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刘晓晗

作品数：83 被引量：23H指数：3
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金上海市科学技术发展基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 59篇专利
  • 18篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 27篇电子电信
  • 13篇理学
  • 2篇化学工程
  • 2篇机械工程
  • 1篇生物学
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 37篇天线
  • 20篇宽带
  • 19篇波导
  • 16篇极化
  • 14篇圆极化
  • 12篇带宽
  • 10篇天线阵
  • 10篇线阵
  • 10篇宽角
  • 10篇光子
  • 9篇缝隙天线
  • 8篇地板
  • 8篇宽带宽
  • 8篇宽带宽角
  • 7篇同轴
  • 7篇同轴馈电
  • 7篇晶体
  • 7篇馈电
  • 7篇光子晶体
  • 6篇阵列

机构

  • 83篇复旦大学
  • 1篇华东师范大学
  • 1篇南京大学
  • 1篇南开大学
  • 1篇同济大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇上海联能科技...

作者

  • 83篇刘晓晗
  • 61篇资剑
  • 42篇关放
  • 36篇张喆
  • 29篇曾建平
  • 26篇黄浩
  • 12篇黄大鸣
  • 12篇石磊
  • 11篇蒋最敏
  • 6篇殷海玮
  • 6篇龚大卫
  • 5篇张翔九
  • 5篇李乙洲
  • 5篇傅荣堂
  • 5篇王杰
  • 4篇王迅
  • 3篇韩德专
  • 3篇张亚峰
  • 3篇王兴军
  • 3篇盛篪

传媒

  • 5篇光散射学报
  • 4篇Journa...
  • 2篇自然科学进展...
  • 1篇科学通报
  • 1篇物理学报
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇发光学报
  • 1篇中国基础科学
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇第五届全国分...

年份

  • 1篇2025
  • 1篇2024
  • 3篇2023
  • 12篇2022
  • 17篇2021
  • 4篇2019
  • 6篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 5篇2011
  • 4篇2007
  • 3篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2000
  • 4篇1999
  • 2篇1998
  • 3篇1997
  • 4篇1996
共 83 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于深度学习算法的滤波器的优化设计方法
本发明属于滤波器技术领域,具体为一种基于深度学习算法的滤波器的优化设计方法。本发明优化设计方法，针对滤波器的结构参数进行，滤波器的结构参数由滤波器的滤波响应曲线来反映；设计中使用逆向神经网络、正向神经网络和遗传算法，进行...
梁修业黄浩张喆曾建平关放刘晓晗资剑
文献传递
基于单脊蛇形波导的频相混合电扫双缝阵列天线
本发明属于雷达天线技术领域，具体为基于单脊蛇形波导的频相混合电扫双缝阵列天线。其包含多根并列放置的蛇形单脊波导双缝阵。在沿波导线方向进行频扫，垂直于波导线方向则通过移相器来控制波束扫描。蛇形单脊波导由波导同轴过渡段、陡变...
尹卫爽关放刘晓晗资剑
一种宽带宽角扫描的圆极化微带相控阵天线
本实用新型属于天线技术领域，具体为一种宽带宽角扫描的圆极化微带相控阵天线。本实用新型天线包括三个部分：上层铜箔金属贴片、中间微波介质层和下层金属地板；金属贴片呈圆形，其中开有不对称的U形槽；同轴馈电探针插入介质板和地板内...
曾建平黄浩张喆关放刘晓晗资剑
文献传递
一种光学防伪标识及其制备方法
本发明提供一种光学防伪标记，包括衬底和多层膜结构。本发明还提供一种光学防伪标记的制备方法，包括：以黑色丝绸为衬底，在衬底上蒸镀钛薄膜，随后再蒸镀硅薄膜；在表面覆盖镂空面具，根据设定的颜色在不同区域镀不同厚度的SiO<Su...
楚娇张亚峰石磊刘晓晗资剑
文献传递
具有表面调制结构的超低旁瓣高增益金属波导缝隙天线
本发明属于雷达天线技术领域，具体为一种具有表面调制结构的超低旁瓣高增益金属波导缝隙天线。本发明天线由一根宽边开缝的辐射波导、加装在辐射波导两侧且呈一定夹角的板式反射器以及紧贴在辐射波导下方的馈电波导组成；其中，辐射波导上...
张喆尹卫爽梁修业曾建平黄浩关放刘晓晗资剑
文献传递
Si_（1－x）Ge_x／Si量子阱发光材料的分子束外延生长及其结构研究
1995年
采用固源Ｓｉ分子束外延，在较高的生长温度于Ｓｉ（１００）衬底上制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ量子阱发光材料．发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、Ｘ射线双晶衍射及光致发光评估．背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应；Ｘ射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的，结晶完整性好．低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合．并讨论了生长温度对量于阱发光的影响．
杨宇黄醒良刘晓晗黄大鸣蒋最敏龚大卫张翔九赵国庆
关键词：分子束外延硅发光材料
一种调节光子晶体禁带位置的方法
本发明提供了一种调节光子晶体禁带位置的方法，适用的光子晶体结构中有一种介质为空气。当需要变化禁带位置时，向光子晶体结构中填充具有不同介电常常数的液体，如水ε＝1.77，甘油ε＝2.25，液体将占据原来空气的位置，因此光子...
资剑刘晓晗余心迪李乙洲傅荣堂
文献传递
宽带宽角低剖面的紧耦合天线阵
本实用新型属于雷达技术与通讯技术领域，具体为紧耦合天线阵。包括由支撑板、支撑板框架、反射板与馈电接头组成支撑件，由威尔金森功率分配器、馈电巴伦、辐射电流片和频率选择表面组成天线线路；天线线路由两块介质覆铜板压合，分四层：...
尹卫爽关放梁修业张喆刘晓晗资剑
文献传递
用电化学方法在硅中掺铒发光的研究
1996年
Ennen等首先报道了在硅中掺铒(Si:Er)实现1.53/μm波长的光致发光(PL)和电致发光(EL),这个波长的硅基发光器件(LED)将是光纤通讯用的单片硅基光电子集成电路的关键,因此Si:Er的研究受到高度重视。要使Si:Er LED发光强度满足实用要求尚需解决2个问题。其一是要提高Si中Er的掺杂浓度。Xie等的计算结果指出用常规尺寸制造的LED中的Er的浓度至少要达到10^(19)/cm^3才能满足光强的要求。
盛篪龚大卫樊永良刘晓晗黄大鸣王迅
关键词：发光多孔硅硅电化学法
SiO薄膜的光致发光研究被引量：2
1999年
通过对SiO薄膜经退火后的室温光致发光研究,发现SiO薄膜的发光谱中存在绿光和红光两个发光带,绿光带是起源于与氧有关的缺陷发光,而红光带则是纳米尺寸的微晶Si的量子限制效应引起的发光。
林峰盛篪袁帅刘晓晗龚大卫万钧樊永良
关键词：光致发光量子尺寸效应
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