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吕斌

作品数：3 被引量：5H指数：1
供职机构：华东师范大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇异质结
  • 2篇居里
  • 2篇居里温度
  • 1篇导体
  • 1篇电场
  • 1篇电池
  • 1篇异质结材料
  • 1篇异质结太阳电...
  • 1篇太阳电池
  • 1篇铁磁
  • 1篇铁磁半导体
  • 1篇铁磁相
  • 1篇铁磁相变
  • 1篇前端
  • 1篇铟锡氧化物
  • 1篇微晶硅
  • 1篇内建电场
  • 1篇极化
  • 1篇极化度
  • 1篇计算机

机构

  • 3篇华东师范大学
  • 1篇东华大学
  • 1篇上海电力学院

作者

  • 3篇吕斌
  • 2篇王基庆
  • 1篇汤乃云
  • 1篇张红英
  • 1篇俞建国
  • 1篇邢怀中
  • 1篇刘艳
  • 1篇张勇
  • 1篇茅惠兵
  • 1篇申晔

传媒

  • 2篇物理学报

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
极化诱导的内建电场对Mnδ掺杂的GaN/AlGaN量子阱居里温度的调制被引量：1
2007年
采用传输矩阵方法分析极化诱导的内建电场对Mnδ掺杂的GaN/AlxGa1-xN量子阱居里温度(TC)的调制作用.通过解薛定谔方程计算出在不同的内建电场条件下半导体量子阱局域态内的基态空穴能级和波函数分布情况,并在此基础上确定量子阱内Mnδ掺杂情况下TC随内建电场的变化趋势,分析了不同量子阱结构引起的内建电场分布变化及其对TC的影响.在耦合双量子阱中通过调节左右阱的不对称性可以得到TC近3倍的增长.
申晔邢怀中俞建国吕斌茅惠兵王基庆
关键词：GAN内建电场居里温度
前端接触势垒高度对非晶硅和微晶硅异质结太阳电池的影响被引量：3
2009年
运用AMPS-1D(Analysis of Microelectronic and Photonic Structures)程序系统分析了前端接触(铟锡氧化物)的势垒分别对非晶硅和微晶硅太阳电池性能的影响,比较了两种影响的差异并分析了具体原因.研究表明:与微晶硅相比,非晶硅受铟锡氧化物功函数ΦITO的影响更加显著.随着ΦITO的增加非晶硅的各项物理性能(如太阳电池效率、填充因子等)得到明显改善,而微晶硅的各项参数虽然也随ΦITO增加而改变,但更容易趋于饱和.模拟结果显示,在实际的太阳电池装备过程中可根据前端电极的性能来选择合适的p型硅材料.
张勇刘艳吕斌张红英王基庆汤乃云
关键词：铟锡氧化物非晶硅微晶硅计算机模拟
具有高居里温度和高自旋极化度的铁磁半导体异质结材料的设计及模拟
本文主要研究了Ⅲ-V基铁磁半导体异质结的磁性特征。根据铁磁半导体材料的RKKY相互作用理论和Zener模型，自洽求解一维Schrodinger方程和Poisson方程，表征了不同铁磁半导体低维结构及器件的铁磁特征。着重研...
吕斌
关键词：铁磁半导体铁磁相变
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