刘文利
- 作品数：39 被引量：66H指数：5
- 供职机构：山东大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术文化科学更多>>
- 气敏金属氧化物表面吸附氧负离子O2^—,O^—的研究被引量：7
- 1994年
- 气敏金属氧化物表面吸附氧负离子Ｏ＿２￣－，Ｏ￣－的研究李蕾，夏思淝，刘文利，马文采（山东工业大学数理系济南２５００１４）１吸附氧负离子的产生和浓度的计算在金属氧化物表面上形成Ｏ－离子有多种可能的历程，下面研究在气敏问题有关文献中常见的几种．１．１第一...
- 李蕾夏思淝刘文利马文采
- 关键词：气敏材料金属氧化物半导体
- 金属与金属氧化物载体之间的电子相互作用被引量：2
- 1994年
- 提出用反应动力学的理论对ｎ型金属氧化物中的各类氧空位的浓度［Ｖ０×］，［Ｖ０＋］，［Ｖ０＋＋］的公式进行推导的方法，以［Ｖ０＋］＞［Ｖ０＋＋］的要求为依据，对一些金属氧化物费米能级ＥＦ的位置进行了估算．并对在气敏和在催化问题中金属和氧化物载体之间电子相互作用的规律作了讨论．
- 夏思淝李蕾刘文利马文采
- 关键词：费米能级金属氧化物
- 大学物理实验教学改革探索被引量：12
- 2014年
- 大学物理实验改革是当今培养大学生科学探究能力、实事求是的科学态度和敢于创新的探索精神的必然需求。本文就大学物理实验教学中存在的问题进行了分析,结合教学实践,介绍了在教学内容、教学方法以及考评方法等方面进行的改革性尝试。在大学物理实验教学中,努力为学生构建一个研究性学习的平台。
- 刘文利刘东红李蕾
- 关键词：大学物理实验教学改革创新能力培养研究性学习
- 金属氧化物气敏薄膜的厚度效应
- 对扩散反应方程的求解和无量钢分析指出了响应时间和恢复时间随膜厚、气体浓度变化的关系式。由于气敏晶体尺寸r<,0>→0时不能满足热力学极限，于是对Fermi统计公式提出了修正，并由此推出了最佳晶粒尺寸r<...
- 刘文利李宇兵李蕾高建华裘南畹
- 关键词：扩散反应方程晶体晶粒尺寸金属氧化物
- n型金属氧化物气敏元件的反应温变
- 2000年
- 提出了一种研究气敏元件和材料反应温变的方法和实验装置 ;给出了反应温变Δtrea随气体浓度 C变化的规律 ;给出了反应放热率 Prea与反应温变Δtrea的关系式 .讨论了表面反应速率方程 。
- 李宇兵刘晓健张宝才李蕾刘文利
- 关键词：气敏元件金属氧化物
- 粉末溅射平面薄膜型SnO_2／CeO_2酒敏传感器被引量：16
- 1996年
- 介绍粉末溅射研制的ＳｎＯ２／ＣｅＯ２酒敏薄膜的性能与膜厚、温度和掺杂量等关系的研究结果，并根据此结果对平面薄膜型酒敏传感器的工艺和结构进行的设计；介绍所研制器件的一些性能，并对有关问题进行讨论。
- 李建明刘文利裘南畹吕红浪
- 关键词：粉末溅射传感器二氧化锡二氧化铈
- 粉末溅射SnO_2/CeO_2薄膜酒敏元件被引量：1
- 2000年
- 介绍粉末溅射 Sn O2 / Ce O2 酒敏薄膜特性的研究和气敏元件气敏层参数的设计 .介绍元件热功耗的规律 ,反应温度的规律 ,测试电压对灵敏度的影响的规律 .讨论了用相对灵敏度消除湿度影响的设想 ,以及对低功耗元件 。
- 刘文利张宝才曲鲁高建华李宇兵
- 关键词：氧化物气敏元件粉末溅射二氧化锡二氧化铈
- 反应动力学理论和N型金属氧化物点缺陷的统计分布
- 2000年
- 提出了用反应动力学理论来研究半导体点缺陷的统计分布的理论 .给出了 N型半导体施主分布的 Fermi公式 ,N型金属氧化物氧空位 Vo×,Vo+ ,Vo+ + 的浓度公式和吸附氧负离子浓度 [O2 - ],[O- ]的公式 .提出一种用来研究有两次电离过程的 N型金属氧化物 Fermi能级变化范围的方法 ,给出 Ed 2 - k Tln2
- 李蕾刘文利高建华刘东红曲鲁
- 关键词：反应动力学氧负离子N型金属氧化物点缺陷
- 金属氧化物半导体气敏特性研究（Ⅰ）实验研究（待续）
- 1996年
- 研究了气敏电导次方定律的指数和灵敏度随薄膜样品膜厚的变化、随温度的变化；气敏电导响应时间和恢复时间随膜厚的变化、随温度的变化；气敏电导振荡现象和规律．
- 刘文利李建明吕红浪裘南畹
- 关键词：气敏器件金属氧化物半导体气敏特性
- 金属氧化物半导体气敏特性的研究──（Ⅱ）理论研究（续一）被引量：1
- 1996年
- 本文介绍金属氧化物气敏特性研究的概况，以及我们最近完成的两个理论框架：①反应动力学理论；②扩散反应理论．
- 李建明吕红浪刘文利裘南畹
- 关键词：金属氧化物气敏特性半导体
