严群
- 作品数：18 被引量：41H指数：5
- 供职机构：四川大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：四川省科技攻关计划成都市科技攻关计划项目更多>>
- 相关领域：电气工程一般工业技术文化科学化学工程更多>>
- 氧化锌压敏电阻材料
- 一种氧化锌压敏电阻材料，此种材料的组分及含量包括：微米级ZnO 35～80%、纳米级ZnO 15～55%、Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub> 1～6%、Co<Sub>2</Sub>O<Sub>3</S...
- 严群陈家钊涂铭旌唐俊
- 文献传递
- 制作氧化锌压敏电阻的材料
- 一种制作氧化锌压敏电阻的材料，此种材料的组分及含量包括：微米级ZnO35～80％、纳米级ZnO 15～55％、Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub> 1～6％、Co<Sub>2</Sub>O<Sub>3<...
- 严群陈家钊涂铭旌唐俊
- 文献传递
- 纳米ZnO掺杂对压敏阀片电性能和组织的影响被引量：8
- 2004年
- 研究了纳米级ZnO粉料对压敏阀片的压敏电压、漏电流和压比的影响,并对其微观结构进行了分析研究,从理论上探讨了纳米ZnO影响压敏阀片电性能与微观结构的机理.研究结果表明,氧化锌压敏阀片中加入纳米ZnO后,其压敏电压显著提高.在质量分数为0～30%的范围内,随着纳米ZnO含量的增加,压敏阀片的压敏电压明显提高,其压比也呈升高趋势.当纳米ZnO含量为30%时,压敏电压约达547.54 V/mm,压比为1.149.在0～10%的范围内,随着纳米ZnO含量的增加,压敏阀片的漏电流呈下降趋势,而在10%～30%的时,漏电流又随纳米ZnO的含量的增加而升高.当纳米ZnO的含量为10%时,漏电流最小,为0.6μA.
- 严群陈家钊涂铭旌
- 关键词：纳米ZNO电性能微观结构
- Nd_2O_3对氧化锌压敏阀片晶粒尺寸的影响被引量：3
- 2004年
- 研究微量Nd2O3添加剂对氧化锌压敏阀片的微观组织结构和成分分布的影响,从理论上探讨了Nd2O3影响氧化锌压敏阀片晶粒尺寸的机理。研究结果表明,Nd2O3加入到氧化锌压敏阀片中,Nd与原料中的Zn、Sb、O元素以及Na、Al等杂质形成了新相并分布在ZnO的晶界处,阻碍了ZnO晶界的迁移,从而抑制了ZnO晶粒的长大,使晶粒细小均匀。Nd2O3掺杂的氧化锌压敏阀片具有较为理想的综合电性能。
- 严群陈家钊唐俊涂铭旌
- 关键词：氧化锌压敏阀片ND2O3晶粒
- CeO2掺杂氧化锌压敏阀片压敏电位梯度与显微组织的研究
- 采用添加微量 CeO的方法,提高氧化锌压敏阀片的电位梯度,使之具有优良的综合性能．同时研究了微量 CeO添加剂对氧化锌压敏电阻片的压敏电位梯度的影响,并通过 SEM 测试手段对其微观组织结构进行了分析研究,从理论上探讨了...
