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刘小龙

作品数：19 被引量：10H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 3篇学位论文
  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 1篇经济管理
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 9篇半导体
  • 4篇晶体管
  • 4篇击穿电压
  • 4篇功率器件
  • 4篇过温保护
  • 4篇半导体功率器...
  • 3篇铁氧体
  • 3篇功率
  • 3篇沟道
  • 3篇二极管
  • 3篇KU波段
  • 3篇LED驱动
  • 3篇表面电场
  • 3篇高功率
  • 2篇低功耗
  • 2篇低介电损耗
  • 2篇低铁
  • 2篇电极
  • 2篇电损耗
  • 2篇氧化层

机构

  • 19篇电子科技大学
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇重庆邮电大学
  • 1篇中国民用航空...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 19篇刘小龙
  • 11篇李泽宏
  • 10篇李婷
  • 7篇张波
  • 7篇张超
  • 6篇谢加雄
  • 5篇姜贯军
  • 5篇余士江
  • 4篇任敏
  • 3篇张金平
  • 2篇肖璇
  • 2篇吴宽
  • 2篇邓光平
  • 2篇兰中文
  • 2篇孙科
  • 2篇余忠
  • 2篇蒋晓娜
  • 1篇徐学良
  • 1篇王慧芳
  • 1篇张灵霞

传媒

  • 2篇微电子学
  • 1篇2011’全...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2021
  • 3篇2020
  • 1篇2013
  • 8篇2012
  • 5篇2011
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
VDMOS过温保护功能的实现
提出了一种内部集成了过热保护功能的VDMOS(垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)器件。文中对传统过热保护原理进行了分析，指出其缺点，并在此基础上提出了一种改进的适用于功率器件过热保护的结构，并详细分析其实现原理。仿...
刘小龙谢加雄李婷任敏张金平李泽宏谭开洲刘勇唐昭焕
关键词：性能评价
文献传递
一种极低导通电阻浅槽埋沟VDMOS器件
一种极低导通电阻浅槽埋沟VDMOS器件，属于半导体器件技术领域。本发明利用掩埋层沟道结构大大降低了沟道电阻，并利用金属氧化物半导体结构表面电场效应，正向电压时形成积累层而反向电压时形成耗尽层。金属氧化物半导体结构的栅氧化...
李泽宏余士江姜贯军谢加雄李婷任敏张超刘小龙张波
文献传递
具有过流过温保护功能的DMOS设计
功率器件的自保护功能包括限流保护和过温保护等，这些功能使得器件可以对一系列故障进行及时检测与处理。拥有自保护功能的功率器件不仅提高了器件自身的可靠性、延长器件的使用寿命，而且得益于功率集成工艺技术，减小了芯片的体积，节约...
刘小龙
文献传递
一种LED驱动用自反馈线性恒流器
一种LED驱动用自反馈线性恒流器，属于半导体功率技术领域。包括结型场效应晶体管JFET和电阻R，所述电阻R一端与JFET源极相连，另一端与JFET的栅极相连。流经电阻R的沟道电流Ireg在电阻R上产生的压降V<Sub>R...
李泽宏张金平刘小龙李婷张波
量子高科并购睿智化学公司动因及绩效研究
从2014年开始，中国并购市场成为了全球第二大并购投资地区，仅次于美国，市场规模与交易数量等都在不断上升。站在并购趋势角度看，国内企业把发展重心转移到了科技研发以及高新产品制造等行业上。在高科技企业领域的细分中，生命科学...
刘小龙
关键词：并购交易财务绩效
文献传递
一种LED驱动用自反馈线性恒流器
一种LED驱动用自反馈线性恒流器，属于半导体功率技术领域。包括结型场效应晶体管JFET和电阻R，所述电阻R一端与JFET源极相连，另一端与JFET的栅极相连。流经电阻R的沟道电流Ireg在电阻R上产生的压降V<Sub>R...
李泽宏张金平刘小龙李婷张波
文献传递
一种功率器件衬底背面的离子注入方法
一种功率器件衬底背面的离子注入方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在完成功率器件正面工艺步骤后，在完成离子注入(离子注入之前可对衬底背面进行减薄或不减薄处理)和离子激活后，不像传统工艺直接进行金属铝层淀积，而是采用腐...
李泽宏肖璇张超吴宽谢加雄李婷刘小龙
一种具有体电极的沟槽栅型绝缘栅双极型晶体管
一种具有体电极的沟槽栅型绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统沟槽栅型绝缘栅双极型晶体管中引入沟槽型多晶硅体电极，通过优化体电极上的电压，可以改善传统沟槽栅型绝缘栅双极型晶体管电场在沟槽栅下集中的缺...
李泽宏张超刘小龙李婷姜贯军余士江
一种灵活卷积的通用型神经形态计算加速器及其使用方法
本发明涉及神经形态计算技术，具体涉及一种灵活卷积的通用型神经形态计算加速器及其使用方法，加速器包括控制模块、寄存器组模块、缓存模块、预处理模块、处理模块、累加模块，缓存模块包括权重缓存模块、激励缓存模块；本发明采用多通道...
胡绍刚刘小龙刘益安周莆钧
一种Ku波段用高功率旋矩铁氧体材料及其制备方法
一种Ku波段用高功率旋矩铁氧体材料及制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域。该铁氧体材料包括主料和添加剂，主料Li<Sub>0.5+0.5x‑</Sub><Sub>0.5y</Sub>Ti<Sub>x</Sub>Zn<Su...
蒋晓娜刘小龙余忠孙科邬传健兰中文
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共2页<12>
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