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CIGS基ZnS薄膜制备技术的研究: 2005年; 综述ZnS薄膜制备技术的特点。ZnS薄膜材料具有工艺容易控制、成本低等特点，极具市场发展潜力，尤其作为高阻层在CIGS太阳能电池的应用，有望替代传统使用的CdS膜。; 王应民张萌刘洋文李禾徐飞; 关键词：ZNS薄膜 CIGS 太阳能电池发展潜力 CDS

化学浴沉积法制备ZnS薄膜被引量：5: 2006年; 太阳能薄膜电池的ZnS缓冲层一般是采用化学浴沉积法制备。制备ZnS缓冲层过程中,采用氨水为主络合剂,水合肼为辅助络合剂,通过添加少量的分散剂丙三醇,调节沉淀团簇的大小,改善ZnS薄膜质量。薄膜结构和表面组织形貌分别采用X射线衍射仪测试和高性能光学显微镜观察。研究结果表明:在优化配方(ZnSO40.007 5 mol/L;SC(NH2)20.007 5 mol/L;氨水0.44 mol/L;水合肼0.3 mol/L)下,反应温度75℃和沉积时间60m in时,得到的缓冲层光亮、平整。XRD衍射分析结果表明缓冲层主要成分为ZnS,存在少量Zn(OH)2。; 王应民张萌徐鹏刘洋文李禾徐飞; 关键词：ZNS薄膜 XRD

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刘洋文