于英敏
- 作品数：4 被引量：9H指数：2
- 供职机构：五邑大学应用物理与材料学院薄膜与纳米材料研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- 纳米半导体薄膜的制备及表征
- 该文首先对半导体纳米材料量子限域特性进行了系统的研究,介绍了淀积Ⅲ-Ⅴ族半导体薄膜材料的各种技术,并详细地研究了研究人员实验所采用的射频共溅射技术.其次,对GaAs(或InP)晶粒镶嵌在a-SiO<,2>的复合薄膜的制备...
- 于英敏
- 关键词：低维材料量子点光吸收半导体薄膜光谱性质
- 文献传递
- 射频磁控共溅射GaAs/SiO_2纳米颗粒镶嵌薄膜的光学性质被引量：4
- 2002年
- 应用射频磁控共溅射方法和真空退火方法制备了GaAs SiO2 纳米颗粒镶嵌薄膜 .X射线衍射实验结果表明 ,经高温退火的薄膜中形成了面心立方闪锌矿结构的GaAs纳米晶粒 ,晶粒平均直径为 1.5— 3.2nm .吸收光谱展示了由于强量子限域引起的 1.5— 2eV的吸收边蓝移 .室温光致荧光 (PL)光谱显示了电子 重空穴激子与电子 劈裂空穴激子的近紫外和紫外双PL谱峰以及深俘获态的PL谱峰 .对实验吸收边蓝移量与有效质量模型的蓝移量的悬殊差别、俘获态PL谱的形成以及PL谱线的特征作了解释 .应用激光Z扫描技术测量了退火温度为 5 0 0℃的复合膜在非共振条件下的光学非线性 ,结果表明 ,复合膜的非线性折射率系数和非线性吸收系数都比块材GaAs相应的系数增大了 5个数量级 .
- 丁瑞钦王浩于英敏王宁娟佘卫龙李润华丘志仁罗莉蔡志岗W Y CheungS P Wong
- 关键词：射频磁控共溅射光谱光学性质砷化镓半导体纳米材料
- 制备工艺对InP/SiO_2纳米膜性能的影响被引量：1
- 2001年
- 应用射频磁控共溅射方法，分别在ＩｎＰ薄片与磁控靶底座紧接触（方法 １）和 ＩｎＰ薄片放在 石英靶表面（方法 ２）两种情况下制备了 ＩｎＰ／ＳｉＯ_２复合薄膜，并分别在高纯 Ｈ_２中和在Ｐ气氛中对薄 膜进行了热处理．Ｘ射线光电子能谱表明，对于用方法 １制备的复合膜，其ＳｉＯ_２中的氧缺位、Ｐ和 Ｉｎ的氧化物的含量都比用方法２的少得多．Ｘ射线和卢瑟福背散射实验结果表明，在Ｐ气氛下的高温 （５２０℃）热处理，可以彻底地消除这些氧缺位和氧化物而得到符合化学计量的ＩｎＰ／ＳｉＯ_２纳米颗粒复合 薄膜．复合薄膜的光致发光特性与制备工艺密切相关．较详细地阐述了俘获态对光致发光影响的机理．
- 丁瑞钦王浩佘卫龙王宁娟于英敏
- 关键词：化学组分微观结构光致发光磷化铟射频磁控溅射
- InP/SiO_2纳米复合膜的微观结构和光学性质被引量：5
- 2001年
- 应用射频磁控共溅射方法在石英玻璃和抛光硅片上制备了InP SiO2 复合薄膜 ,并在几种条件下对这些薄膜进行退火 .X射线光电子能谱和卢瑟福背散射实验结果表明 ,复合薄膜中InP和SiO2 的化学组分都大体上符合化学计量配比 .X射线衍射和激光喇曼谱实验结果都证实了复合薄膜中形成了InP纳米晶粒 .磷气氛保护下的高温(5 2 0℃ )退火可以消除复合薄膜中残存的In和In2 O3 并得到了纯InP SiO2 纳米复合薄膜 .
- 丁瑞钦王浩W.F.LAUW.Y.CHEUNGS.P.WONG王宁娟于英敏
- 关键词：纳米晶粒微观结构光学性质纳米复合膜磷化铟
