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全汝岱

作品数:7 被引量:16H指数:2
供职机构:西安理工大学更多>>
相关领域:电子电信电气工程一般工业技术交通运输工程更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇半导体
  • 2篇导体
  • 2篇电能
  • 2篇电能传输
  • 2篇异质结
  • 2篇整流滤波
  • 2篇碳化硅
  • 2篇碳化硅衬底
  • 2篇退火
  • 2篇逆变
  • 2篇可分离变压器
  • 2篇溅射
  • 2篇硅衬底
  • 2篇非接触电能传...
  • 2篇高频逆变
  • 2篇Β-FESI...
  • 2篇半导体薄膜
  • 2篇6H-SIC
  • 2篇变压
  • 2篇变压器

机构

  • 7篇西安理工大学

作者

  • 7篇全汝岱
  • 3篇解光勇
  • 2篇王霖
  • 1篇马晓娜
  • 1篇罗强强

传媒

  • 1篇电子技术(上...
  • 1篇信息技术
  • 1篇大学物理实验

年份

  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 3篇2009
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
快速退火法制备β-FeSi2薄膜的研究
在单晶硅Si(100)衬底上,采用直流磁控溅射FeSi合金靶,并通过后续的快速退火(RTA)的方法制备β-FeSi2薄膜。主要研究了退火温度以及溅射过程中的衬底温度对薄膜相变的影响。采用X射线衍射(xRD)对制备的样品进...
Rudai Quan全汝岱Xin He贺欣Hongbin Pu蒲红斌陈治明
关键词:半导体薄膜性能表征
在6H-SiC衬底上制备β-FeSi2/6H-SiC异质结
为研究SiC衬底上β-FeSi2薄膜的生长机理,采用直流磁控溅射铁硅合金靶和硅靶共镀以及后续的快速退火热处理的方法在6H-SiC衬底上制备β-FeSi2薄膜。主要研究了退火温度对薄膜相变的影响。通过X射线衍射(XRD)对...
Rudai Quan全汝岱Xin He贺欣Hongbin Pu蒲红斌Zhiming Chen陈治明
关键词:半导体材料碳化硅衬底性能评价
非接触电能传输技术研究被引量:5
2009年
非接触电能传输技术是基于电磁感应耦合原理的一种新型电能传输技术。从非接触电能传输技术研究入手,讨论了实现电能非接触传输各个环节的原理和功能,总结了国内外相关技术的研究现状及发展趋势。
王霖解光勇全汝岱
关键词:非接触电能传输整流滤波高频逆变可分离变压器
在Si和4H-SiC衬底上制备β-FeSi2薄膜
近年来,环境半导体β-FeSi2作为光电材料的研究引发了人们的广泛关注。本文通过直流磁控溅射+RTA的方法在Si(100)和4H-SiC(OOOI)衬底上制各了β-FeSi2薄膜,主要研究了退火工艺对薄膜相变的影响。本文...
全汝岱
关键词:光电材料直流磁控溅射退火工艺
文献传递
P-β-FeSi2/n-6H-SiC近红外光电二极管的实验研究
为研究p-β-FeSi2/n-6H-SiC异质结近红外光电二极管的特性,采用直流磁控溅射铁硅合金靶、硅靶和铝靶共镀以及后续的快速退火热处理的方法在6H-SiC衬底上制备p-β-FeSi2/n-6H-SiC异质结,通过X射...
Rudai Quan全汝岱Xin He贺欣Hongbin Pu蒲红斌陈治明
关键词:磁控溅射异质结碳化硅衬底半导体薄膜
电晕放电法制备臭氧技术研究被引量:9
2009年
臭氧作为强氧化剂和杀菌剂已在发达国家得到广泛应用,在环境保护领域具有理想的发展前景。电晕放电法制备臭氧效率高、可控性好,是目前制备臭氧主要技术之一。文中介绍了臭氧发生器的工作机理,讨论了臭氧管电极材料和介电体材料选取的问题,对电晕放电法产生臭氧的工作机理进行了分析。
罗强强解光勇全汝岱马晓娜
关键词:臭氧发生器电晕放电电介质沿面放电
基于电磁耦合机构的非接触电能传输系统被引量:2
2009年
基于非接触电能传输技术的研究,设计了非接触电能传输系统的供电机构、耦合机构和受电机构三大基本模块。对系统的整流滤波和高频逆变电路进行了仿真实验,整流输出电压波动小于6%,谐振逆变电路输出信号频率达1000Hz以上。采用低频信号发生器作为供电机构对系统进行了性能测试,给出了500Hz下的空气间隙与电压传输效率的实验关系曲线,随空气间隙增大,电压传输效率降低。
全汝岱解光勇王霖
关键词:非接触电能传输整流滤波高频逆变可分离变压器
共1页<1>
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