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刘贵鹏

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇发光
  • 2篇多量子阱
  • 2篇散热
  • 2篇散热基板
  • 2篇芯片
  • 2篇基板
  • 2篇光输出
  • 2篇发光二级管
  • 2篇反射率
  • 2篇高反射率
  • 1篇有机化合物
  • 1篇深紫外
  • 1篇输出功率
  • 1篇退火
  • 1篇外延膜
  • 1篇温度
  • 1篇金属
  • 1篇金属有机
  • 1篇金属有机化合...
  • 1篇局域

机构

  • 5篇中国科学院
  • 1篇北京大学

作者

  • 5篇刘贵鹏
  • 4篇王占国
  • 3篇刘祥林
  • 3篇朱勤生
  • 3篇杨少延
  • 3篇赵桂娟
  • 3篇魏鸿源
  • 2篇焦春美
  • 2篇汪连山
  • 1篇王维颖
  • 1篇桑玲
  • 1篇刘长波
  • 1篇李志伟
  • 1篇李维
  • 1篇金鹏
  • 1篇毛德丰

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2012
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
AlGaN合金中局域态和极化电场的竞争机制
2014年
通过MOVPE方法生长了不同Al组分的3块AlxGa1-xN样品,利用稳态光谱和时间分辨光谱对其样品的光学特性进行了分析。鉴于影响氮化物发光性质的极化电场或局域态的单一机制不能充分解释我们的实验现象,提出了局域态-内部极化电场竞争的机制。通过对实验数据的分析,得出如下重要结论:样品PL峰位蓝移的温度起点基本对应于局域态和极化电场起作用的交替点,PL峰位发生蓝移的温度起点与光强-温度曲线的斜率出现明显变化的温度点一致;随着温度的升高,若AlGaN合金样品中PL峰位存在二次蓝移,则说明样品中电场分布不均匀。
毛德丰金鹏李维刘贵鹏王维颖王占国
关键词：发光强度局域态温度
一种高反射率的垂直结构发光二级管芯片及其制备方法
本发明公开了一种高反射率的垂直结构发光二级管芯片，该芯片为单电极结构，由下至上依次包括散热基板、高反射P型欧姆接触层和外延层，其中：高反射P型欧姆接触层由下至上依次包括防氧化层、阻挡层、金属反射层和欧姆接触层，外延层由下...
赵桂娟汪连山杨少延刘贵鹏魏鸿源焦春美刘祥林朱勤生王占国
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AlN外延膜的深紫外光致发光研究
王维颖刘贵鹏刘雅丽金鹏许福军唐宁葛惟昆沈波
一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法
本发明公开了一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法，包括：取一衬底，并在金属有机化学气相外延(MOCVD)设备的反应室中对该衬底进行高温氮化处理；利用MOCVD技术在衬底上生长非极性A面InGaN柔性层和低温G...
赵桂娟李志伟桑玲刘贵鹏刘长波谷承艳魏鸿源刘祥林朱勤生杨少延王占国
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一种高反射率的垂直结构发光二级管芯片及其制备方法
本发明公开了一种高反射率的垂直结构发光二级管芯片，该芯片为单电极结构，由下至上依次包括散热基板、高反射P型欧姆接触层和外延层，其中：高反射P型欧姆接触层由下至上依次包括防氧化层、阻挡层、金属反射层和欧姆接触层，外延层由下...
赵桂娟汪连山杨少延刘贵鹏魏鸿源焦春美刘祥林朱勤生王占国
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