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付浚

作品数：8 被引量：4H指数：1
供职机构：河北工业大学更多>>
发文基金：河北省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 2篇科技成果

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 8篇砷化镓
  • 2篇镀铜
  • 2篇化学镀
  • 2篇光导
  • 2篇光导开关
  • 2篇半绝缘
  • 2篇材料特性
  • 2篇GAAS
  • 1篇电传输特性
  • 1篇镀膜
  • 1篇受主
  • 1篇中碳
  • 1篇温度关系
  • 1篇金属
  • 1篇金属接触
  • 1篇晶体管
  • 1篇空间电荷区
  • 1篇化学沉积法
  • 1篇化学镀铜
  • 1篇化学方法

机构

  • 8篇河北工业大学
  • 1篇天津电子材料...

作者

  • 8篇杨瑞霞
  • 8篇付浚
  • 4篇于海霞
  • 2篇张富强
  • 1篇孙以才
  • 1篇郭惠
  • 1篇袁炳辉
  • 1篇王林海
  • 1篇李光平
  • 1篇于明
  • 1篇刘力锋
  • 1篇陈国鹰

传媒

  • 3篇河北工业大学...
  • 1篇半导体情报
  • 1篇半导体杂志
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 3篇2001
  • 5篇2000
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
GaAs中碳受主局域振动模积分吸收的温度关系被引量：1
2000年
Ga As中碳 (C)受主局域振动模 (LVM)积分吸收的温度关系是一个受到广泛关注和研究的问题。但是 ,不同研究者得到的定量研究结果具有很大差异。迄今对导致这种差异的原因及积分吸收随温度变化的机理尚不完全清楚。本研究表明 ,二者均与 C受主 L VM主吸收带的低能边出现的一个吸收边带有关。该边带可能起因于 C受主 L VM第一激发态向第二激发态的跃迁。
杨瑞霞李光平付浚陈国鹰孙以才
关键词：激发态砷化镓
功率光导开头砷化镓基体材料特性的研究
付浚杨瑞霞袁炳辉王林海于海霞
该项目提出了用化学镀在GaAs表面制备Cu膜的工艺，利用自催化效应、络合剂的作用和镀Cu过程中Cu的还原反应对镀液酸碱度敏感的特性，解决了镀Cu过程中使Cu沉积只发生在GaAs表面、防止相关化学反应中非Cu沉积物在GaA...
关键词：
关键词：砷化镓光导开关
杂质和缺陷对非掺半绝缘LEC GaAs霍耳测量的影响
2000年
研究了非掺杂半绝缘LECGaAs霍耳参数温度关系。研究结果表明 ,杂质和缺陷的不均匀分布引起的电势波动对霍耳测量结果有明显影响 ,存在电势波动的情况下 ,仅用霍耳测量不能测定真实的自由载流子浓度和费米能级位置。
杨瑞霞付浚于明于海霞张富强
关键词：砷化镓
GaAs MESFET中的背栅效应被引量：2
2001年
随着集成电路集成度的提高 ,器件间距不断减小 ,在 Ga As MESFET中产生了一种被称为背栅效应的有害寄生效应。由于器件间距越来越小 ,某一个器件的电极可能就是另一个器件的背栅 ,背栅效应影响了集成电路集成度的提高 ,因此背栅效应在国内外引起了重视。
郭惠杨瑞霞付浚刘力锋
关键词：背栅效应MESFET砷化镓场效应晶体管
化学方法实现GaAs表面Cu的沉积被引量：1
2000年
用一种简单的化学方法在ＬＥＣ　ＧａＡｓ晶体表面实现了Ｃｕ的沉积，沉积的Ｃｕ层均匀性、牢固性良好，厚度达到无限源扩散的要求．本文介绍了化学镀铜液的配制及镀铜工艺，并对化学镀铜的机理进行了讨论。
于海霞付浚杨瑞霞袁炳辉
关键词：砷化镓化学方法化学镀铜化学沉积法
GaAs∶SiCu光导开关的计算机模拟
2000年
对掺Si补偿Cu的GaAs（GaAs∶Si∶Cu）材料的光控开关特性进行了计算机模拟，结果表明Cu与Si的浓度比（NCu/NSi）和激光通量是影响开关特性的两个重要因素，NCu／NSi越大，电导淬灭时间越短；光通量越大，导通态电导率越大，开关闭合、断开时间越短．并分析了上述现象的产生机理．
于海霞杨瑞霞付浚
关键词：光导开关砷化镓计算机模拟硅
功率光导开关砷化镓基体材料特性的研究
付浚杨瑞霞袁炳辉等
该项目提出了用化学镀在GaAs表面制备Cu膜的工艺，利用自催化效应、络合剂的作用和镀Cu过程中Cu的还原反应对镀液酸碱度敏感的特性，解决了镀Cu过程中使Cu沉积只发生在CaAs表面、防止相关化学反应中非Cu沉积物在GaA...
关键词：
关键词：砷化镓镀铜化学镀镀膜
双侧金属接触半绝缘GaAs的电传输特性
2000年
对双侧金属接触半绝缘ＧａＡｓ（ＭＳＭ）结构的电特性进行了模拟计算，包括不同外加偏压和不同载流子注入接触时的空间电荷分布以及电子和空穴电导率分布，在此基础上分析研究了接触处空间电荷区随外加电压的变化对这种结构的Ｉ－Ｖ特性的影响．
张富强杨瑞霞付浚
关键词：空间电荷区砷化镓电传输特性
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