分布的数值计算
- 2006年
- 脉冲激光诱导InP的Zn掺杂过程中,金属-半导体分界面附近的温度是影响掺杂浓度和掺杂深度的一个重要因素.确定材料的温度分布有利于合理选择激光功率、辐照时间等工艺参数使表面或界面达到预期的温度.本文分析了脉冲激光诱导InP掺杂Zn的过程,利用数值计算的方法,计算了在简化一维模型下激光辐照过程中材料的温度场分布,得到了材料表面温度、金属-半导体分界面温度与激光脉冲宽度的关系,两者都近似呈线性关系,表面温度和分界面温度相差不大,这与解析方法得到的结果基本相同.研究表明,通过数值方法给出材料中温度场分布情况,可以直接在普通的PC机上计算任意给定时刻材料表面温度和金属-半导体分界面的温度.
- 黄生荣陈朝
- 关键词：温度分布
- 聚光型太阳电池表面栅电极的优化设计被引量：3
- 2009年
- 对聚光型太阳电池表面栅极图形进行优化设计。对组成太阳电池表面栅电极的图形最小单元的各种功率损失进行了详细分析,得到了最佳栅电极间距的递推公式。优化计算了各种宽度的次栅之间的间距,并得到了相对应的功率损失比例。电极和半导体接触良好时,当次栅间距小于最佳值,电极的遮挡对于功率损失影响最大;而当次栅间距大于最佳值时,太阳电池体材料输运功率损失和次栅电极电流输运功率损失开始成为主要原因。对于高倍聚光型太阳电池来说,次栅电极的厚度相对要求厚一些。计算及分析结果可应用于聚光型太阳电池电极的设计中。
- 黄生荣林桂江吴志强黄美纯
- 关键词：功率损失栅电极优化设计
- 一种微藻单面双层光生物培养架
- 一种微藻单面双层光生物培养架，涉及微藻培养设备。设有气路、温度湿度传感器、显示控制屏、线路柜、光源、培养架外框和横隔板；线路柜设在培养架外框内侧一边，传感器设有上下传感器，上下传感器分别设在线路柜内侧面的上下部；显示控制...
- 蔡明刚李峰黄生荣
- 文献传递
- 一种GaN基LED芯片的制备方法
- 一种GaN基LED芯片的制备方法，涉及一种LED芯片。提供一种不仅效果明显、操作简便、与常规器件工艺兼容，而且具有低串联电阻和良好P－型欧姆接触的GaN基LED芯片的制备方法。用溅射或蒸发的方法在LED外延片P－GaN表...
- 陈朝薛正群黄生荣田洪涛
- 文献传递
- 革命者——中国LED照明专辑——激光诱导下SaN的p型掺杂研究被引量：2
- 2007年
- 采用激光诱导掺杂的方法对GaN进行p型掺杂。在GaN样品上溅射上一层Zn，利用脉冲激光辐照样品，使得Zn掺入GaN中，得到高浓度的P型掺杂。利用电化学C—V法对样品进行测试，得到空穴的浓度和深度分布情况。结果表明，激光诱导掺杂Zn后，未掺杂显n型的GaN材料转变为P型，接近样品表面处空穴浓度最大达3×10^18cm^-3。利用二次离子质谱方法对Zn含量进行测量，样品表面Zn原子的浓度最大约5．63×10^20cm^-3，Zn原子的浓度随深度的增加而减少和空穴浓度分布类似，由此推测p型激光诱导掺杂的机理是扩散。而对P—GaN材料进行再掺杂，样品表面附近的载流子浓度显著增加，在表面附近最高也达到约为3×10^18cm^-3。结合俄歇能谱对Zn原子浓度及其深度分布进行测量，测量结果表明在表面附近的Zn原子浓度很高，约为7×10^20cm^-3，并且浓度随深度增加而减小。改变激光辐照时间，样品表面的空穴浓度也发生变化，最大的空穴浓度约为5．8×10^18m^-3。试验结果表明激光诱导掺杂的方法对于GaN的P型掺杂是行之有效的。本方法原则上可以应用于GaN基材料的各种器件上。
- 黄生荣田洪涛陈朝
- 关键词：激光诱导二次离子质谱
- 激光剥离GaN/Al_2O_3材料温度分布的解析分析被引量：3
- 2004年
- 分析了脉冲激光作用下GaN的衬底剥离过程。利用简化的一维模型,给出一种比较直观的脉冲激光辐照下GaN/Al2O3材料温度分布的解析形式,得到了分界面温度和脉冲宽度的关系。表明,单脉冲作用下分界面的温度与加热时间的平方根成正比,并得出脉冲过后随着深度变化温度梯度的分布。在连续脉冲作用时,分界面的温度呈锯齿状不断升高。
- 黄生荣刘宝林
- 关键词：激光剥离温度分布脉冲宽度
- GaN材料湿法刻蚀的研究与进展被引量：5
- 2005年
- 回顾了近年来GaN材料湿法刻蚀的研究进展,着重探讨了GaN材料光辅助化学湿法刻蚀的机理、p-GaN材料湿法刻蚀的难点以及湿法刻蚀在GaN材料研究中的应用。
- 黄生荣陈朝
- 关键词：氮化镓湿法刻蚀