- 严群冯庆芬黄庆苏华谢显蛟涂铭旌
- 关键词：氧化锌压敏阀片CEO2压敏电位梯度显微组织
- 文献传递
- CeO_2对氧化锌压敏阀片电位梯度的影响被引量：5
- 2003年
- 研究了稀土氧化物CeO2对氧化锌压敏阀片电位梯度的影响规律。实验结果表明:微量的CeO2能够提高氧化锌压敏阀片的电位梯度,当CeO2含量为0.06%(摩尔分数)时,可提高电位梯度20%。通过扫描电镜、能谱仪和X射线衍射分析发现,CeO2以独立相形态存在,并与尖晶石相协同作用,钉扎在晶界,形成晶界电阻层,阻碍晶界运动,减小氧化锌晶粒尺寸,使晶粒分布均匀致密,从而提高氧化锌压敏阀片的电位梯度,改善其综合性能。
- 唐俊严群陈家钊涂铭旌
- 关键词：氧化锌压敏阀片稀土氧化物电位梯度晶粒尺寸
- CeO_2对氧化锌压敏阀片电位梯度的作用效应
- 2006年
- 本文研究了稀土氧化物CeO2对氧化锌压敏阀片电位梯度的影响规律。实验结果表明:微量的CeO2能够提高氧化锌压敏阀片的电位梯度,当CeO2含量为0.06%(摩尔百分比)时,可提高电位梯度20%。通过扫描电镜、能谱仪和X射线衍射分析后发现,CeO2以独立相形态存在,并与尖晶石相协同作用,钉扎在晶界,形成晶界电阻层,阻碍晶界运动,减小氧化锌晶粒尺寸,使晶粒分布均匀致密,从而提高氧化锌压敏阀片的电位梯度,改善其综合性能。
- 唐俊严群陈家钊涂铭旌
- 关键词：氧化锌压敏阀片CEO2电位梯度X射线衍射分析稀土氧化物扫描电镜
- La_2O_3掺杂氧化锌压敏阀片压敏电位梯度与显微组织的研究被引量：1
- 2007年
- 采用添加微量La_2O_3的方法,提高氧化锌压敏阀片的电位梯度,使之具有优良的综合性能。同时研究了微量La_2O_3添加剂对氧化锌压敏电阻片的压敏电位梯度的影响,并通过SEM测试手段对其微观组织结构进行了分析研究,从理论上探讨了La_2O_3影响氧化锌压敏阀片压敏电位梯度与组织的机理。研究结果表明,在0～0.08mol%成分范围内,随着La_2O_3含量的增加,氧化锌压敏阀片的压敏电位梯度明显提高;当La_2O_3含量超过0.08mol%时,随其含量的增加,氧化锌压敏阀片的压敏电位梯度又呈降低趋势。其原因是La_2O_3加入到氧化锌压敏阀片中,La主要以固溶的形态分布于ZnO的晶内和晶界处,使ZnO晶体的自由电子浓度增大,进而使填隙锌离子Zni的总浓度下降,因此填隙锌离子的传质能力下降。抑制了ZnO晶粒的生长,因而晶粒尺寸随La_2O_3的添加量下降,压敏电位梯度显著提高。
- 严群冯庆芬黄庆苏华谢显蛟涂铭旌
- 关键词：氧化锌压敏阀片LA2O3压敏电位梯度显微组织
- Nd_2O_3对氧化锌压敏电阻片压敏电位梯度与组织的影响被引量：2
- 2003年
- 研究了微量Nd2O3添加剂对氧化锌压敏电阻片的压敏电位梯度的影响,并通过SEM测试手段对其微观组织进行了分析。结果表明,在0～0.04%(mol)成分范围内,随着Nd2O3含量的增加,氧化锌压敏电阻片的压敏电位梯度明显提高,当Nd2O3含量为0.04%(mol)时,氧化锌压敏电阻片的压敏电位梯度达到最大值,约为583.25V/mm,比不含Nd2O3的原始成分的氧化锌压敏电阻片的压敏电位梯度(约354.42V/mm)增加了约65%。其原因是加入到氧化锌压敏电阻片中的Nd2O3主要分布在晶界上,阻碍了ZnO晶界的迁移,从而抑制了ZnO晶粒的长大,使ZnO晶粒更为细小均匀。
- 严群陈家钊唐俊涂铭旌
- 关键词：氧化锌压敏电阻ND2O3压敏电位梯度显微组织
- La_2O_3掺杂氧化锌压敏阀片压敏电位梯度与显微组织的研究被引量：9
- 2003年
- 采用添加微量La2O3的方法,提高氧化锌压敏阀片的电位梯度,使之具有优良的综合性能。同时研究了微量La2O3添加剂对氧化锌压敏电阻片的压敏电位梯度的影响,并通过SEM测试手段对其微观组织结构进行了分析研究,从理论上探讨了La2O3影响氧化锌压敏阀片压敏电位梯度与组织的机理。研究结果表明,在0～0.08%(摩尔分数)成分范围内,随着La2O3含量的增加,氧化锌压敏阀片的压敏电位梯度明显提高;当La2O3含量超过0.08%时,随其含量的增加,氧化锌压敏阀片的压敏电位梯度又呈降低趋势。其原因是La2O3加入到氧化锌压敏阀片中,La主要以固溶的形态分布于ZnO晶内和晶界处,使ZnO晶体的自由电子浓度增大,进而使填隙锌离子Zni的总浓度下降,因此填隙锌离子的传质能力下降,抑制了ZnO晶粒的生长,因而晶粒尺寸随La2O3的添加量下降,压敏电位梯度显著提高。
- 严群陈家钊涂铭旌
- 关键词：氧化锌压敏阀片LA2O3压敏电位梯度显微组织
