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刘姗姗
作品数:
1
被引量:3
H指数:1
供职机构:
北京交通大学理学院光电子技术研究所
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发文基金:
北京市自然科学基金
国家教育部博士点基金
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
孙世菊
北京交通大学理学院光电子技术研...
刘明
北京交通大学理学院光电子技术研...
滕枫
北京交通大学理学院光电子技术研...
徐叙瑢
北京交通大学理学院光电子技术研...
徐征
北京交通大学理学院光电子技术研...
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刘姗姗
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孙世菊
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光谱学与光谱...
年份
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2004
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SiO_2厚度对类阴极射线发光中电子加速的影响
被引量:3
2004年
研究了有机 /无机复合结构ITO/SiO2 /MEH PPV/SiO2 /Al器件的类阴极射线发光性质 ,电子经过SiO2层加速后 ,激发MEH PPV层发光。发光除了MEH PPV激子发光峰外 ,还有一个带间复合的能量更高的短波发光峰。通过 2个发光峰随SiO2 层的厚度的变化规律 ,研究了SiO2 对电子的加速能力。
刘姗姗
滕枫
徐征
刘明
孙世菊
徐叙瑢
关键词:
电子加速
异质结
有机发光器件
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