万星拱
- 作品数：25 被引量：15H指数：2
- 供职机构：上海集成电路研发中心更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金上海市科委纳米专项基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 用发光显微镜测试控制先进CMOS工艺的多晶硅刻蚀时间(英文)
- 2008年
- 通过结合发光显微镜(EMMI)测试和poly-edge电容测试结构很好地控制了多晶硅刻蚀时间,避免了栅极氧化膜的早期失效.从栅极氧化膜击穿电压的测试结果可以看出,当刻蚀时间较短时,一个晶圆内几乎所有测试结构都呈现早期失效模式.通过延长刻蚀时间,早期失效数逐渐减少,最后可以完全消除早期失效,所有测试结构都为本征失效.为了分析多晶硅刻蚀时间和氧化膜失效模式的关系,对早期失效和本征失效样品进行了发光显微镜测试.Poly-edge电容结构的测试结果表明,过短的刻蚀时间导致了多晶硅在STI沟槽中的残留,硅化工艺后,这些多晶硅会使栅极和衬底短路,从而导致了栅极氧化膜的早期失效.通过延长刻蚀时间,可以有效地清除多晶硅的残留,从而保证栅极氧化膜的可靠性.
- 赵毅万星拱
- 制备工艺对PAR电双稳薄膜电特性的影响
- 采用真空蒸发的方法将有机电双稳材料PAR制成Al/PAR/Al夹层结构。详细研究了薄膜厚度、电板面积、退火处理和自然放置等因素对薄膜电性能的影响。结果表明,采用适当的工艺,能够获得性质均匀、电特性良好的电双稳薄膜(转变电...
- 谢亨博蒋益明郭峰万星拱李劲
- 文献传递
- 先进CMOS工艺栅极氧化膜的硅片级可靠性评价
- 2007年
- 可靠性评价的结果可直接关系到一个工艺是否能投入实际生产,也可反应出工艺中存在的问题。随着工艺更新速度的加快,硅片级可靠性(WLR)测试应运而生,其核心任务就是快速有效地评价工艺的可靠性,并对工艺进行监控。本文介绍了CMOS器件栅极氧化膜的硅片级可靠性快速评价方法以及失效机理,并给出了0.18μm CMOS工艺硅片级可靠性评价的最新研究亮点。
- 赵毅万星拱
- 关键词：CMOS工艺可靠性
- 电双稳薄膜阻抗转变机理研究被引量：2
- 2003年
- 采用真空蒸发的方法交替沉积Ag和TCNQ分子制备了Ag TCNQ金属 有机络合物薄膜 ,并研究了多种外加电压激发下膜的电阻转变特性。发现在转变过程中存在着一种能量效应 ,即当外电压超过某一阈值后 ,完成转变的能量不变。对此现象的可能解释是薄膜内分子在一定的外部电场能量诱导下发生重排 。
- 蒋益明万星拱谢亨博李劲华中一
- 关键词：电子学
- 制备工艺对PAR电双稳薄膜电特性的影响
- 2004年
- 采用真空蒸发的方法将有机电双稳材料PAR制成Al/PAR/Al夹层结构.详细研究了薄膜厚度、电极面积、退火处理和自然放置等因素对薄膜电性能的影响.结果表明,采用适当的工艺,能够获得性质均匀、电特性良好的电双稳薄膜(转变电压的分散性小于10%,延迟时间基本小于5μs,转变时间在20ns左右).Al/PAR/Al结构可以简单等效为电阻与电容的并联,而退火与自然放置将使薄膜结构趋于稳定.
- 谢亨博蒋益明郭峰万星拱李劲
- Ag-TCNQ电双稳薄膜的疲劳和锻炼效应研究
- 2004年
- 用真空蒸法的方法制备了Ag-TCNQ电双稳薄膜.研究了在不同的电压作用下薄膜的阻抗转变规律.发现了阻抗转变过程中的疲劳和锻炼效应:即用连续的高于阈值的窄电压脉冲作用于薄膜后,薄膜阻抗转变弛豫时间缩短;而用低于极限电压的脉冲连续作用于薄膜后,薄膜阻抗转变弛豫时间变长.从阻抗转变的能量效应出发,通过外电场的作用导致分子取向的弹性和塑性形变讨论了薄膜电阻跃迁的机理.
- 蒋益明谢亨博郭峰万星拱李劲
- 硅片级金属测试结构电迁移测试中的温度修正方法
- 本发明涉及一种硅片级金属测试结构电迁移测试中的温度修正方法，它是将实际测试结果进行温度修正，从而得到一个准确的金属电迁移寿命值。采取固定的加速电流，依靠电流产生的热来升高金属测试结构的温度；通过对多个金属测试结构温度的实...
- 万星拱卜皎
- 文献传递
- 电荷泵技术在高压MOS晶体管可靠性研究中的应用(英文)被引量：3
- 2009年
- 主要阐述了电荷泵技术在14 V HV MOS晶体管可靠性研究中的应用。使用了一种改进的电荷泵技术分析了经过热载流子加压后的器件特性。使用这种方法,我们可以精确描述器件损伤的位置和程度,以及可以精确评估由于HCI效应引起的界面缺陷的变化,为器件优化与工艺改进提供重要参考信息。
- 禹玥昀唐逸万星拱任铮胡少坚周伟李曦石艳玲
- 关键词：电荷泵热载流子注入
- 用不同方法评价0.18μm CMOS工艺栅氧击穿电压和击穿电量(英文)被引量：2
- 2006年
- 利用击穿电压和击穿电量这两个参数评价标准0.18μm CMOS工艺栅氧的可靠性,获得击穿电压和击穿电量的两个常用方法是电压扫描法和电流扫描法.对用这两种方法得到的击穿电压和击穿电量进行了对比.通过对比,发现测试方法对击穿电压的影响非常小.但是测试方法却可以在很大程度上影响击穿电量.用电流扫描法获得的击穿电量要比用电压扫描法的要大,这一差别可以从两种方法不同的电流-电压曲线中得到解释.同时,通过考察Weibull分布的斜率还发现,击穿电压值的分布斜率要比击穿电量大的多,而且曲线拟合得更好.这说明用击穿电压获得的分析结果更可靠.综合以上结果,可以认为对0.18μm CMOS工艺可靠性评价而言,击穿电压是比较合适的评价指标.
- 赵毅万星拱徐向明曹刚卜皎
- 关键词：击穿电压电压扫描电流扫描
- 一种具有电双稳特性的聚合物薄膜被引量：2
- 2004年
- 发现了在室温下具有电双稳特性的聚合物材料聚对萘二甲酸乙二酯(PEN)。通过真空蒸发方法制备的PEN薄膜,其表面晶粒尺寸小于100nm,粗糙度也为纳米量级,而且具有较高的热稳定性。在3.5V电压作用下,PEN薄膜可从高阻状态跃变到低阻状态,跃迁时间小于20ns。该材料有可能用于大容量存储器的制作。
- 蒋益明万星拱郭峰谢亨博刘平李劲
- 关键词：大容量存储器
